تحقیق و بررسی در مورد تعیین ضخامت سنگفرش

اختصاصی از سورنا فایل تحقیق و بررسی در مورد تعیین ضخامت سنگفرش دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

تعداد صفحه

 71

فهرست مطالب

روش خمیدگی:

نمودار طراحی ضخامت over lay

1. 4-روش انجمن سیمان پورتلند

آزمایش خمیدگی غیر مخرب

طراحی over lay غیر پیوندی:

ضخامت overlay

معادله پایه:

سنگفرش های انعطاف پذیر

موجود بر حسب ضخامت HMA، یک یا چند ضریب تبدیل باید یافت شود. اگر پیاده روی موجود عمق کامل باشد، روش 1، بر اساس شاخص سرویس دهی موجود (PSI) روی موجود، می تواند برای تعیین ضریب تبدیل بکار برود در غیر اینصورت، روش 2 بر اساس شرایط فردی هر لایه، باید بکار برود تا ضریب تبدیل هر لایه مشخص گردد.

روش1: شکل 13.2 ضرایب تبدیل C را برای پیاده روهای آسفالت با عمق کامل بر اساس پیاده رویی موجود در زمان over lay را می دهد، دو منحنی در شکل، تفاوت در عملکرد را پس از قرار دادن over lay را نشان می دهد. منحنی بالایی، خط A، پیاده روها را با یک میزان کاهش یافته تغییر در PSI در مقایسه با میزان تغییر آنها قبل از over lay را نشان می دهد. منحنی پایینی، خط B، یک میزان تغییر در PSI حدود همان مقدار قبل از over lay را نشان می دهد و بنابراین تا حدی محافظه کارانه است. انتخاب بین دو منحنی موضوع قضاوت و تجربه است. ضرایب تبدیل نشان داده شده در شکل 13.2 فقط برای HMA بکار می رود. اگر مخلوط های آسفالت امولسینهای شده استفاده شوند، ضرایب اکی والان نشان داده شده در جدول 13.2 باید استفاده گردد. ضخامت مؤثر هر لایه موجود با ضرب کردن ضخامت واقعی هر لایه در ضریب تبدیل و ضریب اکی والانسی مناسب بدست می آید. کل ضخامت مؤثر توسط

جمع کردن ضخامت مؤثر مجزایی تمام لایه های سنگفرش بدست می آید:

(13.5)        

دانلود تحقیق کامل درمورد تعیین چگالی بارهای سطحی میان گاه

اختصاصی از سورنا فایل دانلود تحقیق کامل درمورد تعیین چگالی بارهای سطحی میان گاه دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

فرمت فایل: Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

تعداد صفحه :150

بخشی از متن مقاله

فهرست مطالب

فصل اول : ساختارهای دورآلاییده..................................................................... 1

مقدمه................................................................................................................. 2

1-1 نیمه رسانا..................................................................................................... 3

1-2 نیمه رسانا با گذار مستقیم و غیر مستقیم............................................................. 4

1-3 جرم موثر................................................................................................. 4

1-4 نیمه رسانای ذاتی....................................................................................... 6

1-5 نیمه رسانای غیر ذاتی و آلایش............................................................................ 7

1-6 نیمه رساناهای Si و Ge ..............................................................................

1-7 رشد بلور ............................................................................................ 15

1-7-2 رشد رونشستی مواد................................................................................... 15

1-7-3 رونشستی فاز مایع ........................................................................................... 18

1-7-5 رونشستی پرتو مولکولی .................................................................................... 19

1-8 ساختارهای ناهمگون.............................................................................................. 20

 1-9 توزیع حالت‌های انرژی الکترون‌ها در چاه کوانتومی...................................................... 21

1-10 انواع آلایش............................................................................................... 23

1-10-1 آلایش کپه­ای................................................................................................ 24

1-10-2 آلایش مدوله شده (دورآلاییدگی)................................................................. 24

1-10-3 گاز الکترونی دوبعدی ................................................................................ 25

1-10-4 گاز حفره­ای دوبعدی.......................................................................................... 26

1- 11 ویژگی و انواع ساختارهای دور آلاییده ......................................................................... 27

1-11-1 انواع ساختارهای دورآلاییده به­­لحاظ ترتیب رشد لایه­ها ..................................... 27

1-11-2 انواع ساختار دور آلاییده به لحاظ نوع آلاییدگی ( n یا p )................................. 28

1-11-3 انواع ساختار دور آلاییده دریچه­دار.............................................................................. 29

1-12 کاربرد ساختارهای دور آلاییده.......................................................................................... 33

1-12-1 JFET............................................................... 

