شبیه سازی ترانزیستورهای ماسفت با نرم افزار سیلواکو

اختصاصی از سورنا فایل شبیه سازی ترانزیستورهای ماسفت با نرم افزار سیلواکو دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

این پکیج حاوی مقالات در قالب های word , pdf , power point می باشد

فصل اول...........................................................................................................................................9

مشخصات JFET..........................................................................................................................10

1-1-مقدمه....................................................................................................................................10

شکل (1-1) الف) تقویت کننده کنترل جریان...............................................................................10

2-1-ساختمان و مشخصه های JFET.........................................................................................12

مقاومت کنترل ولتاژ........................................................................................................................20

قطعات کانال P...............................................................................................................................21

نمادها.............................................................................................................................................22

خلاصه............................................................................................................................................23

فصل دوم........................................................................................................................................25

مشخصات MOSFET.................................................................................................................26

MOSFET نوع تهی....................................................................................................................26

اساس ساختمان..............................................................................................................................26

کار قطعه و مشخصه های آن..........................................................................................................28

شکل (4-2) کاهش در حاملهای آزاد کانال...................................................................................30

MOSFET نوع تهی کانال P.......................................................................................................31

نمادها، ورقه های مشخصه.............................................................................................................32

MOSFET نوع افزایشی..............................................................................................................34

اساس ساختمان..............................................................................................................................35

اساس کار و مشخصه ها.................................................................................................................36

MOSFETهای نوع افزایشی کانال P..........................................................................................43

فصل سوم.......................................................................................................................................45

مولتی ویبراتورها.............................................................................................................................46

مولتی ویبراتور دو حالته.................................................................................................................46

نیاز به تریگر کردن..........................................................................................................................49

مولتی ویبراتور یک حالته نوسانی...................................................................................................49

مولتی ویبراتور یک حالته با کوپلاژ امیتر........................................................................................53

مدارهای مولتی ویبراتور نوسانی.....................................................................................................54

مولتی ویبراتور نوسانی با کوپلاژ جمع کننده..................................................................................55

مولتی ویبراتور نوسانی با کوپلاژ امیتر............................................................................................59

4-2-3-مدار مولتی ویبراتور نوسانی با کوپلاژ امیتر (نوع دوم)....................................................66

مولتی ویبراتور آستابل....................................................................................................................70

فصل چهارم....................................................................................................................................78

4-1-مقدمه....................................................................................................................................79

4-2-شبیه سازی مدارهای منطق دینامیک.....................................................................................87

4-3-مداری برای کاهش توان مصرفی..........................................................................................98

4-3-ارائه ی یک مدار برای مالتی پلکسر...................................................................................105

منابع.............................................................................................................................................111

پاورپوینت ساختار ترانزیستورهای دوقطبی یا پیوندیBJT 29 اسلاید

اختصاصی از سورنا فایل پاورپوینت ساختار ترانزیستورهای دوقطبی یا پیوندیBJT 29 اسلاید دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

دسته بندی : پاورپوینت 

نوع فایل:  ppt _ pptx

( قابلیت ویرایش )

---

 قسمتی از محتوی متن پاورپوینت : 

تعداد اسلاید : 29 صفحه

ساختار ترانزیستورهای دوقطبی یا پیوندی)BJT) فصل چهارم P N P E B C امیترE بیسB Cکلکتور N P N امیترE بیسB Cکلکتور E B C *زمانی ترانزیستور در ناحیه خطی یا فعال کار می کند که دیود بیس امیتر روشن و دیود بیس کلکتور قطع باشد P N P RE VCC R VEE E2 در مقابل جریان حفره ای امیتر مانند سد عمل می کند E1 برای جریان حفره ای امیتر که وارد بیس می شود مانند پرتاب گر عمل می کند E2 بایاس مستقیم بایاس معکوس P N P Ix IPE Ipco Ico IE Inco Ipc جریان حامل های اقلیت میزان حفره تزریقی امیتر IPE جریان امیتر و IE ضریب تزریقی امیترγ = IPE IE مولفه های جریانی ترانزیستور در ناحیه فعال: مقداری از جریان حفره ای که بوسیله الکترون های بیس جذب می شودIx مقداری از جریان حفره ای که از بیس عبور می کندIPC =ضریب گذردهی بیس IPC IPE جریان الکترونی بیس که برای ترکیب با حفره های ، به می آیند Inco C C BC جریان حامل های اقلیت دیود خاموش Ipco * IPC IE = IPC IPE IPE IE = × α*λ=α IC =αIE + Ico IC = IS e VBE τVT کنترل می شودVBE توسط ولتاژ و در نتیجه افزایش قدرت پرتاب گری می شود C و B تنها منجر به افزایش عرض ناحیه تخلیه بین VCB افزایش که در حقیقت تامین کننده جریان حفره ای است بنابراین VBE توسطIC جریان IC≈ IE ازآنجا که می توان از رابطه زیر استفاده کرد: IC برای محاسبه IC = IS e VBE τVT افزایش می دهدμA در حد ICO تاثیری ندارد و تنها IPC اما روی جریان P N P Ix IPE Ipco Ico IE Inco Ipc جریان حامل های اقلیت 2)حل مساله و محاسبه مجهولات با استفاده از اطلاعات بدیهی قبل از حل مساله جریان ها را نامگذاری کنید * IC IE IB IC IE IB 3)چک کردن صحت فرض با استفاده از مجهول های محاسبه شده 1) حدس اولیه ناحیه کار ترانزیستور مساله : DCتحلیل گام های نواحی کار : 1) خطی _ فعال (تقویت کننده): * اطلاعات بدیهی از این حالت: VBE7/ 0 = IC =IE + Ic و IC =αIE و IC =βIB *مجهولات : VCE یا VCB و IC یا IE * حالت های دیودها : 2) اشباع(سوئیچ): * اطلاعات بدیهی از این حالت: VCE7/ 0 = VBC7/ 0 = VBE8/ 0 = IC =IE + Ic IC یا IE * مجهولات: 3) خاموشی ترانزیستور(سوئیچ): * اطلاعات بدیهی از این حالت: IC یا IE

