تحقیق درمورد محاسبه انتقال گرما در سطوح نانومقیاس 20 ص

اختصاصی از سورنا فایل تحقیق درمورد محاسبه انتقال گرما در سطوح نانومقیاس 20 ص دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 21

محاسبه انتقال گرما در سطوح نانومقیاس

دانشمندان با استفاده از یک نانونوک، با منبع گرمایی نانومقیاس، توانسته‌اند یک سطح موضعی را بدون تماس با آن گرم کنند؛ این کشف راهی به سوی ساخت ابزارهای گرمایی ذخیره اطلاعات و نانودماسنج‌ها خواهد بود.

همه ساله نیاز بشر به ذخیره اطلاعات بیشتر و بیشتر می‌شود. درک چگونگی انتقال گرما در مقیاس نانو لازمه کاربرد این فناوری تأثیرگذار در ذخیره اطلاعات است. دانشمندان سراسر جهان سعی دارند تا فناوری‌های جایگزینی برای سیستم‌های ذخیره اطلاعات کنونی بیابند تا پاسخگوی نیاز روزافزون جوامع امروزی به ذخیره اطلاعات باشد؛ فناوری گرمایی ذخیره اطلاعات از جمله گزینه‌هایی است که به آن رسیده‌اند.

در این روش، با استفاده از یک لیزر، دیسک مورد نظر برای ذخیره اطلاعات را گرم کرده و به این ترتیب فرایند ثبت مغناطیسی پایدار می‌شود، به طوری که نوشتن داده‌ها روی آن آسان‌تر شده، پس از خنک شدن آن می‌توان داده‌ها را مجدداً بازیابی نمود. با استفاده از این روش، مشکل بحرانی حد ابرپارامغناطیسی که دستگاه‌های ضبط مغناطیسی با آن مواجه‌اند، برطرف می‌شود.

در روش‌های کنونی دانشمندان بیت‌های اطلاعاتی را که در دمای اتاق کار می‌کنند، تا اندازه معینی کوچک می‌کنند، اما این بیت‌ها با این کار از لحاظ مغناطیسی ناپایدار شده، از محل خود خارج می‌شوند، در نتیجه اطلاعات روی آنها پاک می‌شود.

بررسی‌های اخیر دانشمندان فرانسوی درباره انتقال گرما بین نوک و سطح به پیشرفت مهمی در زمینه ذخیره گرمایی اطلاعات و دیگر کاربردها منجر شده است. آنها گرمایی را که بیشتر از طریق هوا و به شیوه رسانش، بین نوک سیلیکونی و یک سطح انتقال می‌یابد، محاسبه کردند.

Pierre-Olivier Chapuis از محققان این گروه می‌گوید: ”انتقال گرما در سطح ماکروسکوپی به خوبی شناخته شده است (وقتی برخورد مولکول‌ها در حالت تعادل موضعی ترمودینامیکی باشد با تابع پخش فوریه بیان می‌شود). همچنین انتقال گرما را می‌توان در یک نظام بالستیک خالص (وقتی که هیچ برخوردی بین مولکول‌ها وجود ندارد) محاسبه نمود. اما محاسبه انتقال گرما در نظام میانی، وقتی که مولکول‌ها با هم برخورد دارند، همچنان یک چالش به شمار می‌آید.“

دانشمندان در آزمایش خود از یک نوک دارای منبع گرمایی به ابعاد 20 nm که در فاصله بین صفر تا 50 نانومتری بالای سطح قرار می‌گیرد، استفاده کرده‌اند.

مولکول‌های هوای بین نوک و سطح، در تماس با این نوک داغ، گرم شده و روی سطح دیسک قرار می‌گیرند و گاهی هم قبل از آن با دیگر مولکول‌ها برخورد می‌کنند. این محققان برای اولین بار با استفاده از قانون بولتزمن درباره حرکت گازها، توانستند توزیع گرمایی در این مقیاس و نیز سطوح شارگرمایی را تعیین کنند. آنها نشان دادند که انتقال و انتشار گرما از نوک به سطح در مدت چند ده پیکوثانیه و بدون آن که تماس بین نوک و سطح برقرار شود، انجام می‌گیرد. آنها همچنین دریافتند که در فاصله کمتر از 10 nm این نوک داغ می‌تواند ضمن حفظ شکل، ناحیه‌ای به پهنای 35 nm را گرم کند و در بیشتر از این فاصله، شکل از بین رفته و لکه گرمایی به طور قابل توجهی افزایش می‌یابد.

نانوتکنولوژی در صنایع نیمه‌هادی

صنایع نیمه‌هادی در سیر تکامل خود در حال رسیدن به نقط‌های است که توانایی آن برای تولید نقاط کوچکتر با مشکلاتی جدی همچون اثرات کوانتومی و نوسانات سطوح اتمی روبرو خواهد شد.

