تحقیق و بررسی در مورد نقش واقعی و مناسب از تکنولوژی برای ایجاد فرهنگ یادگیری 40 ص

اختصاصی از سورنا فایل تحقیق و بررسی در مورد نقش واقعی و مناسب از تکنولوژی برای ایجاد فرهنگ یادگیری 40 ص دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 66

نقش واقعی و مناسب از تکنولوژی برای ایجاد فرهنگ یادگیری:

شاید شما شنیده که کلاس‎های آموزشی از بین رفت که یادگیری از طریق تکنولوژی سریعتر، ارزان‎تر و بهتر است. فقط به جریان بیافتند و در هر زمان و مکان یاد بگیرید. اما من همچنین شنیده‎ام که دوره یادگیری براساس تکنولوژی در حال تمام شدن است، تکنولوژی جدید امروزی با قدرت زیاد به طور ناگهانی به وجود آمد. کدام یک از این دو عقیده درست می‎باشد؟

چگونگی حقیقت در بعضی جاها در اعتدال است. مدیران و مربیان امیدی شبیه به این داشتند که تکنولوژی می‎تواند یک راه‎‌حل و یا علاج برای تشکیلات و مسائل کسب و کار (تجارت) باشد. فقط تکنولوژی یادگیری جدید قابل دسترسی است. اغلب برای استفاده‎کنندگان به عنوان یک عقیده به نظر می‎رسد تا یک راه‎حل برای آن. ولی از آنجایی که همه ما راحتی بیشتر و تجربه‎هایی را از طریق تکنولوژی به دست می‎آوریم ولی ما مجبور هستیم آن را وسیله‎ای با عنوان یادگیری تشکیلات بفهمیم نه به عنوان یک راه‎حل. حقیقتاً رفتن از کلاسهای آموزشی به یادگیری کنترل شده یا از تدریس حرفه‎ای به مخزن اطلاعات کنترل شده نه تنها ضمانتی را ندارد حتی یادگیری را نیز بیشتر نمی‎کند. در حقیقت، وقتی به طور غیرمقتضی استفاده می‎شود، تکنولوژی می‎تواند یک مانع باشد و همچنین گران می‎باشد.

هنوز برای تکنولوژی یادگیری هزاران نقش مناسب و بزرگ وجود دارد. برای دانستن اینکه چطور تکنولوژی می‎تواند استفاده از یادگیری را تسهیل کند این مهم است که آن سوی چشم‎انداز آموزش کلاس سنتی را ببینیم. چیزی که تنها راه است برای تسهیل یادگیری و تنها راه برای استفاده از تکنولوژی در تلاش و کوشش.

این بخش به راه‎هایی برای یادگیری و استفاده از تکنولوژی با افغان اینکه چطور مردم یاد می‎گیرند، هر روز، و ابزارهارهایی که برای آسان کردن یادگیریشان استفاده می‎کنند. این نشان می‎دهد که چهارچوبی برای خلق یک اقدام مهم برای یادگیری و حمایت شده به وسیله 5 ارکان مهم مربوط به مهم می‎باشد: آموزش مدیریت دانش، عمل جامعه، حمایت عملکردها و تنظیم استعداد. همة این ارکانها برای نگهداری یک فرهنگ باز یادگیری ضروری است. بی‎توجه بودن به آن باعث می‎شود که عملکردهای گروهی و انفرادی معیوب باقی بماند و تکنولوژی، به طور مقتضی و قوی از هر یک از ارکان‎ها استفاده می‎کنند، بهره‎مندی درست از یک ساختار درست مثل دوباره حساب کردن واقعی و درست می‎باشد.

موفقیت استفاده از تکنولوژی در خلاقیت یک فرهنگ یادگیری که کمتر وابسته به آخرین زنگها و ستونهای نرم‎افزار و سخت‎افزار است و بیشتر به یادگیری به روش معمولی اشاره دارد. آینده تکنولوژی یادگیری امیدوار و نامعلوم نیز می‎باشد. مسیر یک نقشه دریایی به راحتی نیست، اگرچه ما می‎توانیم لرزش‎هایی دارد گذشته شاهد باشیم.