  متن بالا فقط قسمتی از محتوی متن پاورپوینت میباشد،شما بعد از پرداخت آنلاین ، فایل را فورا دانلود نمایید 

---

  لطفا به نکات زیر در هنگام خرید دانلود پاورپوینت:  توجه فرمایید.

• در این مطلب، متن اسلاید های اولیه قرار داده شده است.
• به علت اینکه امکان درج تصاویر استفاده شده در پاورپوینت وجود ندارد،در صورتی که مایل به دریافت  تصاویری از ان قبل از خرید هستید، می توانید با پشتیبانی تماس حاصل فرمایید
• پس از پرداخت هزینه ،ارسال آنی پاورپوینت خرید شده ، به ادرس ایمیل شما و لینک دانلود فایل برای شما نمایش داده خواهد شد
• در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون بالا ،دلیل آن کپی کردن این مطالب از داخل اسلاید ها میباشد ودر فایل اصلی این پاورپوینت،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
• در صورتی که اسلاید ها داری جدول و یا عکس باشند در متون پاورپوینت قرار نخواهند گرفت.
  
• هدف فروشگاه ایران پاورپوینت کمک به سیستم آموزشی و رفاه دانشجویان و علم آموزان میهن عزیزمان میباشد. 
  

---

دانلود فایل  پرداخت آنلاین 

اورپوینت کامل با عنوان آموزش ترانزیستورهای BJT در 49 اسلاید

اختصاصی از سورنا فایل اورپوینت کامل با عنوان آموزش ترانزیستورهای BJT در 49 اسلاید دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

ترانزیستور پیوندی دوقطبی یا بی‌جی‌تی (به انگلیسی: BJT) توعی ترانزیستور است که دارای سه پایه به نامهای بیس (B)، امیتر (E) و کلکتور (C) می‌باشد و چون در این قطعه اثر الکترون‌هاو حفره‌ها هر دو مهم است، به آن ترانزیستور دوقطبی گفته می‌شود و در مقابل ترانزیستورهای تک‌قطبی، مانند ترانزیستور اثر میدان و ترانزیستور اتصال نقطه‌ای، قرار می‌گیرد که تنها یک نوعحامل بار دارند.

ترانزیستور دارای دو پیوندگاه‌است. یکی بین امیتر و بیس و دیگری بین بیس و کلکتور. به همین دلیل ترانزیستور شبیه دو دیود است. دیود سمت چپ را دیود بیس-امیتر یا صرفاً دیود امیتر و دیود سمت راست را دیود کلکتور-بیس یا دیود کلکتور می‌نامند. میزان ناخالصی ناحیه وسط (بیس) به مراتب کمتر از دو ناحیه جانبی است. این کاهش ناخالصی باعث کم شدن هدایت و بالعکس باعث زیاد شدن مقاومت این ناحیه می‌گردد.

امیتر که شدیداً آلائیده شده، نقش گسیل و یا تزریق الکترون به درون بیس را به عهده دارد. بیس بسیار نازک ساخته شده و آلایش آن ضعیف است و بنابراین بیشتر الکترونهای تزریق شده از امیتر را به کلکتور عبور می‌دهد. میزان آلایش کلکتور کمتر از میزان آلایش شدید امیتر و بیشتر از آلایش ضعیف بیس است و کلکتور الکترونها را از بیس جمع‌آوری می‌کند.

