بیماری سفیدک سطحی مو

اختصاصی از سورنا فایل بیماری سفیدک سطحی مو دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

مقاله کشاورزی با عنوان بیماری سفیدک سطحی مو در فرمت ورد در 13 صفحه و حاوی مطالب زیر می باشد:
مقدمه
تاریخچه پیدایش بیماری در ایران
مناطق انتشار در ایران
عامل بیماری
زیست شناسی
علایم بیماری
دوره بیماری
نشانه های بیماری
بیولوژی
مبارزه
مبارزه زراعی
مبارزه شیمیایی
توجه
مبارزه شیمیایی

پاور پوینت در مورد آشنایی با ایندکسهای چند سطحی و درختواره ای

اختصاصی از سورنا فایل پاور پوینت در مورد آشنایی با ایندکسهای چند سطحی و درختواره ای دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

فرمت فایل: PowerPoint (قابل ویرایش و آماده پرینت)

 تعداد  اسلاید13

vنگاهداری ایندکس های ساده روی دیسک چه مشکلاتی بهمراه دارد؟

vانواع درخت های دودویی کدامند؟                       (Binary Trees)

vایندکس چند سطحی چگونه است؟            (multi level indexing)

v

vایندکس  B-Tree  چیست؟           (Balanced Trees)                      

لینک دانلود  کمی پایینتر میباشد

دانلود تحقیق کامل درمورد تعیین چگالی بارهای سطحی میان گاه

اختصاصی از سورنا فایل دانلود تحقیق کامل درمورد تعیین چگالی بارهای سطحی میان گاه دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

فرمت فایل: Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

تعداد صفحه :150

بخشی از متن مقاله

فهرست مطالب

فصل اول : ساختارهای دورآلاییده..................................................................... 1

مقدمه................................................................................................................. 2

1-1 نیمه رسانا..................................................................................................... 3

1-2 نیمه رسانا با گذار مستقیم و غیر مستقیم............................................................. 4

1-3 جرم موثر................................................................................................. 4

1-4 نیمه رسانای ذاتی....................................................................................... 6

1-5 نیمه رسانای غیر ذاتی و آلایش............................................................................ 7

1-6 نیمه رساناهای Si و Ge ..............................................................................

1-7 رشد بلور ............................................................................................ 15

1-7-2 رشد رونشستی مواد................................................................................... 15

1-7-3 رونشستی فاز مایع ........................................................................................... 18

1-7-5 رونشستی پرتو مولکولی .................................................................................... 19

1-8 ساختارهای ناهمگون.............................................................................................. 20

 1-9 توزیع حالت‌های انرژی الکترون‌ها در چاه کوانتومی...................................................... 21

1-10 انواع آلایش............................................................................................... 23

1-10-1 آلایش کپه­ای................................................................................................ 24

1-10-2 آلایش مدوله شده (دورآلاییدگی)................................................................. 24

1-10-3 گاز الکترونی دوبعدی ................................................................................ 25

1-10-4 گاز حفره­ای دوبعدی.......................................................................................... 26

1- 11 ویژگی و انواع ساختارهای دور آلاییده ......................................................................... 27

1-11-1 انواع ساختارهای دورآلاییده به­­لحاظ ترتیب رشد لایه­ها ..................................... 27

1-11-2 انواع ساختار دور آلاییده به لحاظ نوع آلاییدگی ( n یا p )................................. 28

1-11-3 انواع ساختار دور آلاییده دریچه­دار.............................................................................. 29

1-12 کاربرد ساختارهای دور آلاییده.......................................................................................... 33

1-12-1 JFET............................................................... 

1-12-2 MESFET ....................................

