دانلود تحقیق لزوم استفاده از حسابداری رایانه ای در شرکتهای بیمه

اختصاصی از سورنا فایل دانلود تحقیق لزوم استفاده از حسابداری رایانه ای در شرکتهای بیمه دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

فرمت فایل:  ورد ( قابلیت ویرایش ) 

---

قسمتی از محتوی متن ...

تعداد صفحات : 39 صفحه

حسابداری رایانه ای در شرکتهای بیمه اهم مواردی که در عملیات حسابداری شرکتهای خدمات بیمه‌ای پرداخته می شود 1- لزوم انجام عملیات حسابداری بصورت رایانه ای و اعلام مشخصات نرم افزار: امروزه انجام امور حسابداری بدون بهره گیری از امکانات رایانه ای با توجه به حجم عملیات و تنوع گزارشات مورد نیاز تقریباً غیر ممکن گردیده است در این راستا نتایج حاصل از بررسیهای فراوان و مرور راه حلهای متعدد لزوم استفاده از نرم‌افزار واحد و یکسان جهت ثبت عملیات مالی مربوط به دسته اول (عملیات فنی بیمه) را در کلیه شرکتهای بیمه به اثبات رسانیده است.
لذا کلیه شرکتهای نمایندگی یک شرکت بیمه جهت ثبت عملیات بیمه گری صرفاً می بایست از یک نرم افزار استفاده نمایند. نکات مهم: الف) استفاده از یک نرم افزار قطعاً مانع از بکارگیری سایر نرم افزارهای مورد نیاز شرکتها جهت پوشش عملیات پشتیبانی و عمومی و مسائل مرتبط آنها با بازاریابان و غیره نخواهد شد. ب) با توجه به اهمیت انجام عملیات حسابداری بصورت رایانه ای و اعلام مشخصات نرم افزار کلیه شرکتها می بایست نسبت به نصب نرم افزار حسابداری اقدام کنند. ج) به منظور حفظ یکنواختی هرگونه تغیر اساسی در نرم افزار باید با هماهنگی شعب و واحدهای حسابداری و انفورماتیک آنها صورت پذیرد. 2- لزوم معرفی مدیر مالی یا حسابدار (مسئول عملیات حسابداری و مالی) به مجتمعها: از آنجایی که کنترل عملیات مالی شرکتهای نمایندگی از اهمیت بسیار بالایی برخوردار می باشد و حسب تجارب گذشته نیز یکی از مشکلات بسیار جدی و عامل اصلی ایجاد مغایرات فیمابین، شخصی و ثابت نبودن «مسئول عملیات مالی» شرکتهای نمایندگی بوده است لذا مشخصات «مسئول عملیات مالی و حسابداری» شرکتها باید طی معرفی نامه ای، با امضا مدیر عامل شرکت نمایندگی به مجتمع ها اعلام گردیده و حضور فرد مذکور در جلسات توجیهی و آموزشی نیز به عنوان تکالیف قطعی ایشان تعریف گردد ضمناً هرگونه جابجائی در این خصوص می بایست با هماهنگی صورت پذیرد بدیهی است شرکتهای نمایندگی در انتخاب عزل و نصب این افراد مختار می‌باشند و لیکن هماهنگی با مجتمعها اجباری خواهد بود.
علی ایحال مسئولیت نهایی حسابهای شرکت نمایندگی بعهده مدیرعامل و هیئت مدیره شرکت نمایندگی خواهد بود. 3- نگهداری اسناد و مدارک حسابداری بصورت مدون: از آنجائیکه اسناد و مدارک حسابداری می بایست بصورت دقیق طبقه بندی شده و قابل دسترسی باشد لذا فدوریست اسناد و مدارک حسابداری شرکت نمایندگی صحافی گردیده و در محل شرکت نمایندگی نگهداری گردد به نحوی که همواره امکان دسترسی به آنها مقدور باشد ضمناً این موضوع بایستی هنگام ایجاد تغییرات اساسی در مدیریت شرکت نمایندگی مورد کنترل قرار گرفته و نسخه ای از صورتجلسه تحویل و تحول برای واحد اجرائی ذیربط (مجتمع‌ها) ارسال گردد. 4- افتتاح حساب بانکی(جاری دریافت بیمه‌‌گری و جاری پرداخت بیمه‌گری): جاری دریافت بیمه گری 1-4- با توجه به اهمیت انجام عملیات بانکی نزدیک بانک مشخص کلیه شرکتهای نمایندگی می بایست همراه با تکمیل تعهدنامه مخصوص که نمونه آن توسط واحد اجرائی ذیربط (مجتمع‌ها) تحویل می شود نسبت به افتتاح یک فقره حساب جاری که از این پس “حساب دریافت بیمه گری” نامیده می شود اقدام نمایند.
شرایط و خصوصیات حساب مذکور به شرح ذیل می باشد: 1-1-4- افتتاح حساب مس

