سورنا فایل

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

سورنا فایل

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

تحلیل و طراحی آنتن هوشمند آرایه فازی مسطح در فرکانس باند X با بهره 30dB

اختصاصی از سورنا فایل تحلیل و طراحی آنتن هوشمند آرایه فازی مسطح در فرکانس باند X با بهره 30dB دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

تحلیل و طراحی آنتن هوشمند آرایه فازی مسطح در فرکانس باند X با بهره 30dB


 تحلیل و طراحی آنتن هوشمند آرایه فازی مسطح در فرکانس باند X با بهره 30dB

 

 

 

 

 

تحلیل و طراحی آنتن هوشمند آرایه فازی مسطح در فرکانس باند X با بهره 30dB

 

Design and Analysis of Planner Phase Array Smart Antenna in X Band With 30dB Efficiency

 

چکیده:

سیستم آنتن هوشمند شامل تکنیکهای گسترده ای است که موجب تقویت سیگنال دریافتی، تضعیف همه سیگنالهای تداخلی و افزایش ظرفیت به طور عمده می شود. در این مقاله به طراحی آنتن هوشمند آرایه فازی می پردازیم. آرایه های فازی بیش از یک قرن است که در دسترس می باشند. آنها مجموعه ای از آنتن ها می باشند که فاز نسبی سیگنال هایی که آنها را تغذیه می کند با هم اختلاف دارند، در نتیجه الگوی پرتو افشانی موثر این آرایه در جهات خاص هدایت شده و در جهات غیر دلخواه و توقف می شود. این حقیقت که امواج رادیویی از درون ابرها و اغلب موادی که مانع سیستم های ارتباطی نوری می شوند، عبور می کند که منجر به این شد که مهندسین از آرایه های فازی در رادارها استفاده کنند.

رادارهای آرایه فازی در طیف وسیعی از جمله:

– رادارهای هواشناسی

– نصب بر روی جنگنده ها

– ناوها

– رادارهای رهگیری موشکهای بالستیکی

کاربرد دارند.

بنابراین یک مدل پایه برای طراحی شیفت دهنده های فاز المان های آرایه و همچنین شکل دهی مناسب پرتو برای آنتن و الگوریتم های وفقی که در حال حاضر برای پردازش آرایه به کار می روند را طراحی می کنیم.

 

 

 

فهرست مطالب:

