پاورپوینت ساختار ترانزیستورهای دوقطبی یا پیوندیBJT 29 اسلاید

اختصاصی از سورنا فایل پاورپوینت ساختار ترانزیستورهای دوقطبی یا پیوندیBJT 29 اسلاید دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

دسته بندی : پاورپوینت _ کتاب جزوه

نوع فایل:  ppt _ pptx

( قابلیت ویرایش )

---

 قسمتی از اسلاید متن پاورپوینت : 

تعداد اسلاید : 29 صفحه

ساختار ترانزیستورهای دوقطبی یا پیوندی)BJT) فصل چهارم P N P E B C امیترE بیسB Cکلکتور N P N امیترE بیسB Cکلکتور E B C *زمانی ترانزیستور در ناحیه خطی یا فعال کار می کند که دیود بیس امیتر روشن و دیود بیس کلکتور قطع باشد P N P RE VCC R VEE E2 در مقابل جریان حفره ای امیتر مانند سد عمل می کند E1 برای جریان حفره ای امیتر که وارد بیس می شود مانند پرتاب گر عمل می کند E2 بایاس مستقیم بایاس معکوس P N P Ix IPE Ipco Ico IE Inco Ipc جریان حامل های اقلیت میزان حفره تزریقی امیتر IPE جریان امیتر و IE ضریب تزریقی امیترγ = IPE IE مولفه های جریانی ترانزیستور در ناحیه فعال: مقداری از جریان حفره ای که بوسیله الکترون های بیس جذب می شودIx مقداری از جریان حفره ای که از بیس عبور می کندIPC =ضریب گذردهی بیس IPC IPE جریان الکترونی بیس که برای ترکیب با حفره های ، به می آیند Inco C C BC جریان حامل های اقلیت دیود خاموش Ipco * IPC IE = IPC IPE IPE IE = × α*λ=α IC =αIE + Ico IC = IS e VBE τVT کنترل می شودVBE توسط ولتاژ و در نتیجه افزایش قدرت پرتاب گری می شود C و B تنها منجر به افزایش عرض ناحیه تخلیه بین VCB افزایش که در حقیقت تامین کننده جریان حفره ای است بنابراین VBE توسطIC جریان IC≈ IE ازآنجا که می توان از رابطه زیر استفاده کرد: IC برای محاسبه IC = IS e VBE τVT افزایش می دهدμA در حد ICO تاثیری ندارد و تنها IPC اما روی جریان P N P Ix IPE Ipco Ico IE Inco Ipc جریان حامل های اقلیت 2)حل مساله و محاسبه مجهولات با استفاده از اطلاعات بدیهی قبل از حل مساله جریان ها را نامگذاری کنید * IC IE IB IC IE IB 3)چک کردن صحت فرض با استفاده از مجهول های محاسبه شده 1) حدس اولیه ناحیه کار ترانزیستور مساله : DCتحلیل گام های نواحی کار : 1) خطی _ فعال (تقویت کننده): * اطلاعات بدیهی از این حالت: VBE7/ 0 = IC =IE + Ic و IC =αIE و IC =βIB *مجهولات : VCE یا VCB و IC یا IE * حالت های دیودها : 2) اشباع(سوئیچ): * اطلاعات بدیهی از این حالت: VCE7/ 0 = VBC7/ 0 = VBE8/ 0 = IC =IE + Ic IC یا IE * مجهولات: 3) خاموشی ترانزیستور(سوئیچ): * اطلاعات بدیهی از این حالت: IC یا IE 0≈ *مجهو

  متن بالا فقط قسمتی از محتوی متن پاورپوینت میباشد،شما بعد از پرداخت آنلاین ، فایل را فورا دانلود نمایید 

---

  لطفا به نکات زیر در هنگام خرید دانلود پاورپوینت:  توجه فرمایید.

• در این مطلب، متن اسلاید های اولیه قرار داده شده است.
• به علت اینکه امکان درج تصاویر استفاده شده در پاورپوینت وجود ندارد،در صورتی که مایل به دریافت  تصاویری از ان قبل از خرید هستید، می توانید با پشتیبانی تماس حاصل فرمایید
• پس از پرداخت هزینه ،ارسال آنی پاورپوینت خرید شده ، به ادرس ایمیل شما و لینک دانلود فایل برای شما نمایش داده خواهد شد
• در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون بالا ،دلیل آن کپی کردن این مطالب از داخل اسلاید ها میباشد ودر فایل اصلی این پاورپوینت،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
• در صورتی که اسلاید ها داری جدول و یا عکس باشند در متون پاورپوینت قرار نخواهند گرفت.
  
