سورنا فایل

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

سورنا فایل

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

سیگنال خرید میان مدت و پر بازده - مفاخر

اختصاصی از سورنا فایل سیگنال خرید میان مدت و پر بازده - مفاخر دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

سیگنال خرید میان مدت و پر بازده - مفاخر


سیگنال خرید میان مدت و پر بازده - مفاخر

سیگنال خرید میان مدت و پر بازده مفاخر - تاریخ انتشار 1395/08/30

در این فایل محدوده قیمت خرید، قیمت حمایت، قیمت مقاومت و قیمت هدف مشخص شده است.


دانلود با لینک مستقیم


سیگنال خرید میان مدت و پر بازده - مفاخر

پاورپوینت معرفی و راهنمایی کلی طرح درس «بدیع» و جایگاه آن در میان درس‌های دیگر

اختصاصی از سورنا فایل پاورپوینت معرفی و راهنمایی کلی طرح درس «بدیع» و جایگاه آن در میان درس‌های دیگر دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

پاورپوینت معرفی و راهنمایی کلی طرح درس «بدیع» و جایگاه آن در میان درس‌های دیگر


پاورپوینت معرفی و راهنمایی کلی طرح درس «بدیع» و جایگاه آن در میان درس‌های دیگر

پاورپوینت معرفی و راهنمایی کلی طرح درس «بدیع» و جایگاه آن در میان درس‌های دیگر

فرمت فایل: پاورپوینت 

تعداد اسلاید: 166

 

 

 

 

بخشی از متن

    هدف کلی این درس آشنایی با انواع آرایش‌های لفظی و معنوی کلام ادبی و تشخیص نوع آرایه موجود در آن کلام می‌باشد.

     در این درس نخست به تعریف بدیع لفظی و معنوی می‌پردازیم و بعد به موضوعات مربوط به آرایش کلام ادبی اعم از تشبیه، سجع، تکرار، تمثیل و... به گونه‌ای که «دانشجویان عزیز بتوانند با یادگیری آنها، مصداق آنها را در متون ادبی بیابند.

-

-

بدیع مطالعه در ابزار و شگردها و فنونی است که باعث ایجاد موسیقی کلام می‌شوند (در نثر) و یا موسیقی کلام را افزون‌تر می‌کنند (در شعر)


دانلود با لینک مستقیم


پاورپوینت معرفی و راهنمایی کلی طرح درس «بدیع» و جایگاه آن در میان درس‌های دیگر

دانلود تحقیق کامل درمورد تعیین چگالی بارهای سطحی میان گاه

اختصاصی از سورنا فایل دانلود تحقیق کامل درمورد تعیین چگالی بارهای سطحی میان گاه دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

دانلود تحقیق کامل درمورد تعیین چگالی بارهای سطحی میان گاه


دانلود تحقیق کامل درمورد تعیین چگالی بارهای سطحی میان گاه

 

 

 

 

 

 

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

فرمت فایل: Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

تعداد صفحه :150

 

بخشی از متن مقاله

فهرست مطالب

فصل اول : ساختارهای دورآلاییده..................................................................... 1

مقدمه................................................................................................................. 2

1-1 نیمه رسانا..................................................................................................... 3

1-2 نیمه رسانا با گذار مستقیم و غیر مستقیم............................................................. 4

1-3 جرم موثر................................................................................................. 4

1-4 نیمه رسانای ذاتی....................................................................................... 6

1-5 نیمه رسانای غیر ذاتی و آلایش............................................................................ 7

1-6 نیمه رساناهای Si و Ge ..............................................................................

1-7 رشد بلور ............................................................................................ 15

1-7-2 رشد رونشستی مواد................................................................................... 15

1-7-3 رونشستی فاز مایع ........................................................................................... 18

1-7-5 رونشستی پرتو مولکولی .................................................................................... 19

1-8 ساختارهای ناهمگون.............................................................................................. 20

 1-9 توزیع حالت‌های انرژی الکترون‌ها در چاه کوانتومی...................................................... 21

1-10 انواع آلایش............................................................................................... 23

1-10-1 آلایش کپه­ای................................................................................................ 24

1-10-2 آلایش مدوله شده (دورآلاییدگی)................................................................. 24

1-10-3 گاز الکترونی دوبعدی ................................................................................ 25

1-10-4 گاز حفره­ای دوبعدی.......................................................................................... 26

1- 11 ویژگی و انواع ساختارهای دور آلاییده ......................................................................... 27

1-11-1 انواع ساختارهای دورآلاییده به­­لحاظ ترتیب رشد لایه­ها ..................................... 27

1-11-2 انواع ساختار دور آلاییده به لحاظ نوع آلاییدگی ( n یا p )................................. 28

1-11-3 انواع ساختار دور آلاییده دریچه­دار.............................................................................. 29

1-12 کاربرد ساختارهای دور آلاییده.......................................................................................... 33

1-12-1 JFET............................................................... 

