سوالات میان ترم ریاضی مهندسی دانشگاه شریف اذر 95 با پاسخ تشریحی دست نویس
سوالات میان ترم ریاضی مهندسی دانشگاه شریف اذر 95 دست نویس
سوالات میان ترم ریاضی مهندسی دانشگاه شریف اذر 95 با پاسخ تشریحی دست نویس
سیگنال خرید میان مدت و پر بازده مفاخر - تاریخ انتشار 1395/08/30
در این فایل محدوده قیمت خرید، قیمت حمایت، قیمت مقاومت و قیمت هدف مشخص شده است.
پاورپوینت معرفی و راهنمایی کلی طرح درس «بدیع» و جایگاه آن در میان درسهای دیگر
فرمت فایل: پاورپوینت
تعداد اسلاید: 166
بخشی از متن
هدف کلی این درس آشنایی با انواع آرایشهای لفظی و معنوی کلام ادبی و تشخیص نوع آرایه موجود در آن کلام میباشد.
در این درس نخست به تعریف بدیع لفظی و معنوی میپردازیم و بعد به موضوعات مربوط به آرایش کلام ادبی اعم از تشبیه، سجع، تکرار، تمثیل و... به گونهای که «دانشجویان عزیز بتوانند با یادگیری آنها، مصداق آنها را در متون ادبی بیابند.
-
-
بدیع مطالعه در ابزار و شگردها و فنونی است که باعث ایجاد موسیقی کلام میشوند (در نثر) و یا موسیقی کلام را افزونتر میکنند (در شعر)
لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*
فرمت فایل: Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)
تعداد صفحه :150
بخشی از متن مقاله
فهرست مطالب
فصل اول : ساختارهای دورآلاییده..................................................................... 1
مقدمه................................................................................................................. 2
1-1 نیمه رسانا..................................................................................................... 3
1-2 نیمه رسانا با گذار مستقیم و غیر مستقیم............................................................. 4
1-3 جرم موثر................................................................................................. 4
1-4 نیمه رسانای ذاتی....................................................................................... 6
1-5 نیمه رسانای غیر ذاتی و آلایش............................................................................ 7
1-6 نیمه رساناهای Si و Ge ..............................................................................
1-7 رشد بلور ............................................................................................ 15
1-7-2 رشد رونشستی مواد................................................................................... 15
1-7-3 رونشستی فاز مایع ........................................................................................... 18
1-7-5 رونشستی پرتو مولکولی .................................................................................... 19
1-8 ساختارهای ناهمگون.............................................................................................. 20
1-9 توزیع حالتهای انرژی الکترونها در چاه کوانتومی...................................................... 21
1-10 انواع آلایش............................................................................................... 23
1-10-1 آلایش کپهای................................................................................................ 24
1-10-2 آلایش مدوله شده (دورآلاییدگی)................................................................. 24
1-10-3 گاز الکترونی دوبعدی ................................................................................ 25
1-10-4 گاز حفرهای دوبعدی.......................................................................................... 26
1- 11 ویژگی و انواع ساختارهای دور آلاییده ......................................................................... 27
1-11-1 انواع ساختارهای دورآلاییده بهلحاظ ترتیب رشد لایهها ..................................... 27
1-11-2 انواع ساختار دور آلاییده به لحاظ نوع آلاییدگی ( n یا p )................................. 28
1-11-3 انواع ساختار دور آلاییده دریچهدار.............................................................................. 29
1-12 کاربرد ساختارهای دور آلاییده.......................................................................................... 33
1-12-1 JFET...............................................................
1-12-2 MESFET ....................................