• هدف فروشگاه ایران پاورپوینت کمک به سیستم آموزشی و رفاه دانشجویان و علم آموزان میهن عزیزمان میباشد. 
  

---

دانلود فایل  پرداخت آنلاین 

پاورپوینت ساختار ترانزیستورهای دوقطبی یا پیوندیBJT 29 اسلاید

اختصاصی از سورنا فایل پاورپوینت ساختار ترانزیستورهای دوقطبی یا پیوندیBJT 29 اسلاید دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

دسته بندی : پاورپوینت 

نوع فایل:  ppt _ pptx

( قابلیت ویرایش )

---

 قسمتی از محتوی متن پاورپوینت : 

تعداد اسلاید : 29 صفحه

ساختار ترانزیستورهای دوقطبی یا پیوندی)BJT) فصل چهارم P N P E B C امیترE بیسB Cکلکتور N P N امیترE بیسB Cکلکتور E B C *زمانی ترانزیستور در ناحیه خطی یا فعال کار می کند که دیود بیس امیتر روشن و دیود بیس کلکتور قطع باشد P N P RE VCC R VEE E2 در مقابل جریان حفره ای امیتر مانند سد عمل می کند E1 برای جریان حفره ای امیتر که وارد بیس می شود مانند پرتاب گر عمل می کند E2 بایاس مستقیم بایاس معکوس P N P Ix IPE Ipco Ico IE Inco Ipc جریان حامل های اقلیت میزان حفره تزریقی امیتر IPE جریان امیتر و IE ضریب تزریقی امیترγ = IPE IE مولفه های جریانی ترانزیستور در ناحیه فعال: مقداری از جریان حفره ای که بوسیله الکترون های بیس جذب می شودIx مقداری از جریان حفره ای که از بیس عبور می کندIPC =ضریب گذردهی بیس IPC IPE جریان الکترونی بیس که برای ترکیب با حفره های ، به می آیند Inco C C BC جریان حامل های اقلیت دیود خاموش Ipco * IPC IE = IPC IPE IPE IE = × α*λ=α IC =αIE + Ico IC = IS e VBE τVT کنترل می شودVBE توسط ولتاژ و در نتیجه افزایش قدرت پرتاب گری می شود C و B تنها منجر به افزایش عرض ناحیه تخلیه بین VCB افزایش که در حقیقت تامین کننده جریان حفره ای است بنابراین VBE توسطIC جریان IC≈ IE ازآنجا که می توان از رابطه زیر استفاده کرد: IC برای محاسبه IC = IS e VBE τVT افزایش می دهدμA در حد ICO تاثیری ندارد و تنها IPC اما روی جریان P N P Ix IPE Ipco Ico IE Inco Ipc جریان حامل های اقلیت 2)حل مساله و محاسبه مجهولات با استفاده از اطلاعات بدیهی قبل از حل مساله جریان ها را نامگذاری کنید * IC IE IB IC IE IB 3)چک کردن صحت فرض با استفاده از مجهول های محاسبه شده 1) حدس اولیه ناحیه کار ترانزیستور مساله : DCتحلیل گام های نواحی کار : 1) خطی _ فعال (تقویت کننده): * اطلاعات بدیهی از این حالت: VBE7/ 0 = IC =IE + Ic و IC =αIE و IC =βIB *مجهولات : VCE یا VCB و IC یا IE * حالت های دیودها : 2) اشباع(سوئیچ): * اطلاعات بدیهی از این حالت: VCE7/ 0 = VBC7/ 0 = VBE8/ 0 = IC =IE + Ic IC یا IE * مجهولات: 3) خاموشی ترانزیستور(سوئیچ): * اطلاعات بدیهی از این حالت: IC یا IE

  متن بالا فقط قسمتی از محتوی متن پاورپوینت میباشد،شما بعد از پرداخت آنلاین ، فایل را فورا دانلود نمایید 

---

  لطفا به نکات زیر در هنگام خرید دانلود پاورپوینت:  توجه فرمایید.

• در این مطلب، متن اسلاید های اولیه قرار داده شده است.
• به علت اینکه امکان درج تصاویر استفاده شده در پاورپوینت وجود ندارد،در صورتی که مایل به دریافت  تصاویری از ان قبل از خرید هستید، می توانید با پشتیبانی تماس حاصل فرمایید
• پس از پرداخت هزینه ،ارسال آنی پاورپوینت خرید شده ، به ادرس ایمیل شما و لینک دانلود فایل برای شما نمایش داده خواهد شد
• در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون بالا ،دلیل آن کپی کردن این مطالب از داخل اسلاید ها میباشد ودر فایل اصلی این پاورپوینت،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
• در صورتی که اسلاید ها داری جدول و یا عکس باشند در متون پاورپوینت قرار نخواهند گرفت.
  