1-12-2 MESFET ....................................

1-12-3 MESFET پیوندگاه ناهمگون ....................................................................... 35

فصل دوم : اتصال فلز نیمه رسانا (سد شاتکی)................................................................... 38

مقدمه ............................................................................................39

2-1 شرط ایده آل و حالتهای سطحی ................................................................................. 41

2-2 لایه تهی ......................................................................................................... 44

2-3 اثر شاتکی .......................................................................................................... 47

2-4 مشخصه ارتفاع سد............................................................................................. 51

2-4-1 تعریف عمومی و کلی از ارتفاع سد............................................................................... 51

2-4-2 اندازه گیری ارتفاع سد...................................................................................................... 57

2-4-3 اندازه گیری جریان – ولتاژ.............................................................................................. 57

2-4-4 اندازه گیری انرژی فعال سازی................................................................................ 60 

2-4-5 اندازه گیری ولتاژ- ظرفیت.............................................................................................. 60

2-4-6 تنظیم ارتفاع سد ......................................................................................................... 62

2-4-7 کاهش سد ............................................................................................................... 62

2-4-8 افزایش سد................................................................................................. 63

2-5 اتصالات یکسوساز . ................................................................................................. 64

2-6 سدهای شاتکی نمونه  ................................................................................................... 64

فصل سوم : انتقال بار در ساختارهای دورآلاییده............................................... 66

مقدمه.............................................................................................................................. 67

 3-1 ساختار دور آلاییده معکوس p-Si/Si1-XGeX/Si ............................................................

3-2 ساختار نوار ظرفیت ساختار دور آلاییده معکوسp-Si/SiGe/Si..........................

3-3 محاسبه انتقال بار در ساختارهای دور آلاییده............................................................ 71 

3-3-1 آلایش مدوله شده ایده­آل........................................................................................... 71

3-3-2 محاسبات خود سازگار چگالی سطحی حاملها ............................................................ 74

3-3-3 اثر بارهای سطحی بر چگالی گاز حفره­ای ................................................................... 74

3-4 روشهای کنترل چگالی سطحی حاملها .............................................................................. 76

3-4-1 تاثیر تابش نور بر چگالی سطحی حاملها ..................................................................... 77

3-4-2 تاثیر ضخامت لایه پوششی بر چگالی سطحی حاملها................................................ 78

3-4-3 دریچه دار کردن ساختار دور آلاییده ............................................................................ 79

3-5 ساختارهای دورآلاییده معکوس p-Si/SiGe/Si با دریچه بالا ...................................... 79

3-6 انتقال بار در ساختارهای دورآلاییده معکوس با دریچه بالا............................................ 82

3-7 تاثیر بایاسهای مختلف بر روی چگالی سطحی ­حفره­ها ................................................. 83

3-8 ملاحظات تابع موج....................................................................................................... 86

3-9 وابستگی Zav به چگالی سطحی حاملها در ساختارهای بی دریچه.............................. 87

3-10 وابستگی Zav به چگالی سطحی حاملها در ساختارهای دریچه­دار............................ 87

فصل چهارم : نتایج محاسبات  .......................................................................................... 89

مقدمه................................................................................................................ 90

4-1 محاسبات نظری ساختارهای دورآلاییده بی دریچه Si/SiGe/Si ............................

4-1-1 محاسبات نظری ns برحسب Ls ..................................................................

4-1-2 محاسبات نظری ns برحسب NA  ................................................................................

4-1-3 محاسبات نظری ns برحسب nc .................................................................................

4-1-4 محاسبات نظری کلیه انرژیهای دخیل برحسب Ls ..................................................

4-2 محاسبات نظری ساختارهای دورآلاییده دریچه­دار Si/SiGe/Si ................................. 

4-2-1 محاسبات نظری ns برحسب vg ...................................................................................

4-2-2 بررسی نمونه ها با nsur متغیر و تابعی خطی از vg با شیب مثبت ........................ 107

4-2-3 بررسی نمونه ها با nsur متغیر و  تابعی خطی از vg با شیب منفی......................... 114

فصل پنجم : نتایج.................................................................................................... 124

5-1مقایسه سد شاتکی با ساختار دورآلاییده دریچه دار p-Si/SiGe/Si ..........................