1-12-3 MESFET پیوندگاه ناهمگون ....................................................................... 35
فصل دوم : اتصال فلز نیمه رسانا (سد شاتکی)................................................................... 38
مقدمه ............................................................................................39
2-1 شرط ایده آل و حالتهای سطحی ................................................................................. 41
2-2 لایه تهی ......................................................................................................... 44
2-3 اثر شاتکی .......................................................................................................... 47
2-4 مشخصه ارتفاع سد............................................................................................. 51
2-4-1 تعریف عمومی و کلی از ارتفاع سد............................................................................... 51
2-4-2 اندازه گیری ارتفاع سد...................................................................................................... 57
2-4-3 اندازه گیری جریان – ولتاژ.............................................................................................. 57
2-4-4 اندازه گیری انرژی فعال سازی................................................................................ 60
2-4-5 اندازه گیری ولتاژ- ظرفیت.............................................................................................. 60
2-4-6 تنظیم ارتفاع سد ......................................................................................................... 62
2-4-7 کاهش سد ............................................................................................................... 62
2-4-8 افزایش سد................................................................................................. 63
2-5 اتصالات یکسوساز . ................................................................................................. 64
2-6 سدهای شاتکی نمونه ................................................................................................... 64
فصل سوم : انتقال بار در ساختارهای دورآلاییده............................................... 66
مقدمه.............................................................................................................................. 67
3-1 ساختار دور آلاییده معکوس p-Si/Si1-XGeX/Si ............................................................
3-2 ساختار نوار ظرفیت ساختار دور آلاییده معکوسp-Si/SiGe/Si..........................
3-3 محاسبه انتقال بار در ساختارهای دور آلاییده............................................................ 71
3-3-1 آلایش مدوله شده ایدهآل........................................................................................... 71
3-3-2 محاسبات خود سازگار چگالی سطحی حاملها ............................................................ 74
3-3-3 اثر بارهای سطحی بر چگالی گاز حفرهای ................................................................... 74
3-4 روشهای کنترل چگالی سطحی حاملها .............................................................................. 76
3-4-1 تاثیر تابش نور بر چگالی سطحی حاملها ..................................................................... 77
3-4-2 تاثیر ضخامت لایه پوششی بر چگالی سطحی حاملها................................................ 78
3-4-3 دریچه دار کردن ساختار دور آلاییده ............................................................................ 79
3-5 ساختارهای دورآلاییده معکوس p-Si/SiGe/Si با دریچه بالا ...................................... 79
3-6 انتقال بار در ساختارهای دورآلاییده معکوس با دریچه بالا............................................ 82
3-7 تاثیر بایاسهای مختلف بر روی چگالی سطحی حفرهها ................................................. 83
3-8 ملاحظات تابع موج....................................................................................................... 86
3-9 وابستگی Zav به چگالی سطحی حاملها در ساختارهای بی دریچه.............................. 87
3-10 وابستگی Zav به چگالی سطحی حاملها در ساختارهای دریچهدار............................ 87
فصل چهارم : نتایج محاسبات .......................................................................................... 89
مقدمه................................................................................................................ 90
4-1 محاسبات نظری ساختارهای دورآلاییده بی دریچه Si/SiGe/Si ............................
4-1-1 محاسبات نظری ns برحسب Ls ..................................................................
4-1-2 محاسبات نظری ns برحسب NA ................................................................................
4-1-3 محاسبات نظری ns برحسب nc .................................................................................
4-1-4 محاسبات نظری کلیه انرژیهای دخیل برحسب Ls ..................................................
4-2 محاسبات نظری ساختارهای دورآلاییده دریچهدار Si/SiGe/Si .................................
4-2-1 محاسبات نظری ns برحسب vg ...................................................................................
4-2-2 بررسی نمونه ها با nsur متغیر و تابعی خطی از vg با شیب مثبت ........................ 107
4-2-3 بررسی نمونه ها با nsur متغیر و تابعی خطی از vg با شیب منفی......................... 114
فصل پنجم : نتایج.................................................................................................... 124
5-1مقایسه سد شاتکی با ساختار دورآلاییده دریچه دار p-Si/SiGe/Si ..........................
