جریان سیالات در علوم مهندسی

اختصاصی از سورنا فایل جریان سیالات در علوم مهندسی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 14

جریان سیالات در علوم مهندسی

- مقدمه

پدیده های مربوط به جریان سیالات در علوم مهندسی و در طبیعت بسیار رخ می دهند و مهم می باشند. در اغلب موارد این پدیده ها همراه با جریانهای نقوش (TURBU LENT) و علی الخصوص جریانهای نقوش برشی (Turbulent Shear flow) می باشد. تخمین درست از مشخصات این جریانها نه تنها در مطالعه مکانیسم جریان بلکه برای طراحی انواع وسایل مهندسی حائز اهمیت است.

روش های تجربی تنها راه اصولی برای حل مسائل جریانهای مغشوش برشی بوده است. مقادیر زیادی اطلاعات در مورد انواع جریانها جمع آوری شده است که برای فهم توربلانس و طراحی وسائل مهندسی از آنها استفاده شده است. بوسیله کامپیوترهای سریع و پیشرفته امروزی و حافظه بالای آنها، شبیه سازی کامپیوتری نیز به روش سومند برای حل جریانهای مغشوش تبدیل گردیده است.

اما در عین حال باید به این نکته توجه زیادی داشت که انواع مقیاسهای (Scal) زیادی در جریان توربلا وجود دارد و در نتیجه ما نمی توانیم این مقیاسها را حتی بوسیله کامپیوترهای قوی امروزی حل نمائیم و ساختن مدلهایی برای مقیاسهای کوچک نوسانات که مرتبط با پروسه پخش انرژی می باشد غیر قابل صرف نظر می باشد.

برای شبیه سازی جریانهای مغشوش بوسیله حل عددی معادلات ناویر – استوک و پیوستگی و با توجه به تئوری توربلانس همگن مقیاس پخش انرژی ld برابر است با :

همان نرخ پخش انرژی بر واحد جرم سیال می باشد. آزمایشات نشان می دهد که توسط طول مشخصه L و سرعت مشخصه v جریان معین می گردد:

از بالا داریم:

, عدد

حال سعی می کنیم که تعداد نقاط مش (meshpoints) (N) که در شبیه سازی جریان های مغشوش با استفاده از روش F.D (المان محدود) و معادلات ناویر استوک و پیوستگی لازم می باشد را حدس بزنیم

از معادلات بالا:

در پدیده های طبیعی عدد Re عموماً بسیار بزرگ می باشد به طور مثال برای عدد ایندارز از مرتبه که غیر معمول هم نیست N از مرتبه بدست می آید اگر بخواهیم مستقیماً مسئله را حل کنیم لذا روش (Direct Numerial Simulaton) DNS حتی با کامپیوترهای امروزی در حل مسائل توربلانست کاربردی به نظر نمی رسد.

2- ایده اصلی LES:

فرض کنید که کسی بخواهد از روش DNS مسئله ای را حل نماید ولی تعداد مش مورد نیاز او از ظرفیت کامپیوتر تجاوز ننماید بنابراین وی مش درشت تری انتخاب می کند. این مش درشت تر می تواند ادی (eddy) های بزرگ را حل نماید ولی نمی تواند آنهایی که از یک یا دو سلول شبکه کوچکتر هستند را حل نماید. با توجه به این نکته حل شبکه بزرگتر بدون در نظر گرفتن تأثیر ادی های کوچکتر بر روی بزرگترها غلط می باشد. از 1 مدل ریز شبکه (Subgrid Sode) که بعداً مفصلاً توضیح می دهیم بوجود می آید.

پس در این مدل تنها کوچکترها مدل می شوند و روی های بزرگتر مستقیماً بدون مدل کردن بدست می آید مزیت این روش نسبت به روشهایی که کل میدان حل را مدل می کنند مثل روش متوسط گیری رینواند معادله نواویر استوک (PANS) در همین است چون این روشها در مسائل خاص مثل چرخش و با مشکلاتی مواجه هستند . اما روش LES به ما امکان حل مسائل پیچیده غیر همگن و ناپایدار را می دهد.

3- Filtering:

با توجه به ایده اصلی LES که در بخش قبل بیان گردید نیازمند آن هستیم که به گونه ای بین ساختارهای کوچک که حل نمی شوند و ساختارهای بزرگ که حل می گردند تمایز قائل شویم و در نهایت بتوانیم از U به (متوسط سرعت) برسیم.

