فهرست مطالب
صفحه
1
1
5
6
10
11
21
21
22
24
39
42
55
57
58
67
68
76
82
88
140
عنوان
چکیده
مقدمه
فصل اول
انواع مخازن نفتی
ارزش دولومیت
خصوصیات سنگ
انواع تخلخل
فصل دوم
اکشتاف ژئوفیزیکی
روش الکتریکی
مغناطیس سنجی
لرزه نگاری
برداشت
انواع نویز
انواع لرزه نگاری
فصل سوم
چاه پیمایی
خدمات تکمیل چاه
اثرات حفاری
نمودار های چاه پیمایی
منابع
عنوان انگلیسی :Governance structures and accounting at large municipalities
عنوان فارسی :ساختارهای دولت و حسابداری در شهرداری‌های بزرگ
تعداد صفحات فایل اصلی مقاله : 28 صفحه(PDF)
تعداد صفحات فایل ترجمه شده : 32 صفحه ورد(قابل ویرایش)
قابل توجه: با تخفیف 60 درصدی تا مهلت محدودی
ترجمه چکیده :
اکثر شهرهای ایالات متحده با روش های شهردار ـ شورا و یا شورا ـ مدیر دولت با حرکتی تدریجی به سمت شهرهای شورا ـ مدیر اداره می شوند. مدلسازی نظری نشان می دهد که روش شورا ـ مدیر کارآمدتر است چون مدیر شهر انگیزه های بیشتری برای افزایش عملکرد مالی و حسابداری نسبت به شهردار به عنوان مدیر اجرایی دارد. به هر حال ، دو عامل بسیار مهم برای مقایسه شهرداری ها مطرح شده است. از اواسط دهه 1980 ، قوانین دولت مرکزی و محلی سخت تر شد. ضمناً شرایط اقتصادی به طور چشمگیری بهبود یافت. از این رو دو عامل مذکور برای ارزیابی شرایط مالی و حسابداری در شهرهای کلان مناسب تر بودند. هدف این مقاله بررسی اهمیت ساختار دولت در زمینه میزان افشای حسابداری و شرایط اقتصادی براساس نمونه هایی از شهرهای بزرگ از اوایل دهه 1980 و اواسط دهه 1990 می باشد. یافته ها این نظریه که شهرهای مدیر شهری در واقع بیش از شهرهای شهردار ـ شورا براساس ابعاد مهم بررسی شده در آزمون های تک متغیری و چند متغیری عمل می نماید ، را تأیید می کنند. شهرداری های بزرگ از 1983 تا 1996 براساس متغیرهای مهم مالی و حسابداری تغییر نموده و پیشرفت کرده اند. شهرهای شورا ـ مدیر برای افشای موارد حسابداری در هر دو دوره زمانی برتر از شهرهای شهردار ـ شورا هستند. شرایط اقتصادی شهرهای شورا ـ مدیر در 1983 بسیار عالی بود ، اما اسناد مربوط به سال 1996 نابسامان بودند.
عنوان مقاله: ساختارهای متوازن : طراحی سازمان برای رشد مناسب
مترجم: حسام حکیمی (نام استاد : جناب اقای دکتر واعظی)
موضوع: مقالات ترجمه شده / ساختار سازمانی
سال انتشار(میلادی): 2012
منبع انتشار اصل مقاله: S. Raisch, Balanced Structures: Designing Organizations for Profitable Growth, Long Range Planning (2008), doi:10.1016/j.lrp.2008.06.004
چکیده: سباستین رایش: تلاش شرکت ها برای رشد مناسب در جهت پاسخگویی به درخواست سهام داران برای افزایش سود بیشتر است. رشد مناسب سازمانها نیازمند طراحی سازمان به گونه ای است که بتواند پاسخگوی تقاضاهای متناقض باشد مانند اینکه یک سازمان نیاز دارد که هم ساختار مکانیک داشته باشد تا بتواند اطمنیان حاصل کند از دستاوردهای فعلی اش محافظت می شود و همچنین نیازمند ساختار ارگانیک است تا سازمان را برای یافتن فرصت هایی در جهت رشد در زمینه های جدید یاری کند. این مقاله "سطحی از تعادل" را در ساختار شرکت ها پیشنها د می کند که نیاز شرکت ها را در سطح گروهی برطرف می کند. برای رسیدن به این سطح تعادل راه حل پیشنهادی شامل تغییر پی در پی در بین ساختار متفاوت (تفکیک موقت) ، و یا به وجود آوردن واحدهای متمایز (تفکیک ساختاری) و اجازه به کارکنان درجهت به حرکت به سمت عقب و جلو در ساختار مختلف (ساختار موازی). هنگامی که مفاهیم تئوری در ساختار متعادل ارائه شد اطلاعات کمی در مورد نحوه استقرار آن و چگونگی اجرای آن موجود بود. در این مقاله، داده ها از طریق مطالعه استقرایی در شش شرکت که مرکز آن ها در اروپا بود جمع آوری شد و در آن پاسخ سازمانها به ساختارهای مختلف مورد بررسی قرار گرفت.استراتژی ها فوق که در این شرکت ها پیاده سازی شده بود مورد بررسی قرار گرفت تا این گزینه ها و نتایج آموزشی که از پیاده سازی آن به دست آمده بود ارزیابی شوند . این راه حل ها در محل های مختلف به کار برده شده است و منجر به ارائه راه حل های مختلفی شده است . هر یک از این راه حل ها ابعاد متمایزی از فرآیند یادگیری را بیان می کند و هنگامی که راه حل ها با هم آمیخته شود بهره برداری و بازیابی بهتری از فرآیند صورت می گیرد.