چکیده.............................................................................................................................................................. 1
مقدمه............................................................................................................................................................... 2
فصل اول:کلیات............................................................................................................................................. 4
-1 هدف..................................................................................................................................................... 5 -1
-2 پیشینه تحقیق................................................................................................................................... 5 -1
-3 روش کار و تحقیق............................................................................................................................. 6 -1
فصل دوم: آنتن ............................................................................................................................................. 7
-1 تعریف آنتن ....................................................................................................................................... 8 -2
-2 پارامتر های آنتن............................................................................................................................... 8 -2
-1 بهره آنتن.................................................................................................................................. 8 -2 -2
-2 دایر کتیویته آنتن ................................................................................................................. 9 -2 -2
-3 سطح موثر دریافت ................................................................................................................ 9 -2 -2
-4 تطبیق آنتن........................................................................................................................... 10 -2 -2
-5 پهنای باند............................................................................................................................. 10 -2 -2
-6 پترن آنتن............................................................................................................................. 11 -2 -2
-6-2 الف- پهنای شعاع اصلی....................................................................................... 12 -2
و
-6 ب - ارتفاع پره های کناری................................................................................... 12 -2 -2
-7-2 امپدانس آنتن ................................................................................................................. 13 -2
-8-2 پلاریزاسیون .................................................................................................................... 15 -2
-3 آنتنهای آرایه ای............................................................................................................................ 19 -2
-1 آرایه های خطی............................................................................................................ 19 -3 -2
-1 الف-آرایه های دو عنصری متشکل از منابع نقطه ای یکسانگرد ........... 21 -3 -2
عنصری با فاصله گذاری و دامنه یکنواخت....................... 23 N -1 ب- آرایه های -3 -2
-2 آرایه خطی پهلو آتش.................................................................................................. 27 -3 -2
-3 آرایه خطی سر آتش.................................................................................................... 30 -3 -2
-4 پویش تابه اصلی آرایه................................................................................................. 32 -3 -2
-5 سمتگرائی آرایه خطی................................................................................................ 35 -3 -2
-5 الف- سمتگرائی آرایه پهلو آتش........................................................................ 35 -3 -2
-5 ب- سمتگرائی آرایه سر آتش............................................................................ 37 -3 -2
-6 آرایه های مسطح........................................................................................................ 39 -3 -2
-6 الف- ضریب آرایه.................................................................................................. 40 -3 -2
-6 ب- سمتگرائی آرایه های مسطح....................................................................... 41 -3 -2
-4 پرتو سازی به روش دیجیتالی.................................................................................................... 45 -2
ز
فصل سوم:معرفی آنتنهای میکرواستریپ............................................................................................... 49
-1 تاریخچه............................................................................................................................................. 50 -3
-2 تعریف آنتن میکرواستریپ............................................................................................................ 50 -3
-3 مکانیسم تشعشع در آنتنهای میکرواستریپ............................................................................ 53 -3
-4 انواع آنتنهای میکرواستریپ....................................................................................................... 55 -3
-1 آنتنهای پچ میکرواستریپ.......................................................................................... 55 -4 -3
-2 آنتنهای دایپل میکرواستریپ..................................................................................... 56 -4 -3
-3 آنتنهای شیاردار چاپی................................................................................................. 56 -4 -3
-4 آنتنهای میکرواستریپ موج رونده............................................................................ 56 -4 -3
-5 مدلها و تکنیکهای تغذیه.............................................................................................................. 59 -3
-1 تغذیه کواکسیال............................................................................................................ 60 -5 -3
-2 تغذیه های میکرواستریپ......................................................................................... 63 -5 -3
-2 الف- تغذیه با خطوط میکرواستریپ................................................................ 64 -5 -3
-2 ب- تغذیه با تزویج مجاورتی............................................................................. 66 -5 -3
-2 پ- خط تغذیه میکرواستریپ با تزویج روزنه ای.......................................... 67 -5 -3
-6 مزایا و معایب آنتنهای میکرواستریپ........................................................................................ 70 -3
-7 بعضی از کاربردهای آنتنهای میکرواستریپ........................................................................... 72 -3
ح
-8 پچ مستطیلی................................................................................................................................... 73 -3
-1 مدلهای ریاضی پچ های میکرواستریپ مستطیلی................................................. 73 -8 -3
-2 مدل خط انتقال............................................................................................................ 74 -8 -3
-3 پارامترهای خط............................................................................................................ 76 -8 -3
-4 محاسبه ادمیتانس خودی.......................................................................................... 77 -8 -3
-5 ادمیتانس متقابل......................................................................................................... 78 -8 -3
-9 محاسن و معایب مدل خط انتقال............................................................................................. 80 -3
-10 بررسی پارامترهای مختلف پچ مستطیلی ............................................................................ 81 -3
ثیر پهنای آنتن......................................................................................................... 81 Ĥ -1 ت -10 -3
ثیر ضخامت زیر لایه.............................................................................................. 82 Ĥ -2 ت -10 -3
ثیر ضریب دی الکتریک و تانژانت تلفات زیر لایه............................................ 82 Ĥ -3 ت -10 -3
ثیر زمین محدود در آنتن میکرواستریپ.......................................................... 83 Ĥ -4 ت -10 -3
-11 فرایند طراحی آنتن پچ مستطیلی.......................................................................................... 83 -3
86.....................................................30dB فصل چهارم: طراحی آنتن آرایه فازی صفحه ای با بهره
-1 طراحی المانهای آنتن................................................................................................................... 86 -4
-1 طراحی آنتن در حالت المانهای ایزوتروپ..................................................................... 87 -1 -4
87..........................X -2 طراحی آنتن در حالت المانهای میکرواستریپ در فرکانس باند -1 -4
-2 طراحی آنتن آرایه فازی................................................................................................................ 89 -4
ط
-3 طراحی سخت افزار گیرنده.......................................................................................................... 89 -4
-4 پردازش سیگنال دریافتی از آنتن............................................................................................... 97 -4
-5 آشکارسازی هدف......................................................................................................................... 101 -4
فصل پنجم:نتایج . پیشنهادات.............................................................................................................. 108
نتیجه گیری............................................................................................................................................. 109
پیشنهادات............................................................................................................................................... 109
پیوست...................................................................................................................................................... 110
خذ.......................................................................................................................................... 120 Ĥ منابع و م
چکیده انگلیسی


دانلود با لینک مستقیم


روشی جدید برای طراحی تقویت کننده های پهن باند با استفاده از الگوریتم های بهینه سازی

اختصاصی از سورنا فایل روشی جدید برای طراحی تقویت کننده های پهن باند با استفاده از الگوریتم های بهینه سازی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