برخلاف متوط گیری زمانی رینواند این یک عملگر مکانی می باشد.

در واقع روشهای RANS و LES متوسط گیری را در بعدهای مختلفی انجام دهیم می دهند. این اختلاف مانع از آن می شود که بتوان آنها را به راحتی به هم مرتبط کرد. کوششهای متعددی در این رابطه انجام گرفته است که بعداً به آن می پردازیم:

1-3) Schumann’s approach :

روش بالانس حجمی Schumann(1975) با ایجاد شبکه حجم محدود (F.V) شروع می شود. برای یافتن مقدار متوسط از فرمول زیر استفاده می کند.

در جهت داریم:

باید به این نکته بسیار مهم توجه کرد که در این روش اول میدان حل شبکه بندی شد و بعد معادله در هر ساختار اعمال گردید لذا مقادیر در هر بخشی از میدان یا روی سطوح آن ناپیوسته می باشد بنابراین تنها می تواند

تحقیق و بررسی در مورد خـازن‌ 14 ص

اختصاصی از سورنا فایل تحقیق و بررسی در مورد خـازن‌ 14 ص دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 16

خـازن‌

برداشته شده از Wiki pedia دایره المعارف رایگان :

خازن ابزاری است که انرژی در میدان الکتریکی دو هادی که دارای بار یکسان ولی مخالف هستند بوجود می آید ذخیره می کند .

خازن را گهگاه بنام اصطلاح قبلی آن که کندانسور است می خوانند .

1 ـ تاریخ

در حدود 600BC قبل از میلاد ثبت شد که یک یونانی باستانی بوسیله ساچمه توپ های کهربا بر روی محور جرقه تولید کند . این نتیجه ایجاد برق در اثر اصطکاک مالشی است.

جداسازی مکانیکی بار در دی الکتریک

این نتیجه اساس کار خازن است . در اکتبر 1745 Ewald Georg vonkleist اهل ژپومرانیا اولین خازن ثبت شده را اختراع کرد : یک لیوان دهن گشاد که درون و بیرون آن به وسیله فنر پوشانده شده است . پوشش بیرونی به میله أی که از وسط دریچه عبور می کرد و به کره ختم می شد متصل بود. Von kleist به طور نمایش و به وسیله لایه بندی جسم عایق بین دو صفحه فلزی چگالی بار را افزایش داد. قبل از اینکه کشف kleist بطور گسترده مشهور شود یک فیزیکدان هلندی به نام مستقلانه یک خازن مشابه را کشف کرده بود که در ژانویه سال 1747 آن خازن را به نام بطری لید نامید. این نام گذاری به یادبود دانشگاه لیدن که Van Musschenbroek در آن کار می کرد انجام شد.

Benjamin Franklin در مورد بطری لید به تحقیق پرداخت و بار ذخیره شونده در لیوان (نه در آب) را بهبود داد. در آغاز کار واحد ظرفیت "jars" (دقه زدن ، ضربه زدن) یک jar معادل 1 nF است .

به زودی لغت خازن همانند کندانسور مشهور شد. تا مدتی که هنوز گهگاه امروزه استفاده می شود که این لغت از لغت ولتا در 1782 (که از لغت condensatione استنتاج می شود) مسکوک شده است که به ابزاری که توانایی ذخیره چگالی بالای بار الکتریکی نسبه به القاگر عایق شدة معمولی را دارد اشاره دارد. بیشتر مردم بجز انگلیسی ها هنوز از نغت استنتاج شده از Condensatone استفاده می کردند مانند فرانسوی ها condensateur و آلمانی ها Kondensator

2 ـ فیزیک :

1 ـ بازنگری :

خازن شامل دو صفحه با الکترود می شود که هر یک از انها بار مخالفی را ذخیره می کند.

این دو صفحه هادی هستند و همچنین به وسیله یک نارسانا یا یک دی الکتریک از هم جدا شده اند بر روی سطح صفحات در مرز به وسیله أی الکتریک با ذخیره شده است. زیرا هر صفحه بار مساوی اما مختلف العلام در خود ذخیره می کند. کل بار خازن همیشه صفر است .

2ـ ظرفیت

ظرفیت خازن (C) با مقدار ( Q) ذخیره شده در هر صفحه بر اختلاف پتانسیل با ولتاژ (V) معین که بین دو صفحه به نظر می رسد اندازه گیری می شود.