متن بالا فقط تکه هایی از متن به صورت نمونه در این صفحه درج شده است.شما بعد از پرداخت آنلاین فایل را فورا دانلود نمایید

بعد از پرداخت ، لینک دانلود را دریافت می کنید و ۱ لینک هم برای ایمیل شما به صورت اتوماتیک ارسال خواهد شد.

مقاله کاربرد رایانه در الکترونیک

اختصاصی از سورنا فایل مقاله کاربرد رایانه در الکترونیک دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

 لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

    فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

    تعدادصفحه:14

نرم افزار پروتل علاوه بر قابلیت ترسم شماتیک و PCP مدارهای الکتریکی و الکترونیکی قابلیت دیگری نیز دارد شبیه سازی- تحلیل و آنالیز مدارهای الکتریکی و الکترونیکی را می توان جزء مهم ترین وظایف نرم افزار پروتل نام برد جهت استفاده از بخش شبیه ساز نرم افزار پروتل باید فقط از المان های موجود در کتاب خانه ی پی اس یا یس ( PS PI CE) یا کتابخانه ی شبیه سازی سی مولیش (Sim) استفاده نمود.

نرم افزار پروتل قابلیت ذخیره سازی اطلاعات به دو شیوه ی متفاوت را دارد نخست به صورت بانک های اطلاعاتی و دیگری به صورت فایل های منفرد ویندوز جهت ترسم مدارد مورد نظر برای آنالیز و شبیه سازی در کادر New Doument که از منوی فایل و انتخاب گزینه ی New در این منو ایجاد شده است آیکن Schentic Docemnt را انتخاب می نماییم. بعد از ورود به صفحه ی کادری شماتیک کلید کتاب خانه های موجود را بسته و فقط کتابخانه ی Sim باید فعال باشد.

برای حذف و کتاب خانه های باز در قسمت Brows she دکمه Add/ Remov را باید انتخاب کرد.

جهت جذف کتاب خانه ها بعد از انتخاب آنها در قسمت پایین کادر chang lirary دکمه ی Remow در انتهای این کادر انتخاب می شود و هم چنین برای انتخاب خانه ی شبیه سازی از دکمه ی Add در انتهای کادر فوق استفاده می شود. فایل های کتاب خانه­ی شبیه سازی عبارتند از splce. Dd, simdd.b .

بعد از گشودن کتاب خانه آلمان های مورد نظر در مجموعه های کوچک تر بوده که دارای پسوند Lib می باشند که با انتخاب مناسب آن می توان المان های مورد نظر را به صفحه ی شماتیک منتقل کرد.

در صفحه ی کادری شماتیک پروتل با المان های موجود در کتاب خانه Sim اقدام به ترسیم مدار الکتریکی مورد نظر می نماییم در این میان در نظر گرفتن چند نکته مهم است.

• ارتباط الکتریکی المان ها در آرایش مداری باید با صحت و دقت و در قسمت shem به یکدیگر متصل گردد.
• همه ی المان ها علاوه بر اینکه دارای نام هستند باید مقادیر الکتریکی آنها مشخص گردد.
• شبکه ی الکتریکی مورد نظر باید دارای اتصال زمین (grand) باشد.
• نقاطی از شبکه که تحلیل و آنالیز آنها ضروری می باشد باید بر چسب گذاری گردد به عبارتی با انتخاب Net های مناسب این کار صورت می گیرد و بعداً از کامل نمودن شبکه ی مورد نظر از منوی simalat آخرین گزینه ی مربوط یعنی setup را انتخاب می نماییم که منجر به باز شدن کادر آنالیز پروتل می گردد.