روشی جدید برای طراحی تقویت کننده های پهن باند با استفاده از الگوریتم های بهینه سازی


روشی جدید برای طراحی تقویت کننده های پهن باند با استفاده از الگوریتم های بهینه سازی

 

 

 

 

چکیده

در سال های اخیر توجه به مدارهای مایکروویو افزایش یافته است. در بسیاری از کاربردهای مایکروویو غالباً تقویت کننده هایی با پهنای باند وسیع مورد نیاز می باشد. یکی از مدارهایی که برای طراحی تقویت کننده های پهن باند استفاده می شود، مدار تطبیق راکتیو است. در طراحی مدارهای تطبیق راکتیو در روشی موسوم به تطبیق جبران سازی شده، مقدار قابل قبول تغییرات بهره در طول باند را مشخص می کنند و آنگاه مدارهای تطبیق ورودی و خروجی را طوری طراحی می کنند که تغییرات بهره در طول باند از مقدار تعیین شده تجاوز نکند. اگر مدار ورودی و خروجی به طور کامل در طول باند تطبیق شوند، تغییرات بهره در طول باند صفر خواهد بود اما، برای تقویت کننده های پهن باند چنین تطبیقی تقریبا غیرممکن است. دستیابی به تقویت کننده ای با پهنای باند مناسب و تغییرات کم بهره در طول باند طراحی، با تعیین مقدار مناسب المان های مدار تطبیق امکان پذیر است اما، تعیین مقدار مناسب المان ها کاری دشوار و زمانبر می باشد. بنابراین، ارائه روشی به منظور تعیین مقدار مناسب المان ها برای کاهش تغییرات بهره در طول باند طراحی با سرعتی بالا امری ضروری به نظر می رسد. هدف پایان نامه حاضر ارائه روشی جدید برای طراحی تقویت کننده های پهن باند است که علاوه بر کاهش تغییرات بهره در طول باند طراحی، سرعت طراحی را نیز افزایش می دهد. در روش جدید ارائه شده، ابتدا پارامتری به نام خطای تطبیق برای کنترل تغییرات بهره در طول باند تعریف می شود. آنگاه، رابطه ای برای محاسبه خطای تطبیق براساس المان های مقدار تطبیق و پارامترهای S ترانزیستور در فرکانس های باند طراحی استخراج می گردد. سپس به منظور بهینه سازی خطای تطبیق از الگوریتم ژنتیک و الگوریتم بهینه سازی انبوه ذرات استفاده می شود. به منظور بررسی کارایی روش جدید پیشنهاد شده، مدار تطبیق خروجی چندین تقویت کننده با استفاده از روش های تطبیق جبران سازی شده و روش پیشنهاد شده طراحی گردید. نتایج نشان داد زمان طراحی و خطای تطبیق به طور چشمگیری کاهش یافته اند. همچنین سرعت همگرایی الگوریتم بهینه سازی انبوه ذرات بسیار بهتر از الگوریتم ژنتیک بود. در نهایت به عنوان یک نمونه موردی، برای بررسی تغییرات بهره در طول باند طراحی، تقویت کننده ای با روش جدید طراحی و توسط برنامه AWR شبیه سازی شد. این شبیه سازی کارایی روش جدید و تغییرات کم بهره در طول باند را ثابت کرد.

مقدمه

در سال های اخیر توجه به مدارهای مایکروویو برای سیستم های مخابراتی افزایش یافته است و مدارهای فعال و غیرفعال مایکروویوی برای سیستم های مخابرات بیسیم به شدت پیشرفت نموده است. تقویت کننده های مایکروویو یکی از حساس ترین مدارهای فعالی است که در کاربرد سیستم ها استفاده می شود.