در واحد SI یک خازن ظرفیت برابر یک فاراد دارد هنگامی که یک کولمب بار باعث اختلاف پتانسیل 1 ولت بین دو صفحه می شود چون یک فاراد یک واحد بزرگ است . ارزش خازن ها با میکرو فاراد و نانوفاراد بیان می شود.

ظرفیت با سطح صفحه رسانا رابطة مستقیم و با فاصله صفحات رابطة معکوس دارد. و همچنین با ثابت دی الکتریک نیز متناسب است ( که هیچ رسانایی ندارد) جسمی که دو صفحه را جدا می کند.

ظرفیت صفحه های موازی خازن بدست می آید با :

که ثابت دی الکتریک و A سطح صفحات خازن و d فاصله آنهاست.

3 ـ ذخیره انرژی

هنگامی که بارهای مخالف بر روی سطوح خازن ناشی از جداسازی بارها انباشته می شود ولتاژ سراسر خازن به علت میدان الکتریکی این بارها افزایش می یابد . هر افزایش بایستی بر خلاف افزایش الکتریکی هنگامی که بار بیشتری جدا می شود انجام می شود.

انرژی ( اندازه گیری می شود با ژول در SI ) ذخیره شده در خازن برابر است با میزان کار در مورد نیاز برای انتشار ولتاژ در سراسر خازن متعاقباً میدان الکتریکی انرژی ذخیره شده به صورت زیر بدست می آید .

که V ولتاژ سراسر خازن است

3 ـ در مدارهای الکتریکی

1 ـ در مدارهای DC

الکترون ها مستقیماً نمی توانند سراسر دی الکتریک را از یک صفحه به صفحه دیگر بگذرند. هنگامی که جریانی در خازن وجود دارد الکترون ها در روی یک صفحه انباشته شده و از صفحه دیگر انتقال می یابند. این فرآیند عرفاً " charging" خازن نامیده می شود ولو اینکه خازن در همه اوقات از نظر الکتریکی خنثی باشد. در

دانلود مقاله کامل درباره آفتابگردان 14 ص

اختصاصی از سورنا فایل دانلود مقاله کامل درباره آفتابگردان 14 ص دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 14