تمایلی قابلیت های آنالیز مدارهای الکتریکی در کادر Ahalyse setua خلاصه شده است که عبارت اند.

1- تحلی DC مدار             2- تحلیل دمای مدار            3- تابع انتقال

4- مونت کارلو                  5- تحلیل فوربه و حالت گذرا

6-تحلیل سیگنال کوچک مدار                   7- تحلیل نویز                   

8- تحلیل پارامتری شبکه ها                     9- تعیین نقطه ی کادر DC مدار

جهت شروع تحلیل در سربرگ جنرال از کادر Ahaly ses se شبیه سازی های مورد نظر را انتخاب می کنیم.

دانلود تحقیق کامل درباره کاربرد رایانه در برق

اختصاصی از سورنا فایل دانلود تحقیق کامل درباره کاربرد رایانه در برق دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 17

مدار شماره 1

در مدارهای زیر الف) پتانسیل گره ها ب) جریان شاخه ها ج) توان هر یک از عناصر را بدست آورید. ابتدا برنامه را اجرا کرده وقتی محیط برای کار آماده شد مدار را رسم می کنیم. برای ترسیم مدار از کتابخانه Analog المان R (مقاومت را در محیط ترسیم قرار می دهیم و بعد از آن در همین کتابخانه منبع جـریان وابستـه بـه جریان F را در محـیط کـار قرار می دهـیم و در کتابخانه Source که مربوط به منابع می باشد منبع ولتاژ DC به نام VDC را در مدار قرار می دهیم و بعد از آن با استفاده از Place wire مدار را رسم می کنیم و زمین را که با نام O/Source مشخص شده است در جای خود قرار داده و برای تغییر مقدار مقاومت و مقدار منبع با دبل کلیک کردن روی مقدار پیش فرض آن مقدار مورد نیاز را واردمی نماییم و برای تعیین ضریب وابستگی منابع وابسته با دبل کلیک کردن بر روی آنها در قسمت Gain ضریب وابستگی را مشخص می کنیم و سپس خارج می شویم و بعد از ترسیم باید آن را آنالیز می کنیم.

بعد از آن وارد قسمت محیط آنالیز می شویم و در قسمت Analyses type نوع آنالیز را مشخص می کنیم

و بعد از آن گزینه Run را اجرا می کنیم ومی توان ولتاژ جریان و توان راباانتخاب گزینه های V و I و W مشاهده نمود.

1ـ پتانسیل گره ها

2ـ جریان شاخه ها

3ـ توان عناصر

مدار شماره 2

بعد از اجرای برنامه هنگامی که محیط برای کار آمداه شد مدار را رسم کرده

پتانسیل گره ها جریان شاخه ها

توان عناصر

آنالیز در حوزه زمان Time domain :

توسط این آنالیز می توان پتانسیل گره ها، جریان هر المان و توان المان را توسط شکل موج ملاحظه کرد ترانزیستور

در مدار شکل زیر توسط آنالیز Bias point نقطه کار شامل IB، IE، IC، VBC و VCE را بدست آورید. سپس مدار را در حوزه زمان آنالیز نموده و موارد خواسته شده را اندازه گیری کنید.

برای ترسیم مدار از کتابخانه Analog مقاومت R و خازن C-elect و از کتابخانه Source منبع ولتاژ سینوسی (VSIN) ترانزیستور Q2N2219 و از کتابخانه Bipolar انتخاب کرده و در محیط کار قرار می دهیم و سپس توسط گزینه Place wire مدار را ترسیم می کنیم و زمین را که به نام O/Source مشخص شده است در جای مناسب قرار می دهیم و ظرفیت مقاومت ها و خازن ها را با دابل کلیک کردن بر روی مقدار ظرفیتی که از پیش انتخاب شده است مقدار ظرفیت مورد نیاز را وارد می کنیم و برای منبع ولتاژ سینوسی مقدار Freq=1K,VAMPL=10mv,Voff=0 را با دابل کلیک کردن روی آنها مقدار لازم را وارد می کنیم و با استفاده از (Vin) Place Netaliul و (Voo) در روی مدار مشخص می کنیم.