1-12-3 MESFET پیوندگاه ناهمگون ....................................................................... 35

فصل دوم : اتصال فلز نیمه رسانا (سد شاتکی)................................................................... 38

مقدمه ............................................................................................39

2-1 شرط ایده آل و حالتهای سطحی ................................................................................. 41

2-2 لایه تهی ......................................................................................................... 44

2-3 اثر شاتکی .......................................................................................................... 47

2-4 مشخصه ارتفاع سد............................................................................................. 51

2-4-1 تعریف عمومی و کلی از ارتفاع سد............................................................................... 51

2-4-2 اندازه گیری ارتفاع سد...................................................................................................... 57

2-4-3 اندازه گیری جریان – ولتاژ.............................................................................................. 57

2-4-4 اندازه گیری انرژی فعال سازی................................................................................ 60 

2-4-5 اندازه گیری ولتاژ- ظرفیت.............................................................................................. 60

2-4-6 تنظیم ارتفاع سد ......................................................................................................... 62

2-4-7 کاهش سد ............................................................................................................... 62

2-4-8 افزایش سد................................................................................................. 63

2-5 اتصالات یکسوساز . ................................................................................................. 64

2-6 سدهای شاتکی نمونه  ................................................................................................... 64

فصل سوم : انتقال بار در ساختارهای دورآلاییده............................................... 66

مقدمه.............................................................................................................................. 67

 3-1 ساختار دور آلاییده معکوس p-Si/Si1-XGeX/Si ............................................................

3-2 ساختار نوار ظرفیت ساختار دور آلاییده معکوسp-Si/SiGe/Si..........................

3-3 محاسبه انتقال بار در ساختارهای دور آلاییده............................................................ 71 

3-3-1 آلایش مدوله شده ایده­آل........................................................................................... 71

3-3-2 محاسبات خود سازگار چگالی سطحی حاملها ............................................................ 74

3-3-3 اثر بارهای سطحی بر چگالی گاز حفره­ای ................................................................... 74

3-4 روشهای کنترل چگالی سطحی حاملها .............................................................................. 76

3-4-1 تاثیر تابش نور بر چگالی سطحی حاملها ..................................................................... 77

3-4-2 تاثیر ضخامت لایه پوششی بر چگالی سطحی حاملها................................................ 78

3-4-3 دریچه دار کردن ساختار دور آلاییده ............................................................................ 79

3-5 ساختارهای دورآلاییده معکوس p-Si/SiGe/Si با دریچه بالا ...................................... 79

3-6 انتقال بار در ساختارهای دورآلاییده معکوس با دریچه بالا............................................ 82

3-7 تاثیر بایاسهای مختلف بر روی چگالی سطحی ­حفره­ها ................................................. 83

3-8 ملاحظات تابع موج....................................................................................................... 86

3-9 وابستگی Zav به چگالی سطحی حاملها در ساختارهای بی دریچه.............................. 87

3-10 وابستگی Zav به چگالی سطحی حاملها در ساختارهای دریچه­دار............................ 87

فصل چهارم : نتایج محاسبات  .......................................................................................... 89

مقدمه................................................................................................................ 90

4-1 محاسبات نظری ساختارهای دورآلاییده بی دریچه Si/SiGe/Si ............................

4-1-1 محاسبات نظری ns برحسب Ls ..................................................................

4-1-2 محاسبات نظری ns برحسب NA  ................................................................................

4-1-3 محاسبات نظری ns برحسب nc .................................................................................

4-1-4 محاسبات نظری کلیه انرژیهای دخیل برحسب Ls ..................................................

4-2 محاسبات نظری ساختارهای دورآلاییده دریچه­دار Si/SiGe/Si ................................. 

4-2-1 محاسبات نظری ns برحسب vg ...................................................................................

4-2-2 بررسی نمونه ها با nsur متغیر و تابعی خطی از vg با شیب مثبت ........................ 107

4-2-3 بررسی نمونه ها با nsur متغیر و  تابعی خطی از vg با شیب منفی......................... 114

فصل پنجم : نتایج.................................................................................................... 124

5-1مقایسه سد شاتکی با ساختار دورآلاییده دریچه دار p-Si/SiGe/Si ..........................