مقدمه

 خصوصیات گیاهی: آفتابگردان با نام علمی Helianthus annuus L . گیاهی است یکساله از تیره مرکبه Compositae که بصورت بوته ای استوار رشد می کند . طول دوره رشد آفتابگردان بسته به رقم و کلیه عوامل محیطی از 90 تا 150 روز می باشد . آفتابگردان ریشه مستقیم و توسعه یافته ای دارد که پتانسیل نفوذ آن در خاک به سه متر می رسد . پهنک برگهای که در معرض نور است همراه با خورشید تغییر جهت داده و همواره به حالت تقریباً عمود بر اشعه آفتاب قرار می گیرد . پهنک برگ هنگام صبح بسوی شرق ،‌هنگام غروب بطرف غرب و ظهر رو به بالا می باشد . گل آذین آفتابگردان طبق یا کپه ای است . لقاح به دلیل اینکه پرچمها زودتر بلوغ می یابد غالباً از نوع دگرگشنی است . میوه آفتابگردان نوعی فندقه است که در اینجا با دانه مترادف گرفته می شود . رنگ دانه از سفید تا سیاه با خاکستری خط دار و بسته به رقم تغییر می کند . هر چه درصد وزنی پوسته کمتر باشد درصد وزنی روغن بیشتر خواهد بود . سازگاری: آفتابگردان از نظر عکس العمل نسبت به طول روز بی تفاوت بشمار می رود ولی به نور فراوان نیاز دارد . آفتابگردان ریشه توسعه یافته ای دارد که گیاه را به خشکی مقاوم می سازد ، مشروط بر آنکه خاک عمیق بوده و تراکم و ساختمان خاک محدود کننده رشد ریشه نباشد . آفتابگردان به شوری خاک نسبتاً مقاوم است و در محدوده ای از اسیدیتیه خنثی رشد خوبی دارد . تناوب زراعی:موقعیت آفتابگردان در تناوب زراعی مشابه ذرت است و معمولاً بعد از بقولات علوفه ای بعنوان اولین یا دومین محصول وجینی کاشته می شود ، در صورت وجود و گسترش بیماریهای ریشه ای نبایستی با گیاهانی مانند نخود ، چغندر قند و سیب زمینی که بیماریهای ریشه ای مشابه دارد در تناوب قرار گیرد . مثالهایی از تناوب آن در شرایط آبیاری بشرح زیر است . علوفه چند ساله ـ پنبه ـ آفتابگردان ـ گندم ـ جو ـ آیش ـ شبدر ـ آفتابگردان ـ گندم ـ جو کود شیمیایی: تولید هر تن دانه آفتابگردان موجب خروج 40 تا 60 کیلو ازت ، 15 تا 33 کیلو اکسید فسفر( p2o5) و 75 تا 120 کیلو اکسید پتاسیم (K2o) از خاک می گردد . معمولاً ثلث تا نصب کود از ته را قبل از کاشت و بقیه را همراه با آخرین وجین مکانیزه به خاک اضافه و بلافاصله آبیاری می کنند . تاریخ کاشت: حداقل حرارت لازم برای جوانه زدن بذر آفتابگردان حدود 8 تا 10 درجه سانتیگراد در خاک است . معمولاً این حرارتها در خاک با رسیدن میانگین شبانه روزی حرارت هوا به 10 تا 15 درجه سانتیگراد تأمین می گردد . کنترل علفهای هرز: کنترل علفهای هرز با استفاده از علف کشها بسیار مطلوبست . از علف کشهایی که بصورت قبل از کاشت جهت کنترل بذر علفهای هرز مختلف در آفتابگردان قابل مصرف است می توان اپتام (Eptam) و تریفلور الین Ttifluralin را مورد اشاره قرار داد . این علف کشها را می توان قبل از پشته بندی روی خاک پاشید ، با دیسک تا عمق 10 سانتی متری با خاک مخلوط و سپس پشته بندی کرد . میزان مصرف اپتام 4 تا 5 لیتر از مولسیون 75 درصد و میزان مصرف تریفلورالین حدود 2/1 لیتر در خاکهای سبک ، 8/1 لیتر در خاکهای متوسط و 4/2 لیتر در خاکهای سنگین از امولسین 48 درصد می باشد . آفات و امراض: مهمترین آفت اختصاصی آفتابگردان در ایران پروانه دانه خوار آفتابگردان با نام علمی Homoeosoma nebulella است . لارو این پروانه به رنگ عمومی شکری و سر قهوه ای رنگ از برگ و گلها تغذیه و سپس به دانه حمله می کند . در هر حال می توان از سموم تیودان و دیازینون در دو نوبت یکی همزمان با تشکیل گلها و دیگری حجدود 10 روز بعد استفاده نمود . انهدام بقایای گیاهی آلوده از طریق سوزانیدن یا شخم بقایا جهت از بین بردن لاروها و شفیره های زمستان گذران مفید است . مؤثرترین روش مبارزه با این آفت استفاده از ارقام مقاوم است . حشرات دیگری که در ایران به آفتابگردان حمله می کند عبارتند از شب پره زمستانی ، سوسکهای گرده خوار و پروانه کار ادربنا . این آفت اهمیت اقتصادی زیادی ندارد . از بیماریهای مهم آفتابگردان در ایران می توان سفیدک داخلی وزنگ آفتابگردان را نام برد . عامل بیماری سفیدک داخلی قارچی است بنام Plasmopora helianthi که بوسیله خاک و بذر آلوده انتقال ،‌از طریق ریشه به نبات سرایت و بحال سیستمیک در می آید . مبارزه با این بیماری انتخاب بذر غیر آلوده ، ضد عفونی بذر با سموم قارچ کش مانند گرانوزان یا مرکوران به میزان 2 در هزار ، تناوب زراعی ، کندن و سوزاندن بقایای گیاهی آلوده و کشت ارقام مقاوم انجام پذیر است . عامل بیماری زنگ آفتابگردان قارچی است بنام Puccinia helianthi رشد و نمو این قارچ سب پیدایش لکه های برچسته و پراکنده ای به رنگ قهوه ای تیره در پشت برگها می گردد که در نهایت منجر به رد شدن و ریزش برگها می شود . مهمترین راه مقابله با این بیماری استفاده از ارقام مقاوم است . سمپاشی محصول با گل گوگرد یا ترکیبات قارچ کش دیگر در صورت اقتصادی بودن مؤثر است . برداشت:رسیدگی دانه ها بتدریج و از خارج طبق آغاز و بسمت داخل ادامه می یابد . برداشت زود هنگام موجب افت عملکرد و تأخیر در برداشت موجب ریزش و افزایش خسارت پرندگان ، بخصوص گنجشک می گردد . بطور کلی ، برداشت هنگامی انجام می شود که پشت طبق به رنگ زرد مایل به قهوه ای درآمده و برگکهای کناری طبق قهوه ای شده باشد . موارد استفاده: دو مصرف اصلی دانه آفتابگردان بصورت روغن گیری و مصرف آجیلی است .انواع آجیلی دانه درشت تری نسبت به انواع روغنی داشته و حدود 25 تا 20 در صد روغن دارد . میزان پروتئین دانه در آفتابگردان حدود 17 درصد است . ظاهراً هر چه دوران رسیدگی دانه با هوای خنک تری روبرو گردد بر درصد اکسید چرب اشباع لینولائیک در روغن اضافه می شود و بر ارزش غذایی آن افزوده می گردد . ساقه آفتابگردان فیبر زیادی داشته و در صنعت کاغذ سازی و تهیه سلولز مصرف دارد . ساقه از نظر ازت ، کلسیم و پتاسیم نیز غنی است و اضافه کردن آن به خاک موجب افزایش ماده آلی و حاصلخیزی خاک می گردد