تعدادی مبحث داستانی: Some historicod perspectire

اگرچه اساس آموزش کامپیوتری در انواع مختلف و بیشتر از 30 سال است، راهنمایان تجارت به خوبی متحد شده و همیشه به آن به عنوان حاشیه رسیدگی کرده‎اند. برای اکثر قسمت‎ها، تشکیلات آموزشی و تعداد کمی از برنامه‎ها در تحصیلات با لا با سخت‎افزارها و نرم‎افزارهای جدید مورد آزمایش قرار گرفته است. جابه‎جا کردن درس (رشته) فرعی که امیدوار بودند به انقلاب سازمان یادگیری فقط برای دستیابی به سیستمهای عملیاتی مختلف و نسخه‎های مختلف از آن سیستمها که مستلزم انتشارات گوناگون از همان محصول می‎باشد. بنابراین ظرفیت این رشته‎ها احتیاج داشت تا برای همیشه به روز درآورده شود و دور گسترش آنها طولانی‎ می‎باشد. اما چیزی که حتی

تحقیق در مورد ذخیره بازیابی تکنولوژی 26 ص

اختصاصی از سورنا فایل تحقیق در مورد ذخیره بازیابی تکنولوژی 26 ص دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 25

نام گرد آورندگان:

سید حامد نقیبی ساداتی

جواد باروتی

هارد درایو ها با تحت میدان قرار دادنِ یکسری مواد مغناطیسی اطلاعات را درخود ضبط می کنند. و با تشخیص مغناطیس شدگی آن ماده اطلاعات را از روی آن می خوانند. طرح کلی یک هارد دیسک تشکیل شده از یک مخروط که یک یا چند صفحه مسطح و گرد را نگه می دارد ،اطلاعات بر روی این صفحات ذخیره می شوند. این صفحه ها از یک ماده غیر مغناطیسی( اغلب شیشه یا آلومینیوم) ساخته می شوند و با یک لایه نازک از مواد مغناطیسی روکش می شوند. در درایو های قدیمی از تری اکسید آهن به عنوان ماده مغناطیسی استفاده می شد اما امروزه از آلیاژهای کبالت پایه استفاده می کنند.

صفحات با سرعت های بالا به گردش در می آیند.اطلاعات در حین چرخش صفحات بر ری آنها نوشته می شوند.این کار توسط مکانیزمی با نامِ: هد خواندن/ نوشتن انجام می شود. این هد با فاصله بسیار کم بالای سطح مغناطیسی حرکت می کند. از این وسیله برای تشخیص و تغییر در وضعیت مغناطیس شدگی ماده زیر آن استفاده می شود. به ازای هر صفحه مغناطیسی بر روی مخروط ، یک هد وجود دارد که همه آنها بر روی یک بازوی مشترک سوار شده اند. همینطور که صفحات دوران می کنند یک بازوی محرک، هد ها را (به آرامی و با حرکت شعاعی ) روی یک مسیر قوس دار، بر روی صفحات به حرکت در می آورد.با اینکار به هر هد اجازه داده می شود که تقریبا به تمام سطح صفحهء در حال دوران دسترسی پیدا کندد.

سطح مغناطیسی هر صفحه به تعداد زیادی محدوده های کوچک مغناطیسی تقسیم می شود. (اندازه این محدوده ها در حد میکرون می باشد). هر کدام از این محدوده ها برای رمزنگاری یک واحد باینری اطلاعات مورد استفاده قرار می گیرند.در هارد درایو های امروزی ، هر یک از این محدوده های مغناطیسی از چند صد دانه مغناطیسی تشکیل شده اند. هر محدده مغناطیسی ، یک دوقطبی مغناطیسی را تشکیل می دهد که این دو قطبی ها یک حوزه مغناطیسی متمرکز را در نزدیکی خود ایجاد می کنند.

یک هد نوشتن، با ایجاد میدان مغناطیسی قوی در نزدیکی محدوده های مغناطیسی ، آن را تحت اثر خود قرار داده مغناطیس می کند. در هارد دیسک های اولیه برای خواندن اطلاعات از همان القاء کننده ای استفاده می شد که موقع نوشتن مورد استفاده قرار گرفته بود. اما با تکنولوژی جدید هد مخصوص نوشتن و هد مخصوص خواندن از هم جدا شده اند ، با این وجود هر دوی آنها روی یک بازوی محرک قرار دارند.