5-2 بررسی نمودارهای مربوط به چهار نمونه .................................................................... 125

پیوست ...................................................................................................................... 129

چکیده انگلیسی (Abstract) ................................................................................... 139

منابع.............................................................................................141

چکیده

در ساختارهای Si/SiGe/Si که بوسیله روش رونشانی پرتو مولکولی رشد می­یابند به دلیل ناپیوستگی نوار ظرفیت یک چاه کوانتومی در نوار ظرفیت و در لایه SiGe شکل می­گیرد اگر لایه­های مجاور با ناخالصی­های نوع p آلاییده شده باشند حفره­های لایه آلاییده به داخل چاه کوانتومی می­روند و تشکیل گاز حفره­ای دوبعدی در میانگاه نزدیک لایه آلاییده می­دهند اینگونه ساختارها را ساختار دورآلاییده می نامند .به دلیل جدایی فضایی بین حاملهای آزاد دوبعدی و ناخالصی­های یونیده در ساختارهای دورآلاییده برهمکنش کولنی کاهش یافته و درنتیجه پراکندگی ناشی از ناخالصی­های یونیده کاهش و به تبع آن تحرک­پذیری حاملهای آزاد دوبعدی افزایش می­یابد .چگالی سطحی گاز حفره­ای دوبعدی به پارامترهای ساختار مثلاً ضخامت لایه جداگر ، چگالی سطحی بارهای لایه پوششی ، ضخامت لایه پوششی ، و غیره وابسته است. علاوه بر این در ساختارهای دورآلاییده دریچه­دار با تغییر ولتاِژ دریچه چگالی سطحی گاز حفره­ای قابل کنترل می­باشد . این ساختارها در ساخت ترانزیستورهای اثر میدانی مورد استفاده قرار می­گیرند .

در این پایان نامه ابتدا به تشریح ساختار دورآلاییده  Si/SiGe/Siمی­پردازیم و سپس مدلی نظری که بتواند ویژگیهای الکتریکی گاز حفره­ای دوبعدی درون چاه کوانتومی ساختارp-Si/SiGe/Si  و همچنین میزان انتقال بار آزاد به درون چاه و بستگی آن به پارامترهای ساختار را توجیه کند ارائه می دهیم .در ساختار دورآلاییده معکوس p-Si/SiGe/Si دریچه­دار با دریچه Al/Ti/Si از این مدل نظری استفاده می­کنیم و با برازش نتایج تجربی تغییرات چگالی سطحی گاز حفره­ای بر حسب ولتاژ دریچه توانسته­ایم چگالی سطحی بارهای میانگاه Ti/Si در این ساختارها را در محدوده (m-2) 1015 × 78/1 تا (m-2) 1015 × 63/4  ارزیابی کنیم  .

متن کامل را می توانید بعد از پرداخت آنلاین ، آنی دانلود نمائید، چون فقط تکه هایی از متن به صورت نمونه در این صفحه درج شده است.

دانلود فایل 

دانلود تحقیق تجارت الکترونیکی تلفیقی و فرآیند تعیین الگوهای سودمند تجاری

اختصاصی از سورنا فایل دانلود تحقیق تجارت الکترونیکی تلفیقی و فرآیند تعیین الگوهای سودمند تجاری دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