1-12-2 MESFET ....................................

1-12-3 MESFET پیوندگاه ناهمگون ....................................................................... 35

فصل دوم : اتصال فلز نیمه رسانا (سد شاتکی)................................................................... 38


مقدمه ............................................................................................39

2-1 شرط ایده آل و حالتهای سطحی ................................................................................. 41

2-2 لایه تهی ......................................................................................................... 44

2-3 اثر شاتکی .......................................................................................................... 47

2-4 مشخصه ارتفاع سد............................................................................................. 51

2-4-1 تعریف عمومی و کلی از ارتفاع سد............................................................................... 51

2-4-2 اندازه گیری ارتفاع سد...................................................................................................... 57

2-4-3 اندازه گیری جریان – ولتاژ.............................................................................................. 57

2-4-4 اندازه گیری انرژی فعال سازی................................................................................ 60 

2-4-5 اندازه گیری ولتاژ- ظرفیت.............................................................................................. 60

2-4-6 تنظیم ارتفاع سد ......................................................................................................... 62

2-4-7 کاهش سد ............................................................................................................... 62

2-4-8 افزایش سد................................................................................................. 63

2-5 اتصالات یکسوساز . ................................................................................................. 64

2-6 سدهای شاتکی نمونه  ................................................................................................... 64

فصل سوم : انتقال بار در ساختارهای دورآلاییده............................................... 66

مقدمه.............................................................................................................................. 67

 3-1 ساختار دور آلاییده معکوس p-Si/Si1-XGeX/Si ............................................................

3-2 ساختار نوار ظرفیت ساختار دور آلاییده معکوسp-Si/SiGe/Si..........................

3-3 محاسبه انتقال بار در ساختارهای دور آلاییده............................................................ 71 

3-3-1 آلایش مدوله شده ایده­آل........................................................................................... 71

3-3-2 محاسبات خود سازگار چگالی سطحی حاملها ............................................................ 74

3-3-3 اثر بارهای سطحی بر چگالی گاز حفره­ای ................................................................... 74

3-4 روشهای کنترل چگالی سطحی حاملها .............................................................................. 76

3-4-1 تاثیر تابش نور بر چگالی سطحی حاملها ..................................................................... 77

3-4-2 تاثیر ضخامت لایه پوششی بر چگالی سطحی حاملها................................................ 78

3-4-3 دریچه دار کردن ساختار دور آلاییده ............................................................................ 79

3-5 ساختارهای دورآلاییده معکوس p-Si/SiGe/Si با دریچه بالا ...................................... 79

3-6 انتقال بار در ساختارهای دورآلاییده معکوس با دریچه بالا............................................ 82

3-7 تاثیر بایاسهای مختلف بر روی چگالی سطحی ­حفره­ها ................................................. 83

3-8 ملاحظات تابع موج....................................................................................................... 86

3-9 وابستگی Zav به چگالی سطحی حاملها در ساختارهای بی دریچه.............................. 87

3-10 وابستگی Zav به چگالی سطحی حاملها در ساختارهای دریچه­دار............................ 87

فصل چهارم : نتایج محاسبات  .......................................................................................... 89

مقدمه................................................................................................................ 90

4-1 محاسبات نظری ساختارهای دورآلاییده بی دریچه Si/SiGe/Si ............................

4-1-1 محاسبات نظری ns برحسب Ls ..................................................................

4-1-2 محاسبات نظری ns برحسب NA  ................................................................................

4-1-3 محاسبات نظری ns برحسب nc .................................................................................

4-1-4 محاسبات نظری کلیه انرژیهای دخیل برحسب Ls ..................................................

4-2 محاسبات نظری ساختارهای دورآلاییده دریچه­دار Si/SiGe/Si ................................. 

4-2-1 محاسبات نظری ns برحسب vg ...................................................................................