تحقیق و بررسی در مورد ترانزیستر 14 ص

اختصاصی از سورنا فایل تحقیق و بررسی در مورد ترانزیستر 14 ص دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 14

ترانزیستور

12.‌‌1 مقدمه

در فصل گذشته با ساختمان اتمی کریستال‌های نیمه هادی و اتصال PN آشنا شدیم. در این فصل به مطالعه یکی دیگر از قطعات مهم اکترونیکی یعنی ترانزیستور می‌پردازیم. در ترانزیستور پیوندی هم الکترون‌ها و هم حفره‌ها در ایجاد جریان دخالت دارند. بدین لحاظ این نوع ترانزیستور را پیوندی دو قطبی BJT (Bipolar Junction Transistor) می‌نامند. در بخش اول این فصل به بررسی ساختمان ترانزیستور می‌پردازیم و بخش‌های بعدی را به عملکرد ترانزیستور در مدارات تقویت کننده اختصاص خواهیم داد.

12.‌‌‌2 ساختمان ترانزیستور

یک ترانزیستور پیوندی از سه کریستال نیمه هادی نوع N و P که در کنار هم قرار می‌گیرند، تشکیل شده است. با توجه به نحوه قرار گرفتن نیمه‌هادی‌ها در کنار هم ترانزیستور به دو صورت NPN و PNP خواهند بود. در شکب 12.‌‌1 ترانزیستورهای PNP و NPN بطور شماتیک نشان داده شده است. در مدارات الکترونیکی ترانزیستورهای NPN و PNP را با علامت اختصاری شکل 12.‌‌2 نمایش می‌دهد. پایه‌های خروجی ترانزیستور به ترتیب امیتر (منتشر کننده)، بیس (پایه) و کلکتور (جمع کننده) نام دارد. امیتر (Emiter) را با حرف E، بیس (Base) را با حرف B و کلکتور (Collector) را با حرف C نشان می‌دهند.

شکل 12.‌1 نمایش شماتیک ساختمان ترانزیستور

12.‌3 تغذیه (بایاسینگ) ترانزیستور

برای اینکه بتوان از ترانزیستور به عنوان تقویت کننده استفاده نمود، ابتدا باید ترانزیستور را از نظر ولتاژ dc تغذیه نمود. عمل تغذیه ولتاژ پایه‌های ترانزیستور را بایاسینگ می‌نامند. برای درک این مطالب ترانزیستور بایاس شده شکل 12.‌3 را مورد مطالعه قرار می‌دهیم. این نحوه بایاتس ترانزیستور را اصطلاحاً بایاس در ناحیه فعال می‌نامند. در اکثر تقویت کننده‌های خطی ترانزیستور در ناحیه فعال بایاس می‌شود. در ناحیه فعال اتصال بیس ـ‌ امیتر به صورت مستقیم و اتصال کلکتور ـ بیس به صورت معکوس بایاس می‌گردد. برای اینکه بتوانیم از ترانزیستور به عنوان تقویت کننده سیگنال‌های الکتریکی و یا .... استفاده کنیم، باید ترانزیستور را با ولتاژ dc تغذیه نمود. در هرحالت، ولتاژهایی که به قسمت‌های مختلف ترانزیستور باید اعمال شود، فرق می‌کند. ولتاژی که بین پایه‌های بیس و امیتر قرار می‌گیرد، با VBE نشان می‌دهند و مقدار آن برابر 7/0 ولت می‌باشد. ولتاژی که در قسمت کلکتور ـ‌ بیس قرار می‌گیرد با VCB، ولتاژی که بین کلکتور ـ امیتر وصل می‌شود با VCE نشان می‌دهیم. شکل 12.‌4 ولتاژهای قسمت‌های مختلف ترانزیستور را نشان می‌دهد.