بعد از آن گزینه New Simulation Profile را در بالای صفحه انتخاب کرده و سپس نامی را برای آنالیز انتخاب می کنیم.

و وارد محیط آنالیز می شویم و نوع آنالیز را Bias Point انتخاب کرده و OK را می زنیم. و سپس Run را اجرا می کنیم و با انتخاب این گزینه در بالای صفحه VCE و VBE را بدست می آوریم. و سپس با فعال کردن گزینه I جریان IB و IC و IE را بدست می آوریم.

سپس مدار را در حوزه زمان آنالیز می کنیم و موارد زیر را بدست می آوریم.

1ـ IB و IC و IE 2ـ شکل موج ورودی با اندازه 3ـ شکل موج خروجی با اندازه 4ـ محاسبه ضریب تقویت ولتاژ 5ـ محاسبه مقاومت خروجی تقویت کننده 6ـ ضریب تقویت جریان 7ـ مقاومت ورودی تقویت کننده برای آنالیز در حوزه زمان ابتدا نامی را برای آنالیز انتخاب می کنیم.

سپس نوع آنالیز را Time Domain انتخاب می کنیم و سپس مقدار مطلوب را برای Run to Time و Maximum Step Size انتخاب می کنیم و OK را می زنیم.

1ـ برای بدست آوردن جریان پایه بیس IB کرسر جریان را بروی پایه بیس قرار می دهیم و مدار را Run می کنیم. 2ـ برای بدست آوردن جریان پایه امیتر IE کرسر جریان را را روی پایه امیتر قرار داده و مدار را Run می کنیم. 3ـ برای بدست آوردن جریان پایه کلکتور IC کرسر جریان را روی پایه کلکتور قرار داده و مدار را Run می کنیم.

4ـ شکـل مـوج ورودی با انـدازه کرسر ولتاژ را در قسمت ورودی مدار Vin قرار داده و مدار را Run می کنیم.

5ـ برای رسم شکل موج خروجی با اندازه کرسر ولتاژ را در قسمت خروجی مدار Voo قرار داده و مدار را Run می کنیم.

6ـ برای محاسبه ضریب تقویت ولتاژ باید ولتاژ خروجی را تقسیم بر ولتاژ ورودی کرد.

7ـ مقاومت خروجی تقویت کننده را با استفاده از رابطه زیر بدست می آوریم.

با وارد کردن RL=1000meG مقدار Vooرا بدست می آوریم.

ضریب تقویت جریان برابر است با

Io برابر است با

Ii برابر است با

مقاومت روی تقویت کننده برابر است با

آنالیز DC Sweep

دیود معمولی

مدار را رسم نموده و منحنی مشخصه دیود را با استفاده از آنالیز DC Sweep بدست می آوریم. بعد از اجرای برنامه مدار را ترسیم می کنیم و برای ترسیم مدار از کتابخانه Analog مقاومت و از کتابخانه Diode دیود 1N4376 و از کتابخانه Source منبع VSC را انتخاب نموده و توسط گزینه Place wire مدار را ترسیم می کنیم و برای تعیین ظرفیت مقاومت با دابل کلیک کردن روی مقدار پیش فرض مقدار جدید را وارد می کنیم و در منبع VSRC مقدار DC را 1.V انتخاب می کنیم. سپس زمین را با نام O/Source در جای

دانلود مقاله کامل درباره قانون جرایم رایانه ای

اختصاصی از سورنا فایل دانلود مقاله کامل درباره قانون جرایم رایانه ای دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 22