محل قرار گرفتن پایه‌ها در هر ترانزیستور ممکن است متفاوت باشد —برای نمونه بیس ممکن است پایهٔ وسط یا کناری باشد— و برای یافتن آن‌ها می‌توان به کتاب‌های اطلاعت ترانزیستور مراجعه کرد. در ترانزیستورهای توان‌بالای صنعتی که به ترانزیستورهای قدرت مشهورند پایهٔ کلکتور اغلب همان بدنهٔ ترانزیستور است.

سطح تماس بین لایهٔ امیتر و بیس نسبت به سطح تماس بین لایهٔ کلکتور و بیس کمتر است. بیشترین حجم بین سه لایه را لایهٔ کلکتور و کمترین حجم را لایهٔ بیس دارد. مقاومت بین پایه‌های بیس-امیتر از مقاومت بین پایه‌های بیس-کلکتور بیشتر است و از این موضوع می‌توان برای تشخیص پایه‌های ترانزیستور استفاده کرد. ولتاژ سد دیودهای ترانزیستور برای ترانزیستورهای سیلیسیم ۰٫۷ ولت و برای ترانزیستورهای ژرمانیوم ۰٫۲ ولت است.

شکل ظاهری ترانزیستورها با توجه به توان و فرکانس کاریشان متفاوت است. در ترانزیستورهای توان‌بالای صنعتی معمولاً سوراخی روی ترانزیستور قرار دارد که برای پیچ‌شدن ترانزیستور به سطوح فلزی هیت‌سینک به کار می‌رود که این کار موجب خنک‌شدن ترانزیستور می‌گردد. اما ترانزستورهایی که در مدارهای معمولی و برای فرکانس‌های بالا ساخته می‌شوند معمولاً این سوراخ را ندارند.

فهرست مطالب:

مقدمه

ساختار ترانزیستور BJT

طرز کار ترانزیستور NPN در ناحیه فعال

عبور جریان

جریان کلکتور

جریان بیس

جریان امیتر

مدل ترانزیستور در ناحیه فعال

ساختار ترنزیستور

علائم مداری

ولتاژ لازم برای بایاس

مثال

نمایش گرافیکی مشخصه ترانزیستور

رابطه جریان و ولتاژ کلکتور

مدار معادل در آرایش امیتر مشترک

نواحی کاری ترانزیستور

ترانزیستور در ناحیه قطع

ترانزیستور در ناحیه اشباع

ترانزیستور BJT به عنوان تقویت کننده

بایاس تقویت کننده امیتر مشترک

منحنی مشخصه تقویت کننده امیتر مشترک

گین تقویت کننده

مثال

ترانزیستور BJT به عنوان سوییچ

مثال

مراحل آنالیز DC ترانزیستور

مثال

شباهت های BJT و CMOS

و...

پاورپوینت با عنوان تحقیق، بررسی و مطالعه کوانتومی ترانزیستورهای مبتنی بر نانولوله های کربنی(CNT) در 18 اسلاید

اختصاصی از سورنا فایل پاورپوینت با عنوان تحقیق، بررسی و مطالعه کوانتومی ترانزیستورهای مبتنی بر نانولوله های کربنی(CNT) در 18 اسلاید دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

وجود یک سری مختصات ویژه نانو لوله‌های کربنی، آن ها را به انتخاب ایده آلی برای بسیاری از کاربردها تبدیل کرده است.

امروزه در روند تحقیق درباره نانو لوله‌ها توجه و تعمق ویژه‌ای بر روی استفاده از آن ها در ساخت ابزارها متمرکز شده است. اکثر پژوهشگرانی که در دانشگاه‌ها و آزمایشگاه‌های تحققاتی سرتاسر دنیا بر روی نانو لوله‌ها کار می‌کنند با خوش‌بینی پیش‌بینی می‌کنند که در آینده‌ای نزدیک نانو لوله‌ها کاربردهای صنعتی وسیعی خواهند داشت.

هم‌اکنون امکان ساخت ابزارهای بسیار جالبی وجود دارد،‌ اما در خصوص موفقیت تجاری‌ آن ها، باید در آینده قضاوت کرد. تقریباً تمام مقالات به طور ضمنی به کاربرد نانو لوله‌ها و بهره‌برداری تجاری از آن ها در آینده اشاره دارند. آینده کاربرد نانو لوله‌ها در بخش الکترونیک روشن است؛ خواص الکتریکی و پایداری شیمیایی بی بدیل نانو لوله‌ها به طور قاطع ما را به سمت استفاده از این خواص سوق خواهد‌ داد. بنابراین در ادامه به شرح چند مورد از حوزه‌های مهم کاربرد نانو لوله‌ها می پردازیم.