شکل 12.‌2 علامت مداری ترانزیستور

شکل 12.‌3 بایاس ترانزیستور PNP در ناحیه فعال

12.‌4 جریان ترانزیستور

جریانی که از کلکتور عبور می‌کند با IC و جریانی که از بیس عبور می‌کند با IB و جریانی که از امیتر عبور می‌کند را با IE نشان می‌دهند. همانطور که در شکل 12.‌3 نشان داده شده است، جریانی که از امیتر عبور می‌کند به دو انشعاب تقسیم می‌شود. قسمت بسیار کمی از جریان از بیس و قسمت اعظم آن از کلکتور عبور می‌کند. لذا جریان امیتر برابر است با:

IE = IB + IC (1.2)

معادله جریان کلکتور در ناحیه فعال به صورت زیر می‌باشد:

IC = βIB (2.12)

که در آن β بهره جریان امیتر مشترک می‌نامند. معمولاً وقتی ترانزیستور در ناحیه فعال باشد، جریان کلکتور با جریان امیتر متناسب است. ضریب این تناسب را با α نشان می‌دهند.

شکل 12.‌4 نمایش ولتاژهای مختلف ترانزیستور

IC = αIE (3.12)

مقدار α برای ترانزیستورهای مختلف بین 9/0 تا 98/0 تغییر می‌کند و به آن بهره جریان سیگنال بزرگ مدار بیس مشترک می‌نامند.

12.‌5 منحنی مشخصه خروجی ترانزیستور

در مدار امیتر مشترک (بعداً توضیح داده خواهد شد) منحنی مشخصه خروجی ترانزیستور، رابطه بین جریان و ولتاژ خروجی (ICE, VCE) به ازای مقادیر مختلف جریان ورودی (IB) را نشان می‌دهد. در شکل 12.‌5 منحنی مشخصه خروجی ترانزیستور نمایش داده شده است. مشخصه خروجی ترانزیستور در این مدار را می‌توان به سه ناحیه فعال، قطع و اشباع تقسیم‌بندی نمود.

ناحیه فعال: ناحیه‌ای است که در ان اتصال بیس ـ‌ امیتر در حالت هدایت و اتصال کلکتور ـ ‌بیس در حالت قطع باشت. بخش بالای IB1=0 و سمت راست خط VCEVCE(sat)=0.1V را ناحیه فعال تشکیل می‌دهد. در این ناحیه ترانزیستور تقریباً به صورت خطی عمل می‌کند. معمولاً برای ترانزیستور سیلیکن VCE(sat)=0.2V و برای ترانزیستور ژرمانیم VCE(sat)=0.1V درنظر گرفته می‌شود.

ناحیه قطع: ناحیه‌ای است که در آن هر دو اتصال بیس ـ امیتر و کلکتور ـ بیس در حالت قطع باشد. در این حالت در کلکتور، هیچ جریانی نبوده و IC=0 می‌باشد. در مشخصه خروجی ناحیه قطع، ناحیه زیر منحنی IB1=0 است.

دانلود مقاله کامل درباره حافظه مجازی 14 ص

اختصاصی از سورنا فایل دانلود مقاله کامل درباره حافظه مجازی 14 ص دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 14

حافظه مجازی چیست؟

حافظه مجازی یکی ازبخش های متداول در اکثر سیستم های عامل کامپیوترهای شخصی است . سیستم فوق با توجه به مزایای عمده، بسرعت متداول و با استقبال کاربران کامپیوتر مواجه شده است .