5-2 بررسی نمودارهای مربوط به چهار نمونه .................................................................... 125
پیوست ...................................................................................................................... 129
چکیده انگلیسی (Abstract) ................................................................................... 139
منابع.............................................................................................141
چکیده
در ساختارهای Si/SiGe/Si که بوسیله روش رونشانی پرتو مولکولی رشد مییابند به دلیل ناپیوستگی نوار ظرفیت یک چاه کوانتومی در نوار ظرفیت و در لایه SiGe شکل میگیرد اگر لایههای مجاور با ناخالصیهای نوع p آلاییده شده باشند حفرههای لایه آلاییده به داخل چاه کوانتومی میروند و تشکیل گاز حفرهای دوبعدی در میانگاه نزدیک لایه آلاییده میدهند اینگونه ساختارها را ساختار دورآلاییده می نامند .به دلیل جدایی فضایی بین حاملهای آزاد دوبعدی و ناخالصیهای یونیده در ساختارهای دورآلاییده برهمکنش کولنی کاهش یافته و درنتیجه پراکندگی ناشی از ناخالصیهای یونیده کاهش و به تبع آن تحرکپذیری حاملهای آزاد دوبعدی افزایش مییابد .چگالی سطحی گاز حفرهای دوبعدی به پارامترهای ساختار مثلاً ضخامت لایه جداگر ، چگالی سطحی بارهای لایه پوششی ، ضخامت لایه پوششی ، و غیره وابسته است. علاوه بر این در ساختارهای دورآلاییده دریچهدار با تغییر ولتاِژ دریچه چگالی سطحی گاز حفرهای قابل کنترل میباشد . این ساختارها در ساخت ترانزیستورهای اثر میدانی مورد استفاده قرار میگیرند .
در این پایان نامه ابتدا به تشریح ساختار دورآلاییده Si/SiGe/Siمیپردازیم و سپس مدلی نظری که بتواند ویژگیهای الکتریکی گاز حفرهای دوبعدی درون چاه کوانتومی ساختارp-Si/SiGe/Si و همچنین میزان انتقال بار آزاد به درون چاه و بستگی آن به پارامترهای ساختار را توجیه کند ارائه می دهیم .در ساختار دورآلاییده معکوس p-Si/SiGe/Si دریچهدار با دریچه Al/Ti/Si از این مدل نظری استفاده میکنیم و با برازش نتایج تجربی تغییرات چگالی سطحی گاز حفرهای بر حسب ولتاژ دریچه توانستهایم چگالی سطحی بارهای میانگاه Ti/Si در این ساختارها را در محدوده (m-2) 1015 × 78/1 تا (m-2) 1015 × 63/4 ارزیابی کنیم .
متن کامل را می توانید بعد از پرداخت آنلاین ، آنی دانلود نمائید، چون فقط تکه هایی از متن به صورت نمونه در این صفحه درج شده است.
دانلود فایل
آیا شما احساس بدی دارید و یا ناراحت هستید؟ دیگر نگران نباشید. راههای بسیار ساده ای وجود دارند که با استفاده از آن ها می توانید بر عادات نامناسب و اخلاق تند خود فائق آیید. خوش اخلاقی و سرحالی جزئی از خصوصیات ذاتی افراد به شمار نمیرود و نمی توان گفت که آنها همانطوری به دنیا می آیند؛ هیچ کس هم محکوم نیست که تا آخر عمر خود ناراحت و بدحال باقی بماند. میزان خوشحالی، یک مسئله کاملاً اکتسابی است و یاد گرفتن آن هم کار دشواری نیست. هر کس به راحتی می تواند با عادت های بد خود مبارزه کرده و خوش بینی را به زندگی خود راه دهد.