فرآیند طراحی مدل ساختار متوازن در این مقاله سعی بر آن دارد، نگرشی را فراهم می آورد تا احتیاجات شما را در شرایط خاص برآورده نماید. 4 اصل کلی طراحی برای پیاده سازی موفق ساختارهای متوازن نیز در این مقاله گنجانده شده است.
مقدمه:
شرایطی که شرکت ها بتوانند در آن رشد متناسب داشته باشند دغدغه اصلی بسیاری از شرکت ها است و یکی از مهمترین دغدغه های مدیران اجرایی امروز است. تحقیقات تجربی نشان داده عده معدودی از شرکت های تازه تأسیس توانسته اند نسبت به شرکت های قدیمی به سمت رشد و فروش بیشتر حرکت نمایند. رشد مناسب بیانگر نوعی نزاع برای حفظ تعادل بین بهربرداری از قابلیت های موجود و جستجو برای یافتن توانمندی های جدید است. رهبران سازمان تلاش می کنند تا عوامل متضاد فوق را با یکدیگر وفق دهند. آنها، برای بهربرداری از قابلیت های فعلی نیازمند ساختار مکانیکی سازمان هستند. ویژگی این ساختار استاندارد سازی، تمرکز گرایی و سلسله مراتب است. این ساختار مانعی برای نوع آوری و انعطاف پذیری سازمان است.
نوآوری ها از طریق سیستم های باز(ارگانیک) راحتر قابل دسترسی است زیرا این ساختار سطح بالایی از عدم تمرکز را ایجاد می نمایند. البته این سیستم کارایی و هماهنگی را کاهش می دهد. بنابراین باید در سازمانها، تعاملی بین ساختار مکانیک و ساختار ارگانیک وجود داشته باشد که این موضوع سبب دشواری تصمیم گیری ها می شود .
بر طبق دیدگاه (معاوضه) سازمانها باید ساختاری از بین ساختار یاری کننده در اکتشافات یا ساختار توانمند کننده در بهره برداری ها انتخاب کنند.
تاثیر عملیات حرارتی بر ریز ساختارهای فولاد
این فایل زیپ بوده و حاوی دو فایل با فرمت های ورد(تعداد صفخه :56) و پاورپوینت ( صدصفحه )
چکیده
در فصل اول کانال سیلسیمی تحت تنش و انواع روشهای ایجاد تنش در کانال بیان می شود.
در فصل دوم به بررسی فیزیک تنش در سیلسیم پرداخته می شود و تأثیر تنش روی نوارهای هدایت و ظرفیت و جزئیات مربوط به هر کدام از نوارهای ظرفیت و هدایت بیان می شود هم چنین به تأثیر تنش روی قابلیت حرکت نیز اشاره میشود.
در فصل سوم پیرامون ترانزیستورهای MOSFET سیلسیمی روی عایق توضیح داده می شود و سپس انواع این ماسفتها، ویژگیها، مزایا و معایب هر یک بررسی میگردد.
و در نهایت نیز به برخی از روش ها و رهیافتهای جدید که برای بهبود عملکرد ماسفت در آینده کاربرد دارد، اشاره می شود.
مقدمه:
در سال 1965، Gardon Moor پیش بینی کرد تعداد ترانزیستورها در مدار مجتمع، هر 18 تا 24 ماه، دو برابر میشود اما، به واسطه تکنولوژی قطعات پیشرفته این قانون در سالهای بعدی با چالشهای زیادی روبرو شد.
مزایای کوچک شدن ترانزیستورها عبارت است از: کاهش منبع تغذیه، افزایش سرعت و جریان ترانزیستورها و نرخ بالای جریان روشن به جریان خاموشی در ولتاژ منبع پایین تر.
با پیشرفت تکنولوژی به ناحیه ی زیر میکرون، حفظ بهبود عملکرد در هر تولیدی، فقط به وسیله انجام مقیاس، به مسئله مشکل و پیچیده ای تبدیل شده است. مقیاس کردن عمق و عرض نواحی سورس و درین، مقدار بار آزاد را کاهش می دهد و منجر به افزایش غیر قابل پذیرشی در مقاومت قطعه می شود. اثرات طفیلی بسیاری از جمله roll off ولتاژ آستانه، کاهش سد پتانسیل درین، سوراخ شدن ولتاژ آستانه، کاهش سد پتانسیل درین، سوراخ شدن کوتاه خوانده می شوند، در نهایت مقیاس کردن را محدود خواهند کرد. به علت این موانع تحقیقات 10 الی 15 سال اخیر، بر روی روشهای مؤثر برای حفظ عملکرد بالای قطعه و مصرف توان پایین، متمرکز شده است.