5-2 بررسی نمودارهای مربوط به چهار نمونه .................................................................... 125

پیوست ...................................................................................................................... 129

چکیده انگلیسی (Abstract) ................................................................................... 139

منابع.............................................................................................141

چکیده

در ساختارهای Si/SiGe/Si که بوسیله روش رونشانی پرتو مولکولی رشد می­یابند به دلیل ناپیوستگی نوار ظرفیت یک چاه کوانتومی در نوار ظرفیت و در لایه SiGe شکل می­گیرد اگر لایه­های مجاور با ناخالصی­های نوع p آلاییده شده باشند حفره­های لایه آلاییده به داخل چاه کوانتومی می­روند و تشکیل گاز حفره­ای دوبعدی در میانگاه نزدیک لایه آلاییده می­دهند اینگونه ساختارها را ساختار دورآلاییده می نامند .به دلیل جدایی فضایی بین حاملهای آزاد دوبعدی و ناخالصی­های یونیده در ساختارهای دورآلاییده برهمکنش کولنی کاهش یافته و درنتیجه پراکندگی ناشی از ناخالصی­های یونیده کاهش و به تبع آن تحرک­پذیری حاملهای آزاد دوبعدی افزایش می­یابد .چگالی سطحی گاز حفره­ای دوبعدی به پارامترهای ساختار مثلاً ضخامت لایه جداگر ، چگالی سطحی بارهای لایه پوششی ، ضخامت لایه پوششی ، و غیره وابسته است. علاوه بر این در ساختارهای دورآلاییده دریچه­دار با تغییر ولتاِژ دریچه چگالی سطحی گاز حفره­ای قابل کنترل می­باشد . این ساختارها در ساخت ترانزیستورهای اثر میدانی مورد استفاده قرار می­گیرند .

در این پایان نامه ابتدا به تشریح ساختار دورآلاییده  Si/SiGe/Siمی­پردازیم و سپس مدلی نظری که بتواند ویژگیهای الکتریکی گاز حفره­ای دوبعدی درون چاه کوانتومی ساختارp-Si/SiGe/Si  و همچنین میزان انتقال بار آزاد به درون چاه و بستگی آن به پارامترهای ساختار را توجیه کند ارائه می دهیم .در ساختار دورآلاییده معکوس p-Si/SiGe/Si دریچه­دار با دریچه Al/Ti/Si از این مدل نظری استفاده می­کنیم و با برازش نتایج تجربی تغییرات چگالی سطحی گاز حفره­ای بر حسب ولتاژ دریچه توانسته­ایم چگالی سطحی بارهای میانگاه Ti/Si در این ساختارها را در محدوده (m-2) 1015 × 78/1 تا (m-2) 1015 × 63/4  ارزیابی کنیم  .

متن کامل را می توانید بعد از پرداخت آنلاین ، آنی دانلود نمائید، چون فقط تکه هایی از متن به صورت نمونه در این صفحه درج شده است.

دانلود فایل 

پاورپوینت درباره آشنایی با ایندکسهای چند سطحی و درختواره ای

اختصاصی از سورنا فایل پاورپوینت درباره آشنایی با ایندکسهای چند سطحی و درختواره ای دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

فرمت فایل :power point( قابل ویرایش) تعداد اسلاید: 13 اسلاید

vنگاهداری ایندکس های ساده روی دیسک چه مشکلاتی بهمراه دارد؟

vانواع درخت های دودویی کدامند؟                       (Binary Trees)

vایندکس چند سطحی چگونه است؟            (multi level indexing)

v

vایندکس  B-Tree  چیست؟           (Balanced Trees)                      

  نگاهداری ایندکس های ساده روی دیسک چه مشکلاتی بهمراه دارد؟

üعمل جستجوی دودویی روی دیسک تعداد زیادی I/O احتیاج دارد.          ( چرا؟ )

üعملیات مربوط به ایجاد و حذف کلیدها گران تمام می شود.                       ( چرا؟ )

ü

üایندکس باید دائما بطور مرتب شده نگهداری شود.                                 ( چرا؟ )

                                      (راه حل چیست؟)

  انواع درخت های دودویی کدامند؟                     (Binary Trees)

(1درخت دودویی ساده چیست؟ (Simple Binary Tree)                                  

●

●

(2 درخت دودویی Adel’son-Vel’skii-Landis چیست؟                ( (AVL Tree  

(3درخت دودویی صفحه ای چیست؟                            (Paged Binary Tree )