ترانزیستورها

نانو لوله‌ها در آستانه کاربرد در ترانزیستورهای سریع هستند، اما آن ها هنوز هم در اتصالات داخلی استفاده می‌شوند. بسیاری از طراحان دستگاه‌ها تمایل دارند به پیشرفت‌هایی دست یابند که آن ها را به افزایش تعداد اتصالات داخلی دستگاه‌ها در فضای کوچک تر، قادر نماید. ترانزیستورهای ساخته شده از نانو لوله‌ها دارای آستانه می‌باشند (یعنی سیگنال باید از یک حداقل توان برخوردار باشد تا ترانزیستور بتواند آن را آشکار کند) که می‌توانند سیگنال‌های الکتریکی زیر آستانه را در شرایط اختلال الکتریکی یا نویزآشکار و ردیابی نمایند. همچنین از آنجایی که ضریب تحرک، شاخص حساسیت یک ترانزیستور برای کشف بار یا شناسایی مولکول مجاور می‌باشد، لذا ضریب تحرک مشخص می‌کند که قطعه تا چه حد می‌تواند خوب کار کند. ضریب تحرک تعیین می‌کند که بارها در یک قطعه چقدر سریع حرکت می‌کنند و این نیز سرعت‌ نهایی یک ترانزیستور را تعیین می‌نماید.

لذا اهمیت استفاده از نانو لوله‌ها و تولید ترانزیستورهای نانو لوله‌ای با داشتن ضریب تحرک برابر با 100 هزار سانتیمتر مربع بر ولت ثانیه در مقابل سیلیکون با ضریب تحرک 1500 سانتیمتر مربع بر ولت ثانیه و ایندیم آنتیمونید (بالاترین رکورد بدست آمده تا به امروز) با ضریب تحرک 77 هزار سانتیمتر مربع بر ولت ثانیه بیش از پیش مشخص می‌شود.

فهرست مطالب:

مقدمه

انواع طراحی ترانزیستور CNT

نوع دوقطبی

نوع CNTFET

انواع CNT ها

دلایل استفاده از نانولوله کربنی

مشخصات عمومی یک CNT

تقسیم بندی نانولوله ها بر اساس بردار کایرال

تاریخچه

مراحل ساخت

انواع روش های ساخت ترانزیستور CNT

گداختگی 

افزایش ناخالصی

تفاوت های دو روش بالا

ساخت گیت NOT با CNTFET

ترانزیستور نانولوله ای دو گیتی

بررسی مشخصات ولتاژ-جریان ترانزیستور CNT

توزیع حامل در نانولوله زیگزاگ

نتیجه گیری

مقاله آنالیز کمی پنی سیلیناز ساکن با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدان AlGaN/GaN آنزیم اصلاح‌شده

اختصاصی از سورنا فایل مقاله آنالیز کمی پنی سیلیناز ساکن با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدان AlGaN/GaN آنزیم اصلاح‌شده دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

این فایل ترجمه فارسی مقاله ی زیر می باشد:

Quantitative analysis of immobilized penicillinase using enzyme-modified AlGaN/GaN field-effect transistors

دانلود رایگان مقاله فارسی

چکیده:

    ترانزیستور های اثر میدان AlGaN/GaN اصلاح شده پنی سیلیناز (PenFET ها) برای بررسی های سیستماتیکی در پنی سیلیناز آنزیم ساکن کووالانسی تحت شرایط آزمایشگاهی مختلف به کار رفته است. ما یک ارزیابی کمی از لایه های پنی سیلیناز آنزیم ساکن کووالانسی در ترانزیستور های اثر میدان (FET ها) حساس به pH با استفاده از مدل جنبشی PenFET انجام داده ایم.  این مدل جنبشی برای ادواتی با لایه های آنزیم نازک مناسب می باشد که در نتیجه برای PenFET ها نیز که در اینجا بحث شده اند مناسب می باشند. به وسیله ابزار مدل جنبشی استخراج ثابت مایکلسون در پنی سیلیناز آنزیم ساکن کووالانسی امکان پذیر می باشد و همچنین ضرایب انتقال نسبی گونه های مختلف مرتبط با واکنش آنزیم نیز امکان پذیر شده است. بر پایه این آنالیز ما تکرارپذیری و پایداری PenFET ها را در طول یک دوره 33 روزه بررسی کرده ایم که در آن اثر pH و غلظت بافر را روی ویژگی های لایه آنزیم بررسی کردیم. به موجب آن اندازه گیری های پایداری ثابت مایکلسون را آشکار کردند که در محدوده  تغییر می کند. نتایج ما نشان می دهد که PenFET های AlGaN/GaN   تهیه شده برای پنی سیلیناز آنزیم ساکن کووالانسی لایه آنزیم یک ابزار قدرتمند را برای آنالیز کمی کارایی آنزیم محیا می کند.

توضیحات: فایل ترجمه ، به صورت ورد می باشد و دارای 17 صفحه است.