• هدف فروشگاه ایران پاورپوینت کمک به سیستم آموزشی و رفاه دانشجویان و علم آموزان میهن عزیزمان میباشد. 
  

---

دانلود فایل  پرداخت آنلاین 

مقاله در مورد بررسی ارتباط پسوریازیس و اختلال دوقطبی

اختصاصی از سورنا فایل مقاله در مورد بررسی ارتباط پسوریازیس و اختلال دوقطبی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

تعداد صفحه27

فهرست مطالب

چکیده فارسی

1

مقدمه و بررسی متون

2

بیماران و روش ها

10

نتایج

12

بحث و نتیجه گیری

22

فهرست منابع

25

چکیده انگلیسی

پیوست

27

28

چکیده فارسی

هدف: این مطالعه مقطعی به منظور بررسی ارتباط پسوریازیس و اختلال دوقطبی انجام شده است.

روش مطالعه: این مطالعه به صورت یک بررسی مقطعی انجام شده است. حجم نمونه مورد بررسی در این مطالعه شامل 189 نفر بود که 99 بیمار مبتلا به پسوریازیس و 90 فرد مبتلا به سایر بیماری های پوستی (غیر از پسوریازیس)  مورد مقایسه قرار گرفتند.

یافته ها: توزیع فراوانی دیس تایمی، سیکلوتایمی، هایپرتایمی و Anxious Temperament در دو گروه با و بدون پسوریازیس همسان بود (P > 0.05) ولی میزان بروز Irritable Temperament و همچنین امتیاز افسردگی Beck و امتیاز MDQ در دو گروه همسان نبود (P < 0.05).

نتیجه گیری: در مجموع بر اساس یافته های حاصل از این مطالعه و مقایسه آن با سایر مطالعات انجام شده در این زمینه چنین استنباط می گردد که ارتباط آماری معناداری بین ابتلا به پسوریازیس و اختلال دوقطبی  وجود دارد.

بیماری پسوریازیس یکی از انواع بیماری های شایع پوستی با منشأ ایمنی (ناشی از عملکرد لنفوسیت های T) است که به صورت یک اختلال مزمن پوسته ریزی دهنده عود کننده بروز می نماید و نمای کلاسیک آن شامل درگیری سطوح اکستانسور می باشد که به تناوب دچار عود و فروکش می گردد. این بیماری در 1 تا 2 درصد از کلیه جوامع دیده می شود. هرچند که در برخی نواحی مانند کشورهای اسکاندیناوی شیوعی بالاتر تا 6 درصد داشته و در برخی کشورها مانند غرب قاره آفریقا و ژاپن بیماری نسبتا نادری محسوب می شود. اگرچه آمار دقیقی از ایران در دسترس نیست؛ اما در مجموع در ایران نیز بیماری نسبتا شایعی بوده و به ویژه در شمال کشور شیوع بالایی دارد (1).

از سوی دیگر وجود مشکلات روانشناختی همراه نیز نه تنها سبب تشدید بیماری پسوریازیس و بدتر شدن پیش آگهی آن می شود؛ بلکه خود می تواند منتج از سیر بیماری پسوریازیس باشد و این دو مسأله به صورت سیکل معیوب ادامه پیدا خواهند کرد. لذا شناسایی ارتباط بین پسوریازیس و بیماری های روانشناختی حائز اهمیت به سزایی می باشد. به عبارتی با توجه به تأثیری که بیماری پسوریازیس بر کیفیت زندگی مبتلایان می گذارد، شناسایی به موقع کوموربیدیتی ها از اهمیت به سزایی برخوردار خواهد بود. یکی از جمله این اختلالات همراه عبارت است از اختلال دوقطبی (Bipolar Disorder) که به علل مختلفی از جمله نقش داروهای مصرفی مانند لیتیوم و نیز فاکتورهای مستعد کننده روانشناختی می تواند سبب تشدید و شعله ور شدن پسوریازیس شود. هرچند که این مسأله جهت اثبات نیاز به بررسی های بیشتری دارد. لذا در این مطالعه بر آن شدیم که به بررسی ارتباط پسوریازیس و اختلال دوقطبی بپردازیم.