1- از خون آشام های احساسی پرهیز کنید
آیا جذب افرادی می شوید که شما را از نظر احساسی تخلیه کرده و خودشان جزء بازنده ها حساب می شوند؟ آیا مانند یک آهن ربا، افراد بازنده را به خود جذب میکنید؟
می توان گفت که اینگونه افراد خود به خود باتری شما را خالی می کنند، روند زندگی را کند کرده و طرف مقابل را عصبانی و ناراحت میکنند. برای اینکه بتوانید خوشحال، خوش بین و پرانرژی باقی بمانید باید تا آنجایی که امکان دارد از این قبیل افراد دوری کنید. افراد ناراضی و بدبین به راحتی اجازه می دهند تا این خون آشام ها به جانشان بیفتند و احساسات مثبتشان را مستقیماً از مغزشان بمکند. از جمله افراد خون آشام احساسی می توان به افرادی که مرتباً در حال مسخره، انتقاد، تخریب و سرکوب کردن هستند اشاره کرد.
یک لیست از افرادی که در موقعیت های مختلف با آنها برخورد می کنید تهیه کنید و سپس سعی کنید ارتباط خود را با افرادی که در بالا به آنها اشاره کردیم به کمترین میزان برسانید و در یا در صورت امکان ارتباط خود را به طور کلی با آنها قطع کنید. توجه: افراد خوشحال و خوش بین خودشان پیام آور صلح و دوستی هستند و افراد ناراحت و بدبین خودشان به عنوان نوعی خون آشام احساسی تلقی می شوند.
2- ذهن خود را پاکسازی کنید
آیا می توان همانطور که جسم را در بیمارستانها زهرزدایی می کنند، با ذهن نیز همین کار را انجام داد؟ برای اینکه افکار منفی و مخرب را به ذهن خود راه ندهید همیشه باید این "قانون شادکامی" را در ذهن داشته باشید: شما در آن واحد تنها می توانید به یک مسئله فکر کنید. به این معنا که یا می توانید بر روی یک مسئله ناراحت کننده/بد بینانه تمرکز کیند و یا بر روی یک موضوع خوشحال کننده/ خوش بینانه. حق انتخاب با شماست. افراد بدبین معمولاً همیشه در این فکر هستند که چگونه ممکن است شکست بخورند و دیگر نتوانند از جایشان بلند شوند. آنها همیشه انتظار وقوع بدترین اتفاق ها را دارند. از سوی دیگر افراد خوش بین همیشه منتظر بهترین ها هستند. بهتر است ذهن خود را خانه تکانی کنید. زمانیکه به یک مشکل برخورد می کنید سریع به فکر یافتن راه چاره ای برای فائق آمدن و حل آن باشید. افراد بدبین و ناراحت در این شرایط فقط به دنبال گله و شکایت هستند و افراد خوش بین و موفق در پی یافتن راه حل.
3- خوش بینی و خوشحالی با اعداد
آیا به طور وسواسی به سمت افکار منفی کشیده می شوید و حالات بدی به شما دست می دهد؟ یک راه ساده این است که خودتان مسیر حرکت فردیتان را به سمت افکار مثبت تغییر دهید. به راحتی می توانید در تغییر افکار منفی به مثبت یک متخصص شوید. تنها کاری که باید انجام دهید این است که بر روی شمارش و تغییر ایده های منفی به مثبت تمرکز کنید. هر بار که یک فکر منفی به ذهنتان خطور کرد، به سرعت آن را به یک فکر مثبت تغییر دهید. هر بار که این کار را انجام دادید، یک تیک بر روی یک صفحه کاغذ بزنید. هدف شما باید این باشد که تعداد دفعاتی را که نیاز به انجام یک چنین کاری پیدا می کنید، به صفر برسانید. به عنوان مثال شاید در ابتدا نیاز باشد که به طور روزانه 50 تیک در کاغذ بزنید. به مرور زمان این عدد به 30 و 20 و به 10 میرسد. اگر شما به شدت منفی گرا باشید با انجام این تکنیک تبدیل به یک فرد به شدت مثبت اندیش می شوید.
شامل 7 صفحه فایل word قابل ویرایش