فهرست

بخش یکم ـ جرائم و مجازات‌ها 2

مبحث سوم ـ جاسوسی رایانه‎ ای 2

مبحث یکم ـ جعل رایانه ای 4

فصل سوم ـ‌ سرقت و کلاهبرداری مرتبط با رایانه 5

فصل چهارم ـ جرایم علیه عفت و اخلاق عمومی 6

فصل پنجم ـ هتک حیثیت و نشر اکاذیب 7

فصل ششم ـ مسئولیت کیفری اشخاص 8

فصل هفتم ـ سایر جرائم 12

فصل هشتم ـ تشدید مجازات‌ها 12

بخش دوم ـ آیین دادرسی 14

فصل یکم ـ‌ صلاحیت 14

فصل دوم ـ جمع ‌آوری ادله الکترونیکی 15

مبحث اول ـ نگهداری داده‌ ها 15

مبحث سوم ـ‌ ارائه داده‌ ها 17

مبحث چهارم ـ تفتیش و توقیف داده‌ ها و سیستم‌ های رایانه‌ ای و مخابراتی 17

مبحث پنجم ـ شنود محتوای ارتباطات رایانه ای 20

فصل سوم ـ استنادپذیری ادله الکترونیکی 20

بخش سوم ـ سایر مقررات 21

متن کامل قانون جرائم رایانه‌ ای

بخش یکم ـ جرائم و مجازات‌ها

فصل یکم ـ‌ جرائم علیه محرمانگی داده‌ ها و سیستم‌ های رایانه‌ ای و مخابراتی

‎‎‎مبحث یکم ـ دسترسی غیرمجاز

‎‎‎ماده (1) هرکس به طور غیرمجاز به داده ‎ها یا سیستم های رایانه ‎ای یا مخابراتی که به وسیله تدابیر امنیتی حفاظت شده است دسترسی یابد، به حبس از نود و یک روز تا یک سال یا جزای نقدی از پنج تا بیست میلیون ریال یا هر دو مجازات محکوم خواهد شد.

‎‎‎مبحث دوم ـ شنود غیرمجاز

‎‎‎ماده (2) هرکس به طور غیرمجاز محتوای در حال انتقال ارتباطات غیرعمومی در سیستم های رایانه ای یا مخابراتی یا امواج الکترومغناطیسی یا نوری را شنود کند، به حبس از شش ماه تا دو سال یا جزای نقدی از ده تا چهل میلیون ریال یا هر دو مجازات محکوم خواهد شد.

مبحث سوم ـ جاسوسی رایانه‎ ای

‎‎‎ماده (3) هرکس به طور غیرمجاز نسبت به داده ای سری در حال انتقال یا ذخیره شده در سیستم های رایانه ای یا مخابراتی یا حامل های داده مرتکب اعمال زیر شود،‌ به مجازات های مقرر محکوم خواهد شد:

الف) دسترسی به داده ای مذکور یا تحصیل آنها یا شنود محتوای سری در حال انتقال، به حبس از یک تا سه سال یا جزای نقدی از بیست تا شصت میلیون ریال یا هر دو مجازات.

ب) در دسترس قرار دادن داده ای مذکور برای اشخاص فاقد صلاحیت، به حبس از دو تا ده سال.

ج) افشا یا در دسترس قرار دادن داده ای مذکور برای دولت، سازمان، شرکت یا گروه بیگانه یا عاملان آنها، به حبس از پنج تا پانزده سال.

تبصره 1ـ داده ای سری داده ای است که افشای آنها به امنیت کشور یا منافع ملی لطمه می‎زند.

تبصره 2ـ آئین نامه نحوه تعیین و تشخیص داده ای سری و نحوه طبقه بندی و حفاظت آنها ظرف سه ماه از تاریخ تصویب این قانون توسط وزارت اطلاعات با همکاری وزارتخانه های دادگستری، کشور، ارتباطات و فناوری اطلاعات و دفاع و پشتیبانی نیروهای مسلح تهیه و به تصویب هیئت دولت خواهد رسید.

ماده (4) هرکس به قصد دسترسی به داده ای سری موضوع ماده (3) این قانون،‌ تدابیر امنیتی سیستم های رایانه ای یا مخابراتی را نقض کند، به حبس از شش ماه تا دو سال یا جزای نقدی از ده تا چهل میلیون ریال یا هر دو مجازات محکوم خواهد شد.