معماری و چالش ها
(سهیل انصاری ، ران کوهاری ، لیلو می سن و زیجیان زنگ )
شرکت نرم افزارهای Blue Martini  
چکیده :
ما نشان می دهیم که حوزه تجارت الکترونیکی می نواند همه اجزا مورد نیاز برای یک فرآیند موفق تعیین الگوهای سودمند تجاری را فراهم سازد و در عین حال عقیده داریم که این یک حوزه موثر برای فرآیند ذکر شده است . ما بر اساس تجاربمان در شرکت نرم افزاری بلو مارتینی (Blue Martini ) در ارتباط با معماری تلفیقی توضیح خواهیم داد تا نشان دهیم که این امر بر اساس تجربه صورت گرفته است .
معماری به طور قابل توجهی می تواند زمان انجام پیش پردازش ، پاک سازی و اقدامات شناخت داده ها را کاهش دهد که معمولاً این کارها حدود 80% زمان پروژه های کشف اطلاعات  را در بر می گیرد . به منظور پشتیبانی از ثبت داده ها و فوق داده ها که برای فرآیند کشف مفید است ، ما تاکید می کنیم که جمع آوری داده ها در لایه سرویس دهنده کاربردی صورت بگیرد نه در سرویس دهنده وب.
توضیح داده خواهد شد که پل های انتقال داده بین سیستم های پردازش گردش کار یا جریانهای رخدادی خریدار ( به طور مثال : جریان کیلیک) و محل انبار داده ها مورد نیاز است همچنین به تفصیل در ارتباط با استخراج اطلاعات ، کاری که نیاز مند داشتن چندین دیدگاه از داده ها از طریق گزارش، الگوریتم های data mining  تجسم و OLAP  می باشد ، توضیح خواهیم داد . و با بیان چندین چالش در این زمینه مقاله خود را به پایان خواهیم برد .
OLAP  : یک سیستم بانک اطلاعاتی رابطه ای ، با قابلیت پردازش پرس وجوهای پیچیده تری نسبت به بانکهای رابطه ای استاندارد که از طریق دسترسی چند بعدی به داده ها ( که در آن داده ها با معیارهای مختلفی مورد توجه قرار می گیرند) قابلیت محاسبه زیاد و روشهای ویژه اندیس گذاری انجام می شود .
مقدمه :
تجارت الکترونیکی در حال پیشرفت است و همگام با این پیشرفت ، شرکت ها علاقه بیشتری دارند تا در زمینه پیشرفت تجارت آن لاین (ONLINE) سرمایه گذاری کنند . در کتاب COMMERCE SOFTWARE TAKESOFF ، نویسندگان تحقیق  forrester نوشتند که در سال 1999 تجارت آن لاین در زمینه خرده فروشی مصرف کننده حدود 3/20 میلیارد دلار بوده است و پیش بینی شده است که تا سال 2003 به بیش از 144 میلیارد دلار برسد . حدود 2500 شرکت جهانی در سال 2000 میلادی نسبت به سال 1999 بیش از 72% در زمینه تجارت الکرونیکی سرمایه گذاری خواهند کرد . سایت های موجود از اندازه گیرهای اولیه همچون تعداد بازدید صفحات استفاده می کنند اما نیاز برای تحلیل و خصوصی سازی با توجه به نیاز های متفاوت روز به روز افزایش می یابد . در کتابMeasuring websuccess  نویسندگان ادعا می کنند که افراد پیشرو از واحدهای متدی برای ایجاد خصوصی سازی استفاده می کنند و اینکه شرکت ها به هوش شبکه نیاز دارند نه به تحلیل موارد ثبت شده .
ابزار data mining به کشف الگوهای داده ها کمک می کنند . تاکنون شرکتها یی که بر روی ساختار افقی وسایل الگو ساز data mining  متمرکز شده بودند ، پیشرفت تجارت کمی داشتند . میزان خرید بسیاری از شرکت ها بدین قرار است : دریافت علوم فشرده توسط Gentia  در حدود 3 میلیارد دلار ، هماهنگی بسیار بالا توسط yahoo   در حدود 3/2 میلیون دلار ، معتدل سازی به وسیله spss  در حدود 7 میلیون دلار و ماشین های متفکر بوسیله oracle  در حدود چیزی کمتر از 25 میلیون دلار افزایش یافته اند . KD1 توسط Net Perception  در حدود 116 میلیون دلار به دست امد . right point که قبلاً نام data mind  داشت توسط E.Piphany  برای حدود 400 میلیون دلار و Nero vista  توسط Acro  برای حدود 140 میلیون دلار به دست آمده است . تغییر این ارزیابی ها تاکید می کند که باید توجه بیشتری را بر ارزش تکنیک های الگو سازیdata mining  در زمینه تجارت الکترونیکی داشته باشیم .
  تجارت الکترونیکی یک حوزه موثر برای data mining است. این روش ایده ال است زیرا بسیاری از مواد مورد نیاز برای data mining موفق به راحتی به دست می آید : ثبت داده ها بسیار متعدد است، مجموعه الکترونیک داده های قابل اطمینان را فراهم سازد، افکار به راحتی به مرحله اجرا در می آید و بازگشت سرمایه اندازه گیری می شود. اگر چه برای پیشرفت در این حوزه، باید data mining در سیستم های تجارت الکترونیکی با پل های انتقال داده ها از سیستم پردازش گردش کار به محل انبار داده ها و بر عکس مجتمع شود. چنین ترکیبی به طور قابل توجهی زمان آماده سازی داده ها را کاهش می دهد که طی تحقیقات بدست آمده حدود 80 درصد زمان تکمیل یک تحلیل را بر عهده می گیرد. یک راه حل تلفیقی همچنین می تواند برای کاربران یک رابطه مستقیم بین کاربر و پردازش کامل فوق داده ها را ایجاد کند.
این تحقیق بر اساس مواردی که بعدا ذکر خواهد شد، شکل گرفته است. بخش 2 معماری تلفیقی را توصیف می کند و در مورد اجزای سازنده مهم و پل هایی که آنها را به هم وصل می کنند توضیح می دهد. بخش 3 به تفصیل در مورد جمع آوری داده ها صحبت می کند. یعنی باید داده های بیشتری را نسبت به فایل های ثبتی سرویس دهنده شبکه تاکنون مورد استفاده بوده اند، جمع آوری کرد. بخش 4 در مورد اجزای تحلیل گر صحبت می کند که باید طیف وسیعی از وسایل انتقال داده ها و وسایل آنالیز کردن را فراهم کرد. و در ارتباط با بعضی از مشکلات چالش انگیز در بخش 5 صحبت خواهیم کرد. و در بخش 6 با یک جمع بندی مطلب را به پایان خواهیم برد.