اغلب هارد درایو ها دارای یک پوشش محکم و کیپ هستند که از محتویات درایو در برابر جمع شدگی ،گرد و غبار و دیگر عوامل آلودگی محافظت می کند. هد خواندن / نوشتنِ هارد درایو بالای صفحات مغناطیسی و بر روی یک بالشتک هوا که ضخامتی در حد چند نانومتر دارد حرکت می کند. بنابراین سطوح صفحات و محتویات داخلی درایو باید پاک نگه داشته شوند تا با توجه به فاصله نانومتری بین صفحات و هد ،از صدمات ناشی از اثر انگشت ، غبار، مو، ذرات دود و غیره جلوگیری شود..

استفاده از صفحات صلب همچنین کیپ و عایق کردن هارد دیسک ، تولرانس بهتری را نسبت به فلاپی دیسک فراهم میکند.بنابراین هارد دیسک ها در مقایسه با فلاپی دیسک ها مقدار بیشتری اطلاعات را می توانند در خود ذخیره کنند. همچنین قابلیت دسترسی و انتقال اطلاعات در هارد دیسک ها سریع تر می باشد. در سال ۲۰۰۶ یک هارد دیسک باید بتواند بین ۸۰ تا ۷۵۰ مگابایت اطلاعات را در خود جای دهد، با سرعتی بین ۷۲۰۰ تا ۱۰۰۰۰ درو در دقیقه بچرخد و سرعت انتقال ترتیبی اطلاعات در آن باید بیشتر از ۵۰ مگابایت در هر ثانیه باشد. سریع ترین هارد درایوهای مربوط به

تکنولوژی جدید در عایقکاری رطوبتی ساختمان

اختصاصی از سورنا فایل تکنولوژی جدید در عایقکاری رطوبتی ساختمان دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

دانلود تحقیق تکنولوژی

اختصاصی از سورنا فایل دانلود تحقیق تکنولوژی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 13

«تکنولوژی (ساخت) Super Flash EEPROM»

معرفی:

این مقاله تکنولوژی ذخیره سازی سیلیکونی را توضیح می دهد. در این محصول سلول حافظه گیت و بازیابی تونل به روش میدانی تشریح شده است. تکنولوژی Super flash و سلول حافظه از نظر طراحی دارای مزایای مهمی هستند و سازنده EEPROM های Flash در زمان استفاده از ابزارهای منطقی در مقایسه با گیت Stack (پشته) اکسید یا تکنیک 2 ترانزیستوری از قابلیت عملکرد و آزادی عمل بیشتری برخوردار است. علاوه بر آن این تکنولوژی دارای مزیتهای قیمت کمتر و قابلیت اطمینان بیشتر است. این تکنولوژی با استفاده از لایه های کمتر از پردازش ساده تری برخوردار است که در مقایسه با انواع دیگر قابل مقایسه است. عمدتاً کاهش مراحل و هزینه های لایه گذاری، سبب کاهش قیمت نهایی محصول می شود. حافظه گیت مجزا SST از نظر اندازه و حجم اشغال شده در مقایسه با انواع ترانزیستوری آن بسیار قابل توجه است، علاوه بر اینکه سهولت استفاده و قابلیت اطمینان بالا نیز در آن بیشتر است. براساس طراحی، سلول حافظه مجزای SST ، برای هر سلول حافظه مربوط به ردیف بیت از overerase استفاده می کند. اختلال در پاک کردن برای همه بایتهای مربوط به یک صفحه یا صفحات دیگر ممکن است ایجاد شود، این بدلیل انجام فرآیند در ولتاژ بالا است.

تزریق کننده (انژکتور) ایجاد تونل بازیابی میدانی:

سلول EEPROM :