‎‎‎ماده (5) چنانچه مأموران دولتی که مسؤول حفظ داده ای سری مقرر در ماده (3) این قانون یا سیستم‌ های مربوط هستند و به آنها آموزش لازم داده شده است یا داده‌ ها یا سیستم‌ های مذکور در اختیار آنها قرار گرفته است بر اثر بی احتیاطی، بی مبالاتی یا عدم رعایت تدابیر امنیتی موجب دسترسی اشخاص فاقد صلاحیت به داده ها، حامل های داده یا سیستم های مذکور شوند، به حبس از نود و یک روز تا دو سال یا جزای نقدی از پنج تا چهل میلیون ریال یا هر دو مجازات و انفصال از خدمت از شش ماه تا دو سال محکوم خواهند شد.

فصل دوم ـ جرائم علیه صحت و تمامیت داده‌ ها و سیستم‌ های رایانه‌ ای و مخابراتی

مبحث یکم ـ جعل رایانه ای

ماده (6) هرکس به طور غیرمجاز مرتکب اعمال زیر شود، جاعل محسوب و به حبس از یک تا پنج سال یا جزای نقدی از بیست تا یکصد میلیون ریال یا هر دو مجازات محکوم خواهد شد:

الف) تغییر داده ای قابل استناد یا ایجاد یا وارد کردن متقلبانه داده ها،

ب) تغییر داده ها یا علایم موجود در کارت های حافظه یا قابل پردازش در سیستم‌ های رایانه ای یا مخابراتی یا تراشه ها یا ایجاد یا وارد کردن متقلبانه داده ها یا علایم به آنها.

ماده (7) هرکس با علم به مجعول بودن داده ها یا کارت ها یا تراشه ها از آنها استفاده کند، به مجازات مندرج در ماده فوق محکوم خواهد شد.

‎‎‎مبحث دوم ـ تخریب و اخلال در داده ها یا سیستم های رایانه ای و مخابراتی

ماده (8) هرکس به طور غیرمجاز داده دیگری را از سیستم های رایانه ای یا مخابراتی یا حامل های داده حذف یا تخریب یا مختل یا غیرقابل پردازش کند‌ به حبس از شش ماه تا دو سال یا جزای نقدی از ده تا چهل میلیون ریال یا هر دو مجازات محکوم خواهد شد.

ماده (9) هرکس به طور غیرمجاز با انجام اعمالی از قبیل وارد کردن، انتقال دادن، پخش، حذف کردن، متوقف کردن، دستکاری یا تخریب داده ها یا امواج الکترومغناطیسی یا نوری، سیستم های رایانه ای یا مخابراتی دیگری را از کار بیندازد یا کارکرد آنها را مختل کند، به حبس از شش ماه تا دو سال یا جزای نقدی از ده تا چهل میلیون ریال

دانلود مقاله کامل درباره پیشرفتی مهم در زمینه ی تراشه های رایانه ای

اختصاصی از سورنا فایل دانلود مقاله کامل درباره پیشرفتی مهم در زمینه ی تراشه های رایانه ای دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 2

پیشرفتی مهم در زمینه ی تراشه های رایانه ای

دو شرکت «آی بی ام» و «اینتل» در تحقیقاتی جداگانه و تقریبا همزمان، به یکی از مهمترین پیشرفتهای حاصل شده در زمینه تولید تراشه های رایانه ای در چهار دهه اخیر دست یافته اند.