4-2-2 بررسی نمونه ها با nsur متغیر و تابعی خطی از vg با شیب مثبت ........................ 107

4-2-3 بررسی نمونه ها با nsur متغیر و  تابعی خطی از vg با شیب منفی......................... 114

فصل پنجم : نتایج.................................................................................................... 124

5-1مقایسه سد شاتکی با ساختار دورآلاییده دریچه دار p-Si/SiGe/Si ..........................

5-2 بررسی نمودارهای مربوط به چهار نمونه .................................................................... 125

پیوست ...................................................................................................................... 129

چکیده انگلیسی (Abstract) ................................................................................... 139

منابع.............................................................................................141

 

چکیده

در ساختارهای Si/SiGe/Si که بوسیله روش رونشانی پرتو مولکولی رشد می­یابند به دلیل ناپیوستگی نوار ظرفیت یک چاه کوانتومی در نوار ظرفیت و در لایه SiGe شکل می­گیرد اگر لایه­های مجاور با ناخالصی­های نوع p آلاییده شده باشند حفره­های لایه آلاییده به داخل چاه کوانتومی می­روند و تشکیل گاز حفره­ای دوبعدی در میانگاه نزدیک لایه آلاییده می­دهند اینگونه ساختارها را ساختار دورآلاییده می نامند .به دلیل جدایی فضایی بین حاملهای آزاد دوبعدی و ناخالصی­های یونیده در ساختارهای دورآلاییده برهمکنش کولنی کاهش یافته و درنتیجه پراکندگی ناشی از ناخالصی­های یونیده کاهش و به تبع آن تحرک­پذیری حاملهای آزاد دوبعدی افزایش می­یابد .چگالی سطحی گاز حفره­ای دوبعدی به پارامترهای ساختار مثلاً ضخامت لایه جداگر ، چگالی سطحی بارهای لایه پوششی ، ضخامت لایه پوششی ، و غیره وابسته است. علاوه بر این در ساختارهای دورآلاییده دریچه­دار با تغییر ولتاِژ دریچه چگالی سطحی گاز حفره­ای قابل کنترل می­باشد . این ساختارها در ساخت ترانزیستورهای اثر میدانی مورد استفاده قرار می­گیرند .

در این پایان نامه ابتدا به تشریح ساختار دورآلاییده  Si/SiGe/Siمی­پردازیم و سپس مدلی نظری که بتواند ویژگیهای الکتریکی گاز حفره­ای دوبعدی درون چاه کوانتومی ساختارp-Si/SiGe/Si  و همچنین میزان انتقال بار آزاد به درون چاه و بستگی آن به پارامترهای ساختار را توجیه کند ارائه می دهیم .در ساختار دورآلاییده معکوس p-Si/SiGe/Si دریچه­دار با دریچه Al/Ti/Si از این مدل نظری استفاده می­کنیم و با برازش نتایج تجربی تغییرات چگالی سطحی گاز حفره­ای بر حسب ولتاژ دریچه توانسته­ایم چگالی سطحی بارهای میانگاه Ti/Si در این ساختارها را در محدوده (m-2) 1015 × 78/1 تا (m-2) 1015 × 63/4  ارزیابی کنیم  .

متن کامل را می توانید بعد از پرداخت آنلاین ، آنی دانلود نمائید، چون فقط تکه هایی از متن به صورت نمونه در این صفحه درج شده است.

/images/spilit.png

دانلود فایل 


دانلود با لینک مستقیم


دانلود تحقیق کامل درمورد تعیین چگالی بارهای سطحی میان گاه

دانلود مقاله شیوه های اعجاب انگیز برای از میان بردن حالات بد

اختصاصی از سورنا فایل دانلود مقاله شیوه های اعجاب انگیز برای از میان بردن حالات بد دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

دانلود مقاله شیوه های اعجاب انگیز برای از میان بردن حالات بد


دانلود مقاله شیوه های اعجاب انگیز برای از میان بردن حالات بد

آیا شما احساس بدی دارید و یا ناراحت هستید؟ دیگر نگران نباشید. راههای بسیار ساده ای وجود دارند که با استفاده از آن ها می توانید بر عادات نامناسب و اخلاق تند خود فائق آیید. خوش اخلاقی و سرحالی جزئی از خصوصیات ذاتی افراد به شمار نمیرود و نمی توان گفت که آنها همانطوری به دنیا می آیند؛ هیچ کس هم محکوم نیست که تا آخر عمر خود ناراحت و بدحال باقی بماند. میزان خوشحالی، یک مسئله کاملاً اکتسابی است و یاد گرفتن آن هم کار دشواری نیست. هر کس به راحتی می تواند با عادت های بد خود مبارزه کرده و خوش بینی را به زندگی خود راه دهد.