همان طور که گفته شد مزایای عملی مقیاس کردن به علت محدودیت های اقتصادی و فیزیکی در حال کاهش است و راه حل های جدیدی پیشنهاد شده است. یکی از این روش ها تغییر در کانال سیلسیمی ماسفت ها می باشد که امکان افزایش قابلیت حرکت حامل و به نوبه ی خود افزایش جریان را به وجود می آورد. در مجموع ساختارهای چند کاناله با لایه های SiGe تحت تنش فشرده و سیلسیم تحت تنش کششی به طور متقارن قابلیت حرکت را برای هردوی الکترون و حفره افزایش خواهند داد و نیز تلفیق SOI به CMOS و استفاده از اکسید مدفون در زیر توده سیلسیم مزایایی شامل کاهش ظرفیت خازنی پیوند، افزایش چگالی مدار (به علت عایق بندی محکم) و کاهش قفل شدگی را ایجاد می کند. با پذیرش Si تحت تنش و SOI، نتیجه مطلوبی از ترکیب این تکنولوژی حاصل میشود.
فصل اول
سیلسیم تحت تنش
1-1) کانال سیلسیم تحت تنش
ایده استفاده از سیلسیم تحت تنش درکانال ماسفت تقریباًً به بیش از 2 دهه بر می گردد. جریان اشباع ماسفت به وسیله معادله زیر بیان میشود.
از این معادله می توان گفت: با کاهش طول کانال ترانزیستور، جریان افزایش می یابد. امروزه، مشکلات اثر طفیلی، ساخت قطعات با مقیاس بندی بیشتر را با مشکل مواجه کرده است. با توجه به معادله فوق دریافت میشود که از طریق قابلیت حرکت نیز می توان جریان ماسفت را افزایش داد. برای انجام این کار، می توان قطعه را روی یک لایه از سیلسیم تحت تنش ساخت. با داشتن یک کانال با سیلسیم تحت تنش قابلیت حرکت حامل در کانال افزایش می یابد. مزیت دیگر تکنولوژی سیلسیم تحت تنش این است که می توان یک شیب زیر آستانه ثابت را حفظ کرد. با استفاده از شیب زیر آستانه ثابت، یک قطعه می تواند برای داشتن ولتاژ آستانه بالاتری نسبت به حالت بدون تنش طراحی شود. با افزایش ولتاژ آستانه، جریان کم می شود اما، به طور هم زمان جریان حالت خاموشی نیز، به مقدار قابل ملاحظه ای کاهش می یابد.
فهرست مطالب:
چکیده 1
مقدمه 2
فصل اول: سیلسیم تحت تنش
1) کانال سیلسیم تحت تنش 4 -1 °
2) روشهای افزایش قابلیت حرکت 4 -1 °
3) سیلسیم تحت تنش: تکنیکهای تنش موضعی و کلی 6 -1 °
4-1 ) تنش تک محوری و دو محوری 8
1-4-1 ) تنش دو محوری 8
2-4-1 ) تنش تک محوری 10
فصل دوم: فیزیک تنش در سیلسیم
1) تنش به علت عدم تطابق ثابت شبکه 14 -2 °
2) ساختار نوار هدایت سیلسیم در تنش کششی دو محوری 16 -2 °
17 Δ 4 valley و Δ2 valley 3) خصوصیات الکترونهای دو بعدی در -2 °
4-2 ) ساختار نوار ظرفیت در سیلسیم تحت تنش 22
5-2 ) اثرات تغییر سطح انرژی نوارهای هدایت و ظرفیت 23
23 VTH 1-5-2 ) کنترل
2-5-2 ) جریان تونلینگ 24
6) افزایش قابلیت حرکت حفره 25 -2
فصل سوم: ماسفتهای روی عایق
1) ماسفتهای سیلسیم روی عایق تحت تنش 28 -3 °
29 (SGOI) روی عایق SiGe (2 -3 °
1-2 ) معرفی 29 -3 °
31 SSOI 3) ساختار - 3
4) ماسفتهای با ساختار ناهمگون کانال دوتایی 32 -3
با کانال SGOI با کانال سطحی و SSOI 5) مقایسه بین ساختارهای -3
CMOS دوتایی در
36
37 SSDOI 6) ساختار -3
39 SiGe 7-3 ) کاربردهای اپیتکسی
فصل پنجم: نتیجه گیری و پیشنهادات
نتیجه گیری 41
پیشنهادات 43
منابع و ماخذ
فهرست منابع لاتین 44