کشف اخیر می تواند سبب ادامه روند ریزتر شدن و قدرتمندتر شدن تراشه های رایانه ای شود و این نگرانی را که تراشه های رایانه ای در حال نزدیک شدن به حد نهایی خود از لحاظ ظرافت هستند، برای سالهای آینده برطرف کند.در فناوری جدید ابداع شده توسط شرکتهای «آی بی ام» و «اینتل»، به جای عنصر «سیلیکون» از ماده جدیدی به نام فلز «هافنیوم»(Hafnium) برای تنظیم جریان برق درون ترانزیستورها استفاده می شود. ترانزیستورها «سوییچ»های ریزی درون تراشه ها هستند که وظیفه قطع و وصل جریان برق را بر عهده دارند.«گاردن مور» یکی از موسسان شرکت «اینتل» در دهه 60میلادی قانونی را به نام قانون «مور» بیان کرد که در آن ذکر شده بود با توجه به پیشرفت مداوم فناوری های ساخت تراشه های رایانه ای، تعداد ترانزیستورهای به کار رفته درون تراشه ها تقریبا هر دو سال یک بار، دو برابر می شود.این قانون از زمان مطرح شدن در دهه شصت تاکنون همواره صدق کرده و تعداد ترانزیستورهای گنجانده شده درون تراشه های جدید دایما افزایش یافته است اما در سالهای اخیر شرکتهای سازنده تراشه ها در جهت تداوم این روند با محدودیتهایی مواجه شده بودند. هم اکنون کشف اخیر دو شرکت «آی بی ام» و «اینتل» صحت قانون معروف «مور» را برای سالهای آینده تضمین می کند و این بدان معناست که صنعت تولید تراشه های رایانه ای با فروش میانگین 250 میلیارد دلار در سال، همچنان پر رونق خواهد بود.با توجه به کشف جدید دو شرکت «اینتل» و «آی بی ام»، این دو شرکت و همچنین سایر تولیدکنندگان تراشه های رایانه ای می توانند نسل بعدی تراشه ها را با مدارهایی با ضخامت تنها 45نانومتر تولید کنند. پیشرفته ترین تراشه های فعلی دارای مدارهایی به ضخامت 65نانومتر هستند. هر نانومتر برابر با یک میلیاردم متر است و یک مدار 45نانومتری دو هزار برابر از یک تار موی انسان نازکتر است.«استیو اسمیث» یکی از مدیران ارشد شرکت «اینتل» اعلام کرد که پردازنده های تولید شده با استفاده از فناوری جدید در مقایسه با قدرتمندترین پردازنده های فعلی این شرکت کارایی بسیار بالاتری خواهند داشت. شرکت «آی بی ام» نیز که به طور همزمان به فناوری مشابهی دست یافته است این فناوری را در آینده نزدیک در اختیار شرکای تجاری خود از جمله شرکت «ای ام دی»(دومین سازنده پردازنده های رایانه ای پس از «اینتل») و نیز شرکت ژاپنی «توشیبا» قرار خواهد داد.به گفته «برنی میرسون» مدیر فناوری شرکت «آی بی ام»، پس از 40سال پیشرفت مداوم در زمینه ظریفتر شدن تراشه ها، در سالهای اخیر این نگرانی بوجود آمده بود که مدارهای تراشه ها در زمینه نازکتر شدن به حد پایانی خود نزدیک می شوند اما کشف اخیر نشان می دهد مدارهای تراشه های رایانه ای را می توان تا ابعاد بسیار ریز و باورنکردنی کوچک کرد. وی افزود: این فناوری علاوه بر امکان تولید نسل بعدی تراشه ها با مدارهای 45نانومتری، حتی راه را برای تولید نسل بعد از آن یعنی تراشه های 22نانومتری نیز هموار می کند.از حدود چهل سال قبل تاکنون شرکتهای سازنده تراشه های رایانه ای از ماده سیلیکون برای تولید تراشه های رایانه ای استفاده کرده اند. در آخرین نمونه های این تراشه ها، مدارهای سیلیکونی به اندازه ای کوچک شده بودند که ضخامت آنها به تنها 5اتم رسیده بود و همین امر باعث می شد برخی الکترونها هنگام حرکت در این مدارهای ظریف از مدار به بیرون نشت کنند که این امر سبب اتلاف انرژی به صورت گرما و مصرف بیشتر برق می شود.هم اکنون با استفاده از عنصر «هافنیوم»، امکان کاهش هرچه بیشتر ابعاد این مدارها بدون اتلاف انرژی درون آنها فراهم شده است که این امر به افزایش تعداد ترانزیستورهای قابل تعبیه درون تراشه ها، افزایش 20درصدی توان محاسباتی و کاهش 80درصدی اتلاف برق در آنها منجر خواهد شد. شرکت «اینتل» هنوز زمان دقیق تولید تراشه های جدید خود با استفاده از این فناوری را اعلام نکرده است.