1- از خون آشام های احساسی پرهیز کنید

آیا جذب افرادی می شوید که شما را از نظر احساسی تخلیه کرده و خودشان جزء بازنده ها حساب می شوند؟ آیا مانند یک آهن ربا، افراد بازنده را به خود جذب میکنید؟

می توان گفت که اینگونه افراد خود به خود باتری شما را خالی می کنند، روند زندگی را کند کرده و طرف مقابل را عصبانی و ناراحت میکنند. برای اینکه بتوانید خوشحال، خوش بین و پرانرژی باقی بمانید باید تا آنجایی که امکان دارد از این قبیل افراد دوری کنید. افراد ناراضی و بدبین به راحتی اجازه می دهند تا این خون آشام ها به جانشان بیفتند و احساسات مثبتشان را مستقیماً از مغزشان بمکند. از جمله افراد خون آشام احساسی می توان به افرادی که مرتباً در حال مسخره، انتقاد، تخریب و سرکوب کردن هستند اشاره کرد.

یک لیست از افرادی که در موقعیت های مختلف با آنها برخورد می کنید تهیه کنید و سپس سعی کنید ارتباط خود را با افرادی که در بالا به آنها اشاره کردیم به کمترین میزان برسانید و در یا در صورت امکان ارتباط خود را به طور کلی با آنها قطع کنید. توجه: افراد خوشحال و خوش بین خودشان پیام آور صلح و دوستی هستند و افراد ناراحت و بدبین خودشان به عنوان نوعی خون آشام احساسی تلقی می شوند.

2- ذهن خود را پاکسازی کنید

آیا می توان همانطور که جسم را در بیمارستانها زهرزدایی می کنند، با ذهن نیز همین کار را انجام داد؟ برای اینکه افکار منفی و مخرب را به ذهن خود راه ندهید همیشه باید این "قانون شادکامی" را در ذهن داشته باشید: شما در آن واحد تنها می توانید به یک مسئله فکر کنید. به این معنا که یا می توانید بر روی یک مسئله ناراحت کننده/بد بینانه تمرکز کیند و یا بر روی یک موضوع خوشحال کننده/ خوش بینانه. حق انتخاب با شماست. افراد بدبین معمولاً همیشه در این فکر هستند که چگونه ممکن است شکست بخورند و دیگر نتوانند از جایشان بلند شوند. آنها همیشه انتظار وقوع بدترین اتفاق ها را دارند. از سوی دیگر افراد خوش بین همیشه منتظر بهترین ها هستند. بهتر است ذهن خود را خانه تکانی کنید. زمانیکه به یک مشکل برخورد می کنید سریع به فکر یافتن راه چاره ای برای فائق آمدن و حل آن باشید. افراد بدبین و ناراحت در این شرایط فقط به دنبال گله و شکایت هستند و افراد خوش بین و موفق در پی یافتن راه حل.

3- خوش بینی و خوشحالی با اعداد

آیا به طور وسواسی به سمت افکار منفی کشیده می شوید و حالات بدی به شما دست می دهد؟ یک راه ساده این است که خودتان مسیر حرکت فردیتان را به سمت افکار مثبت تغییر دهید. به راحتی می توانید در تغییر افکار منفی به مثبت یک متخصص شوید. تنها کاری که باید انجام دهید این است که بر روی شمارش و تغییر ایده های منفی به مثبت تمرکز کنید. هر بار که یک فکر منفی به ذهنتان خطور کرد، به سرعت آن را به یک فکر مثبت تغییر دهید. هر بار که این کار را انجام دادید، یک تیک بر روی یک صفحه کاغذ بزنید. هدف شما باید این باشد که تعداد دفعاتی را که نیاز به انجام یک چنین کاری پیدا می کنید، به صفر برسانید.  به عنوان مثال شاید در ابتدا نیاز باشد که به طور روزانه 50 تیک در کاغذ بزنید. به مرور زمان این عدد به 30 و 20 و به 10 میرسد. اگر شما به شدت منفی گرا باشید با انجام این تکنیک تبدیل به یک فرد به شدت مثبت اندیش می شوید.

شامل 7 صفحه فایل word قابل ویرایش


دانلود با لینک مستقیم


دانلود مقاله شیوه های اعجاب انگیز برای از میان بردن حالات بد