این تزریق کننده یک ترانزیستور سلول حافظه مجزا است که برای ایجاد تونل Fowler-Nordheim بمنظور پاک کردن و یا تزریق الکترون در کانال سورس در برنامه ریزی حافظه استفاده می شود. ایجاد تونل چند قطبی با استفاده از انژکتور (ترزیق کننده) میدانی در یک گیت شناور (معلق) با استفاده از اکسیداسیون استاندارد یا تکنیکهای etching صورت می گیرد. انژکتور کانال سفت Source (سورس) که تزریق کننده الکترون است بسیار کارآمد و مؤثر است و با استفاده از یک چیپ (تراشه) بسیار کوچک با تغذیه 5 یا 3 ولت این عملیات را انجام می دهد. سلولها معمولاً قبل از برنامه ریزی، پاک می شوند. اندازه و ابعاد سلول حافظه گیت مجزا با سلولهای حافظه متداول که از تکنولوژی پردازش یکسان استفاده می کنند، قابل مقایسه و قابل ملاحظه است. این امر ممکن است بدلیل موارد زیر ایجاد شده باشد. سلول انژکتور ایجاد کننده تونل نیازی به فضای زیاد بمنظور عایق کاری در جریانها و ولتاژهای بالا ندارد. علاوه بر آن ساختار ساده آن سبب می شود که بسیاری از توابع منطقی در عملیات پاک کردن آن حذف شوند. سلول انژکتور ایجاد کننده تونل از فرآیند (تکنولوژی) CMOS استاندارد استفاده می کند. آرایه های حافظه می توانند در حالت دسترسی تصادفی یا دسترسی متوالی و پی در پی طراحی شده باشند.

ساختار سلولی:

برشهای مقطعی سلولی با نماهای متفاوت در تصاویر 1A و 1B نشان داده شده اند. از دیدگاه سطح مقطع یک مسیر بیت و یک سطح مقطع SEM در تصاویر 2A و 2B نشان داده شده اند. از ترکیب سیلیکون 2 ظرفیتی برای ارتباط گیتها در امتداد یک مسیر word استفاده شده است. فلز بکار رفته در درین (drain) برای هر سلول حافظه در امتداد ردیف بیت قرار دارد.

یک سورس مشترک در هر صفحه بکار رفته است که در آن هر زوج بیت بصورت مشترک از یک سورس استفاده می کنند. با ترکیب ردیفهای زوج و فرد در یک صفحه پاک شده، عملیات صورت می گیرد. برنامه ریزی ممکن است حتی بصورت بایت بایت انجام شود و یا اینکه تمام بایتهای یک صفحه بصورت لحظه ای و به یکباره برنامه ریزی شوند. ناحیه درین از نفوذ (عمق) به میزان n+S/D برخوردار است، که لبه های آن توسط گیت کنترلی 2، تحت کنترل است. ناحیه سورس ار عمق n+S/D برخوردار است که دارای هم پوشانی با قسمت شناور است. یک سلول در دروازه شناور بمنظور کنترل آستانه (هدایت) سلول و ولتاژ مربوطه استفاده شده است. گیت انتخابی بوسیله یک کانال با پهنای 40mm از کانال (اصلی) جدا شده است. گیت شناور از کانال و نفوذ سورس به آن

کتاب تکنولوژی و طرح اختلال بتن مستوفی نژاد

اختصاصی از سورنا فایل کتاب تکنولوژی و طرح اختلال بتن مستوفی نژاد دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

عنوان: کتاب تکنولوژی و طرح اختلال بتن
مولفان: دکتر داوود مستوفی نژاد
تعداد صفحات: 169
فرمت pdf:
حجم فایل:3.80mb

توجه: در صورت هرگونه مشکل در روند خرید و دریافت فایل از طریق بخش پشتیبانی در سایت مشکل خود را اعلام کنید  

برای دانلود با لینک مستقیم سایت از قسمت پرداخت و دانلود اقدام کنید  

فروشگاه ما زیر مجموعه سایت  فایل سل است که خود  دارای نماد اعتماد الکترونیکی (دو ستاره )  وثبت شده در سامانه ساماندهی می باشد که از بخش پیوندها قابل بررسی می باشد بنابراین میتوانید با خیالی آسوده اقدام به خرید با درگاههای امن بانکی نمایید در صورت نارضایتی ازفایل میتوانید مبلغ خود را پس بگیرید

با توجه به محدودیت های ایجاد شده توسط برخی از بانکها در خریدهایی با مبالغ کمتر از 5000 تومان مانند بانک ملی و ...،خواهشمند است جهت انجام این قبیل خریدها از کارتهای سایر بانکهای بدون محدودیت مبلغ استفاده فرمایید

امکان 10 بار دانلود با یک پرداخت در 5 روز اینده وجود دارد