اکثر کامپیوترها در حال حاضر از حافظه های محدود با ظرفیت 64 ، 128 و یا 256 مگابایت استفاده می نمایند. حافظه موجود در اکثر کامپیوترها بمنظور اجرای چندین برنامه بصورت همزمان توسط کاربر ، پاسخگو نبوده و با کمبود حافظه مواجه خواهیم شد. مثلا" در صورتیکه کاربری بطور همزمان ، سیستم عامل ، یک واژه پرداز ، مرورگر وب و یک برنامه برای ارسال نامه الکترونیکی را فعال نماید ، 32 و یا 64 مگابایت حافظه، ظرفیت قابل قبولی نبوده و کاربران قادر به استفاده از خدمات ارائه شده توسط هر یک از نرم افزارهای فوق نخواهند بود. یکی از راهکارهای غلبه بر مشکل فوق افزایش و ارتقای حافظه موجود است . با ارتقای حافظه و افزایش آن ممکن است مشکل فوق در محدوده ای دیگر مجددا" بروز نماید. یکی دیگر از راهکارهای موجود در این زمینه ، استفاده از حافظه مجازی است

در تکنولوژی حافظه مجازی از حافظه های جانبی ارزان قیمت نظیر هارد دیسک استفاده می گردد. در چنین حالتی اطلاعات موجود در حافظه اصلی که کمتر مورد استفاده قرار گرفته اند ، از حافظه خارج و در محلی خاص بر روی هارد دیسک ذخیره می گردند. بدین ترتیب بخش ی از حافظه اصلی آزاد و زمینه استقرار یک برنامه جدید در حافظه فراهم خواهد شد. عملیات ارسال اطلاعات از حافظه اصلی بر روی هارد دیسک بصورت خودکار انجام می گیرد.

[ویرایش] مسئله سرعت

سرعت خواندن و نوشتن اطلاعات بر روی هارد دیسک بمراتب کندتر از حافظه اصلی کامپیوتر است . در صورتیکه سیستم مورد نظر دارای عملیاتی حجیم در رابطه با حافظه مجازی باشد ، کارآئی سیستم بشدت تحت تاثیر قرار خواهد گرفت . در چنین مواردی لازم است که نسبت به افزایش حافظه موجود در سیستم ، اقدام گردد. در مواردی که سیستم عامل مجبور به جابجائی اطلاعات موجود بین حافظه اصلی و حافظه مجازی باشد ( هارد دیسک ) ، باتوجه به تفاوت محسوس سرعت بین آنها ، مدت زمان زیادی صرف عملیات جایگزینی می گردد. در چنین حالتی سرعت سیستم بشدت افت کرده و عملا" در برخی حالات غیرقابل استفاده می گردد.

محل نگهداری اطلاعات بر روی هارد دیسک را یک Page file می گویند. در فایل فوق ، صفحات مربوط به حافظه اصلی ذخیره و سیستم عامل در زمان مورد نظر اطلاعات فوق را مجددا" به حافظه اصلی منتقل خواهد کرد. در ماشین هائی که از سیستم عامل ویندوز استفاده می نمایند ، فایل فوق دارای انشعاب swp است .

[ویرایش] پیکربندی حافظه مجازی

ویندوز 98 دارای یک برنامه هوشمند برای مدیریت حافظه مجازی است . در زمان نصب ویندوز ، پیکربندی و تنظیمات پیش فرض برای مدیریت حافظه مجازی انجام خواهد شد. تنظیمات انجام شده در اغلب موارد پاسخگو بوده و نیازی به تغییر آنها وجود نخواهد داشت . در برخی موارد لازم است که پیکربندی مدیریت حافظه مجازی بصورت دستی انجام گیرد. برای انجام این کار در ویندوز 98 ، گزینه System را از طریق Control panel انتخاب و در ادامه گزینه Performance را فعال نمائید. در بخش Advanced setting ، گزینه Virtual memory را انتخاب نمائید.

با نمایش پنجره مربوط به Virtual Memory ، گزینه "Let me specify my own virtual memory setting" را انتخاب تا زمینه مشخص نمودن مکان و طرفیت حداقل و حداکثر فایل مربوط به حافظه مجازی فراهم گردد..در فیلد Hard disk محل ذخیره نمودن فایل و درفیلد های دیگر حداقل و حداکثر ظرفیت فایل را بر حسب مگابایت مشخص نمائید. برای مشخص نمودن حداکثر فضای مورد نیاز حافظه مجازی می توان هر اندازه ای را مشخص نمود . تعریف اندازه ائی به میزان دو برابر حافظه اصلی کامپیوتر برای حداکثر میزان حافظه مجازی توصیه می گردد.