طراحی تقویت کننده های مایکروویو با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدان در مدارهای مجتمع مایکروویوی یا مدارهای مجتمع مایکروویوی یکپارچه، در تمام زیر سیستم های ساخته شده برای کاربردهای بیسیم مایکروویو به طور وسیع استفاده می شود. مشخصات تقویت کننده ها به کاربرد آنها وابسته است و طراحی تقویت کننده ها با توجه به کاربرد آنها متفاوت می باشد. مثلاً یک فرستنده مخابراتی بیسیم به یک تقویت کننده رادیویی با توان خروجی زیاد نیاز دارد اما، یک گیرنده مایکروویو به تقویت کننده ای با بهره بالا نیازمند است که سیگنال دریافتی را بدون افزودن هیچ گونه نویزی تقویت نماید. مشخصات گیرنده های مایکروویو بسیار به کاربرد آنها وابسته است. مثلا ممکن است گیرنده های مخابراتی فقط به یک باند باریک اما، قابل تنظیم نیاز داشته باشند در حالی که، گیرنده های رادارهای تجاری به یک فرکانس ثابت با پهنای متوسط (متناسب با معکوس پهنای پالس) نیازمندند. به هرحال سیستم های جنگ الکترونیک و مخابرات نوری به پهنای باند زیادی نیاز دارند. پهنای باند زیاد در سیستم های جنگ الکترونیک برای اصلاح فرکانس های غیر قطعی منتشر شده و در سیستم های مخابرات فیبر نوری برای افزایش نرخ انتقال دیتا استفاده می شود.

فلسفه طراحی تقویت کننده های پهن باند، به دست آوردن بهره ای هموار در سرتاسر باند فرکانسی تعیین شده می باشد.

مشکلاتی که ممکن است در طراحی این نوع تقویت کننده ها با آنها مواجه شویم، عبارتند از:

– تغییرات IS21I و IS12I با فرکانس. به عنوان مثال، IS21I با فرکانس به نرخ 6 دسیبل بر اکتاو کاهش می یابد و IS12I با فرکانسی با همین نرخ، افزایش می یابد.

– پارامترهای پراکندگی S11 و S22 نیز، به فرکانس وابسته می باشند و تغییرات ایجاد شده در آنها در طیف گسترده ای از فرکانس ها حائز اهمیت می باشد.

– در برخی از دامنه های فرکانسی تقویت کننده پهن باند، می توان شاهد افت عدد نویز و VSWR بود.

اساساً تقویت کننده های توان پهن باند در مقایسه با تقویت کننده های توان باند باریک دارای توان راندمان افزوده کمتری تقریباً بین 8 تا 19 درصد هستند زیرا، طراحی تقویت کننده با هدف ماکزیمم کردن توان خروجی بر روی یک باند چند اکتاوی بازده را تحت تاثیر قرار می دهد.

رایج ترین و بهترین روش های مداری که برای طراحی تقویت کننده های پهن باند در تکنولوژی هایبرید و یکپارچه استفاده می شود عبارتند از:

– مدار تطبیق راکتیو

– مدار توزیعی موج متحرک

– مدار فیدبک

– مدار تطبیق تلفاتی.

این روش ها در فصل اول بررسی خواهند شد.

در طراحی مدارهای تطبیق راکتیو در روشی موسوم به تطبیق جبران سازی شده، مقدار قابل قبول تغییرات بهره در طول باند را مشخص می کنند و آنگاه مدارهای تطبیق ورودی و خروجی را طوری طراحی می کنند که تغییرات بهره در طول باند از مقدار تعیین شده تجاوز نکند. اگر مدار ورودی و خروجی به طور کامل در طول باند تطبیق شوند، تغییرات بهره در طول باند صفر خواهد بود اما، برای تقویت کننده های پهن باند چنین تطبیقی تقریباً غیرممکن است. دستیابی به تقویت کننده ای با پهنای باند مناسب و تغییرات کم بهره در طول باند طراحی، با تعیین مقدار مناسب المان های مدار تطبیق امکان پذیر است اما، تعیین مقدار مناسب المان ها کاری دشوار و زمانبر می باشد. بنابراین، ارائه روشی به منظور تعیین مقدار مناسب المان ها برای کاهش تغییرات بهره در طول باند طراحی با سرعتی بالا امری ضروری به نظر می رسد. هدف پایان نامه حاضر ارائه روشی جدید برای طراحی تقویت کننده های پهن باند است که علاوه بر کاهش تغییرات بهره در طول باند طراحی، سرعت طراحی را نیز افزایش می دهد.

تعداد صفحه : 152


دانلود با لینک مستقیم


پروژه ی طراحی و پیاده سازی ربات های هوشمند امدادگر جهت عملیات جستجو و نجات

اختصاصی از سورنا فایل پروژه ی طراحی و پیاده سازی ربات های هوشمند امدادگر جهت عملیات جستجو و نجات دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

پروژه ی طراحی و پیاده سازی ربات های هوشمند امدادگر جهت عملیات جستجو و نجات


پروژه ی طراحی و پیاده سازی ربات های هوشمند امدادگر جهت عملیات جستجو و نجات

نوع فایل : PDF

تعداد صفحات : 15 صفحه

 

چکیده :