تحقیق درباره تصفیه متعارف آب‌های سطحی و زیرزمینی

اختصاصی از سورنا فایل تحقیق درباره تصفیه متعارف آب‌های سطحی و زیرزمینی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

فرمت فایل : word  (لینک دانلود پایین صفحه) تعداد صفحات 21 صفحه

مقدمه و تشریح :

همواره بایستی تلاش دراین راستا باشد که تا حد امکان از خالص ترین منابع آب برای شرب استفاده شود، حتی اگر این امر به قیمت انتقال آب از مسیرهای طولانی و رساندن آن به مصرف کننده یا تصفیه اندک ویا بدون تصفیه تمام شود. همچنین برای حفظ کیفیت آب مراقبت از منابع آب بسیار ضروری است. اما با این وجود همه ی منابع طبیعی آب برای مطابقت با استانداردهای موجود جهت تامین آب آشامیدنی معمولا نیازمند تصفیه​اند. فرایندهایی که برای تصفیه آب آشامیدنی مورد استفاده قرار می​گیرند بستگی به کیفیت آب منبع استفاده شده دارد.

بیشترآبهای زیر زمینی صاف وعاری از عوامل بیماری زا و همچنین فاقد مقادیر قابل توجهی از مواد هستند. این قبیل آبها را میتوان با استفاده از حداقل مقدار کلر برای جلوگیری از آلودگی شبکه توزیع، در سیستم های آب آشامیدنی مورد استفاده قرار دارد. اما ممکن است بعضی از آبهای زیر زمینی حاوی مقدار زیادی از جامدات محلول، گازها و یا مقادیر اضافی آهن، منگنز و یا حتی مواد آلی و میکروبی باشند که در این صورت به فرایندهای تصفیه ی پیچیده نیاز می باشد، سیستمهای تصفیه معمولا مورد استفاده  قرار می گیرد (برای مصرف شرب) عبارتند از:

1-هوادهی

2-سختی گیری

3-فیلتراسیون

4-گندزدایی

5-ذخیره سازی

 آبهای سطحی غالبا دارای تنوع بیشتری از آلاینده ها نسبت به آبهای زیر زمینی هستند و به همین دلیل فرایند های تصفیه ممکن است برای این قبیل آبها پیچیده تر باشند. بیشتر آبهای سطحی دارای کدورتی  بیش از مقدار تعیین شده توسط استانداردهای آب آشامیدنی می باشند.هر چند جریانهای آبی که با سرعت زیاد در حرکتند ممکن است دارای مواد بزرگتر به حالت معلق باشند.اما بیشتر جامدات در اندازه کلوئیدی بوده و برای جداسازی آنها استفاده از فرایندهای تصفیه مورد نیاز است.سیستم های تصفیه که به طور معمول مورد استفاده قرار می​گیرد عبارتند از:

١- تصفیه مقدماتی (آشغالگیری، تصفیه شیمیایی مقدماتی، ته نشینی مقدماتی، صافیهای مشبک و اندازه گیری جریان آب)

٢-هوادهی

3- انعقاد و لخته سازی

4- سختی گیری

5- فیلتراسیون

6-جذب سطحی

7-فلوئورزنی-فلوئورزدایی

8-تثبیت

9-گندزدایی

- تصفیه مقدماتی

١-١- آشغالگیری

آشغالگیر(screen)

تصفیه خانۀ آب دارای واحدهای مختلفی جهت جداسازی جامدات معلق از آب است. انتخاب یک واحد خاص یا ترکیبی از فرآیندهای مختلف برای حذف جامدات معلق به ویژگی های جامدات، غلظت آنها و درجۀ تصفیۀ آب مورد نیاز بستگی دارد. به عنوان مثال جامدات خیلی بزرگ و سنگین می توانند با شبکه آشغالگیرهای میله​ای یا توریهای ریز جداسازی شوند در جامدات معلق ریزتر و کلوئیدی با ته نشینی به کمک مواد شیمیایی و صاف کردن حذف می شوند.