میزان حافظه موجود هارد دیسک که برای حافظه مجازی در نظر گرفته خواهد شد بسیار حائر اهمیت است . در صورتیکه فضای فوق بسیار ناچیز انتخاب گردد ، همواره با پیام خطائی مطابق "Out of Memory" ، مواجه خواهیم شد. پیشنهاد می گردد نسبت حافظه مجازی به حافظه اصلی دو به یک باشد. یعنی در صورتیکه حافظه اصلی موجود 16 مگابایت باشد ، حداکثر حافظه مجازی را 32 مگابایت در نظر گرفت .

یکی از روش هائی که بمنظور بهبود کارائی حافظه مجاری پیشنهاد شده است ، ( مخصوصا" در مواردیکه حجم بالائی از حافظه مجازی مورد نیاز باشد ) در نظر گرفتن ظرفیت یکسان برای حداقل و حداکثر انداره حافظه مجازی است . در چنین حالتی در زمان راه اندازی کامپیوتر، سیستم عامل تمام فضای مورد نیاز را اختصاص و در ادامه نیازی با افزایش آن همزمان با اجرای سایر برنامه ها نخواهد بود. در چنین حالتی کارآئی سیستم بهبود پیدا خواهد کرد .

یکی دیگر از فاکتورهای مهم در کارآئی حافظه مجازی ، محل فایل مربوط به حافظه مجازی است . در صورتیکه سیستم کامپیوتری دارای چندین هارد دیسک فیزیکی باشد ، ( منظور چندین درایو منظقی نیست ) می توان حجم عملیات مربوط به حافظه مجازی را بین هر یک از درایوهای فیزیکی موجود توزیع کرد. روش فوق در مواردیکه از حافظه مجازی در مقیاس بالائی استفاده می گردد ، کارآئی مطلوبی را بدنبال خواهد داشت.

حافظه مجازی یکی ازبخش های متداول در اکثر سیستم های عامل کامپیوترهای شخصی است .

 سیستم فوق با توجه به مزایای عمده، به‌سرعت متداول و با استقبال کاربران کامپیوتر مواجه شده است . اکثر کامپیوترها در حال حاضر از حافظه های محدود با ظرفیت 64 ، 128 و یا 256 مگابایت استفاده می‌کنید. حافظه موجود در اکثر کامپیوترها بمنظور اجرای چندین برنامه به‌صورت همزمان توسط کاربر ، پاسخگو نبوده و با کمبود حافظه مواجه خواهیم شد. مثلا" در صورتی‌که کاربری به‌طور همزمان ، سیستم عامل ، یک واژه پرداز ، مرورگر وب و یک برنامه برای ارسال نامه الکترونیکی را فعال کنید ، 32 و یا 64 مگابایت حافظه، ظرفیت قابل قبولی نبوده و کاربران قادر به استفاده از خدمات ارایه شده توسط هر یک از نرم افزارهای فوق نخواهند بود. یکی از راهکارهای غلبه بر مشکل فوق افزایش و ارتقای حافظه موجود است . با ارتقای حافظه و افزایش آن ممکن است مشکل فوق در محدوده ای دیگر مجددا" بروز کند. یکی دیگر از راهکارهای موجود در این زمینه ، استفاده از حافظه مجازی است . در تکنولوژی حافظه مجازی از حافظه های جانبی ارزان قیمت نظیر هارد دیسک استفاده می‌شود. در چنین حالتی اطلاعات موجود در حافظه اصلی که کمتر مورد استفاده قرار گرفته اند ، از حافظه خارج و در محلی خاص بر روی هارد دیسک ذخیره می‌گردند. بدین ترتیب بخش ی از حافظه اصلی آزاد و زمینه استقرار یک برنامه جدید در حافظه فراهم خواهد شد. عملیات ارسال اطلاعات از حافظه اصلی بر روی هارد دیسک به‌صورت خودکار انجام می‌گیرد. مساله سرعت سرعت خواندن و نوشتن اطلاعات بر روی هارد دیسک به‌مراتب کندتر از حافظه اصلی کامپیوتر است. در