ربات های هوشمند طراحی و ساخته می شوند که قادرند با استفاده های خاص یا عمومی کارهای تکراری و یا ناامن را در زمان کمتر با دقت بیشتر و ضریب اطمینان بالاتر از انسان انجام دهند. این فعالیتها مدتی است که در کشورد ما نیز شروع شده است و ضرورت کاربرد آن نیز از نظر پوشیده نیست ازاین رو تصمیم برآن شد که طراحی و ساخت رباتی را مدنظر قرار دهیم که در محیط های واقعی کاربردهای فراوانی خصوصا امدادگری برای آن وجود دارد. بر همین اساس دو ربات همکار ECERC1 و ECERC2 طراحی و عملیاتی گردید که می توان خصوصیات آنها را در تعداد بیشتر نیز کلیت داد.

 

فهرست مطالب

  • عملیات امداد و طراحی ربات
  • اجزا سیستم
  • کنترل و پردازش
  • واحد مخابرات (RCU)
  • تهیه ی نقشه
  • جمع بندی

 


دانلود با لینک مستقیم


طراحی و شبیه سازی یک آپ امپ تلسکوپی کسکود OTA با استفاده از نرم افزار Hspice

اختصاصی از سورنا فایل طراحی و شبیه سازی یک آپ امپ تلسکوپی کسکود OTA با استفاده از نرم افزار Hspice دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

طراحی و شبیه سازی یک آپ امپ تلسکوپی کسکود OTA با استفاده از نرم افزار Hspice


طراحی و شبیه سازی یک آپ امپ تلسکوپی کسکود OTA با استفاده از نرم افزار Hspice

طراحی و شبیه سازی یک آپ امپ تلسکوپی کسکود OTA با استفاده از نرم افزار Hspice در تکنولوژی 0.18 میکرومتر

به همراه گزارش کار پروژه در قالب word

 

 

 

 

بخشی از داکیومنت پروژه:

هدف از انجام این پروژه شبیه سازی مدار آپ امپ تلسکوپی کسکود ارائه شده از سوی استاد محترم می باشد. در این شبیه سازی هدف طراحی مدار با استفاده از تکنولوژی 0.18 میکرومتر می باشد به شرطی که کل توان مصرفی مدار از 7 میلی وات تجاوز نکند. 

برای شروع طراحی بایستی جریان عبوری از هر یک از شاخه ها را محاسبه نماییم. با توجه به اینکه کل توان نباید بیش از 7 میلی وات باشد و با توجه به استفاده از منبع تغذیه 1.8 ولتی، حداکثر جریان مجاز کشیده شده از منبع برابر با 3.88 میلی آمپر خواهد بود. ما در طراحی کل جریان را برابر 3.8 میلی آمپر در نظر گرفته و لذا جریان هر یک از شاخه های مدار برابر 1.9 میلی آمپر خواهد بود.

پس از نامگذاری تمامی گره ها، نت لیست مدار را در فایل نت پد نوشته و با مقادیر دلخواه ابتدایی مدار را شبیه سازی می کنیم تا پارامترهایی نظیر ولتاژ ترشهلد ترانزیستورها را بدست آوریم. پس از آن با استفاده از تکنیک منابع ولتاژ کمکی و تنظیم ولتاژ Vds تزانزیستورها بر روی مقادیر معقول، به تنظیم جریان ترانزیستورها با تنظیم Vgs و w آنها خواهیم پرداخت. برای مثال یک منبع ولتاژ 0.9 ولتی در گره خروجی قرار می دهیم تا ولتاژ آن بر روی 0.9 (VDD/2) تنظیم شود. ولتاژ Vds تزانزیستورهای بخش پایینی را روی 0.3 و بخش بالایی را روی 0.45 تنظیم کرده و شبیه سازی را انجام می دهیم. برای اکتیو بودن ترانزیستورها بایستی مقدار Vds آنها از Vgs-Vthبیشتر باشد. برای این منظور و با معلوم بودن مقادیر Vds و Vth پارامتر Vgs را بدست آورده و با معلوم بودن ولتاژ سورس ترانزیستورها (استفاده از منابع ولتاژ کمکی) مقدار ولتاژ گیت ترانزیستور ها بدست خواهد آمد. به بیان ساده تر مقادیر DC منابع ولتاژ Vb1 تا Vb3 و نیز مقدار dc ولتاژ ورودی.

 

 

برای دانلود رایگان نتایج پروژه کلیک کنید.

 

 


دانلود با لینک مستقیم