بررسی متون

پسوریازیس

یک اختلال پوستی همراه پوسته ریزی است که مشخصه آن دوره های مکرر فروکش و عود بیماری می باشد. این عارضه پوست سر، آرنج ها، زانوها، قفسه سینه، پشت، بازوها، ساق ها، انگشتان دست و پا و چین بین باسن را درگیر می کند. در اواخر کودکی یا اوایل بزرگسالی شروع شده و در سراسر عمر تداوم می یابد (1). بیماری پسوریازیس یا داء الصدف بیماری التهابی مزمن پوست می باشد که علت دقیق آن هنوزمشخص نمی باشد اما دخالت عوامل ژنتیک در بروز آن قطعی است.

اپیدمیولوژی بیماری

بیش از چهار و نیم میلیون بزرگسال در ایالات متحده آمریکا درگیر پسوریازیس  هستند و حدود صدو پنجاه هزار نفر در سال به این آمار اضافه می شود؛ آنطور که تخمین زده شده بیست درصد از این آمار درگیر نوع متوسط این بیماری پوستی هستند (3).

پسوریازیس  بصورت مساوی در زنان و مردان رخ می دهد.تحقیقات اخیر نشان داده که احتمالا” ریشه نژادی در این بیماری تاثیر دارد.به نظر می رسد که پسوریازیس  در اسکاندیناوی و دیگر قسمتهای اروپای شمالی بیشترو در آفریقایی آمریکایی ها کمتر دیده می شود و به نظر می رسد که آسیایی ها به مراتب کمتر و در آمریکایی الاصل ها به ندرت ایجاد می شود. همچنین مولفه ارث در این بیماری دخیل می باشد در حدود یک سوم مردمی که پسوریازیس  دارند حداقل یک فامیل مبتلا به این بیماری داشته و یا دارند. تحقیقات نشان داده که نشانه ها و علایم این بیماری بین پانزده تا سی و پنج سالگی ظاهر می شود. حدود هفتاد و پنج درصد از بیماران پسوریازیسی قبل از چهل سالگی دچارش می شوند. اگرچه ظهور این بیماری در هر شرایط سنی ممکن است. بعد از چهل سالگی یک دوره شدید در پنجاه الی شصت سالگی رخ می دهد. حدود 1 نفر از هر 10 نفر در دوران کودکی دچار پسوریازیس می شود. هر چه بیماری زودتر در بدن ظاهر شود به همان نسبت فراگیرتر خواهد شد (4 و 5).

ظهور پسوریازیس

پسوریازیس می تواند به عنوان یکی از قدیمی ترین بیماری های پوستی ثبت شده باشد. احتمالااولین بار حدود سی و پنچ سال بعد از میلاد مسیح توصیف شد؛ برخی شواهد زمان قدیمی تری را نشان می دهد . در طب سینایی به ارتباط این بیماری با اخلاط اربعه (صفرا ، خون ، بلغم و سودا)  اشاره شده است . اما هنوز هم کمتر کسی این بیماری را می شناسد.در حالی که دانشمندان هنوز هم بطور کامل نمی دانند چه عواملی باعث بروز پسوریازیس  می شود اما تحقیقات به طرزی قابل ملاحظه دانش ما را در این باره بالامی برد (1)  

علایم شایع

• نواحی پوستی مختصراً برجسته با کناره های قرمز و پوشیده شده از پوسته های بزرگ سفید یا نقره ای رنگ. این ضایعات ترک خورده و دردناک می گردند (1).
• خارش (گاهی)
• درد مفاصل

علل
علت دقیق آن ناشناخته است ولی احتمالاً ناشی از یک اختلال خودایمنی است (1).

عوامل تشدید کننده پسوریازیس

1. تروما و صدمات: به صورت فنومن کوبنر یا ایزومورفیک بروز میکند و در مرحله فعال بیماری در حدود ۱۴-۱۰ روز پس از خراشاندن پوست در محل مذکور ضایعه پسوریازیس دیده میشود.
2. عفونت: شاهد این فرم نوع قطره ای بیماری است که متعاقب عفونتهای دستگاه فوقانی ایجاد میشود.
3. استرس: در ۴۰% تا ۹۰% موارد، قبل از بروز و یا تشدید پسوریازیس, استرس های روحی (و خصوصا اضطراب) وجود داشته است. مکانیسم دقیق آن به درستی شناخته شده نیست. اما افزایش substance p مطرح شده که افزایش ترشح آن از فیبر های عصبی C موجود در درم موجب تحریک لکوسیت ها.. کراتینوسیت ها.. و ترشح سایتوکاینها میشود.

تغییرات هورمونی: در دوره های بلوغ و یائسگی، بر اثر عوامل هورمونی، یماری تشدید میگردد. همچنین در حاملگی و بعد از زایمان نیز بیماری