شامل 33 صفحه Word

گزارش آزمایشگاه مبانی مهندسی برق ( آزمایش تعیین مشخصه خروجی مولد جریان مستقیم تحریک مستقیم )

اختصاصی از سورنا فایل گزارش آزمایشگاه مبانی مهندسی برق ( آزمایش تعیین مشخصه خروجی مولد جریان مستقیم تحریک مستقیم ) دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

هدف آزمایش

تئوری آزمایش

نحوه انجام آزمایش ومعرفی دستگاه

اعداد و محاسبات

رسم جداول وترسیم نمودار ها

پاسخ به سوالات

فایل این گزارش در غالب PDF میباشد.

تحقیق در مورد تعیین وزن مخصوص ظاهری

اختصاصی از سورنا فایل تحقیق در مورد تعیین وزن مخصوص ظاهری دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

 تعداد صفحه8

عنوان : تعیین وزن مخصوص ظاهری

مقدمه : جرم خصوص ظاهری یک پارامتر فیزیکی خاک می باشد که بیان کمی آن در بسیاری از مطالعات آب و خاک اهمی بسیار دارد به عنوان شال از این پارامتر در محاسبه تخلخل و رطوبت حجمی خاک بهره جست . جرم مخصوص ظاهری را در دو حالت خشک و تر می توان بیان نمود تفاوت این دو تنها در مرطوب و خشک بودن نمونه خاک مورد استفاده در آزمایش می باشد جرم مخصوص خشک و تر را به دو روش سیلندر و کلوخی اندازه گیری می نمایند .

بررسی منابع

کشفی در حمام

روزی که او در حمامی عمومی به داخل خزینه پا نهاد و در آن نشست و حین این کار بالا آمدن آب خزینه را مشاهده کرده ، ناگهان فکری به مغزش خطور کرد. او بلافاصله لنگی را به دور خود پیچید و با این شکل و شمایل به سمت خانه روان شد و مرتب فریاد می‌زد یافتم، یافتم. او چه چیزی را یافته بود؟ پادشاه به او مأموریت داده بود راز جواهر ساز خیانتکار دربار را کشف و او را رسوا کند. شاه هیرون بر کار جواهر ساز شک کرده بود و چنین می‌پنداشت که او بخشی از طلایی را که برای ساختن تاج شاهی به وی داده بود برای خود برداشته و باقی آن را با فلز نقره که بسیار ارزانتر بود مخلوط کرده و تاج را ساخته است.

هر چند ارشمیدس می‌دانست که فلزات گوناگون وزن مخصوص متفاوت دارند، ولی او تا آن لحظه اینطور فکر می‌کرد که مجبور است تاج شاهی را ذوب کند، آنرا به صورت شمش طلا قالب ریزی کند تا بتواند وزن آن را با شمش طلای نابی به همان اندازه مقایسه کند. اما در این روش تاج شاهی از بین می‌رفت، پس او مجبور بود راه دیگری برای این کار بیابد. در آن روز که در خزینه حمام نشسته بود دید که آب خزینه بالاتر آمد و بلافاصله تشخیص داد که بدن او میزان معینی از آب را در خزینه حمام پس زده و جابجا کرده است.

او با عجله و سراسیمه به خانه بازگشت و شروع به آزمایش عملی این یافته کرد. او چنین اندیشید که اجسام هم اندازه ، مقار آب یکسانی را جابجا می‌کنند، ولی اگر از نظر وزنی به موضوع نگاه کنیم یک شمش نیم کیلویی طلا کوچکتر از یک شمش نقره به همان وزن است (طلا تقریبا دو برابر نقره وزن دارد)، بنابراین باید مقدار کمتری آب را جابجا کند. این فرضیه ارشمیدس بود و آزمایشهای او این فرضیه را اثبات کرد. او برای این کار نیاز به یک ظرف آب و سه وزنه با وزنهای مساوی داشت که این سه وزنه عبارت بودند از تاج شاهی ، هم وزن آن طلای ناب و دوباره هم وزن آن نقره ناب.