مشکلات دیگر در راه پیشرفت CMOS عبارتند از مصرف بالا، اتلاف حرارت و هزینه بسیار بالای ساخت. این مسائل در آینده مانعی سخت برای تولید نیمه‌هادی‌های کارآمد خواهد بود. به گفته NanoMarkets ، نانوتکنولوژی به ادامه پیشرفت و تولید CMOS کمک خواهد کرد و همچنین فناوری‌های جدید را قادر خواهد ساخت تا گوی سبقت را در جلب رضایت بازار از CMOS بربایند.غول‌های بزرگ صنعتی همچون فری‌اسکیل ‌، آی‌بی‌اِم، اینفینئون و اینتل پشتوانة مهمی برای نانوحافظه‌ها به حساب می‌آیند.

یک گزارش جدید از NanoMarkets بیانگر این مطلب است که همان‌طورکه روش‌های کنونی لیتوگرافی به پایان راه خود رسیده‌اند، ابزار‌هایی که برای توسعه، تولید و آزمایش CMOS به کار می‌روند، نیز باید بر پایة نانوتکنولوژی طرح‌ریزی گردند. پرتوافکن مستقیم الکترونیکی که در تولید ASIC به کار می‌رود، نمونه‌های از ابزاری است که به کمک نانوتکنولوژی بوجود آمده‌است. اما نانومارکتز معتقد است که کاربرد واقعی نانوتکنولوژی در تولید محصولات جدید، با توجه به خصوصیات مواد مقیاس نانو می‌باشد. بخش‌هایی از صنعت نیمه‌هادی که بیشترین تأثیر نانوتکنولوژی در آنها دیده می‌شود خارج از مقوله CMOS قرار دارند. به گفته نانومارکتز این موضوع در موارد زیر به وضوح دیده می‌شود.

حافظه غیرفرار: حافظه غیرفرار یکی از عوامل تقویت محاسبات سیار است. اما با توجه به اینکه حجم و سرعت فناوری Flash محدود می‌باشد، حافظه‌های جدید که در طراحی آنها از نانوتکنولوژی بهره گرفته شده است، کارایی بهتری را از خود نشان داده‌اند. FRAM و MRAM نمونه‌هایی از این نوع حافظه‌ها هستند.

الکترونیک پلیمری: سونی، زیراکس و سایرین آماده‌اند که محصولات الکترونیک لایه نازک را وارد بازار کنند. الکترونیک پلیمری، برخلاف CMOS، از خصوصیات حرارتی بسیار خوبی برخوردار است و هزینه‌ تولید در حجم کم را پایین می‌آورد. این خصوصیات امکان تولید محصولات جدیدی را به وجود می‌آورد. در سال 2006 نمایشگر‌های بزرگ رولی و همچنین برچسب‌های RFID با قیمت پایین تولید خواهد شد که امکان استفاده از آنها برای اجناس یک‌بار‌مصرف فراهم خواهد شد

نانوحسگر: نانوحسگرها نسبت به رقبای خود از آستانه تشخیص بسیار پایین‌تری برخوردارند. آنها قادرند در زمینه کشف امراض بیولوژیک نقش مهمی را ایفا کنند. به گونه‌ای که در مورد اعلام وجود سرطان، از سرعت بسیار زیادی برخوردارند

گزارش NanoMarkets بیانگر این مطلب است که نانوتکنولوژی به‌زودی می‌تواند در مدیریت حرارتی و اتصالات داخلی پر‌سرعت، به میزان قابل‌توجهی کمک نماید. در زمینه اتصالات داخلی پرسرعت می‌توان از نانولوله‌ها استفاده نمود زیرا توانایی آنها در انتقال جریان از مس خیلی بیشتر است و می‌توان آنها را به روش‌های قابل انطباق با CMOS‌ها رشد داد (اینفینئون در سال 2002 این قابلیت را نشان داد). از نانولوله‌ها می‌توان خنک‌کننده‌های بسیار خوبی برای رفع مشکلات حرارتی ساخت (همانند قطعاتی که اینتل از سال 2002 به بعد به کارشان گرفت) و یا می‌توان با ایجاد جرقه بین آنها جریانی از هوای خنک تولید نمود

از این گزارش چنین نتیجه گرفته می‌شود که فرصت‌های قابل توجهی در نانوالکترونیک وجود دارد. به‌گونه‌ای

تحقیق درمورد نقش توان راکتیو در شبکه های انتقال و فوق توزیع

اختصاصی از سورنا فایل تحقیق درمورد نقش توان راکتیو در شبکه های انتقال و فوق توزیع دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

فرمت فایل:  ورد ( قابلیت ویرایش ) 

---

قسمتی از محتوی متن ...

تعداد صفحات : 104 صفحه

نقش توان راکتیو در شبکه های انتقال و فوق توزیع چکیده: در این پروژه در مورد نقش توان راکتیو در شبکه های انتقال و فوق توزیع بحث شده است و شامل 5 فصل می باشد که در فصل اول در مورد جبران بار و بارهایی که به جبران سازی نیاز دارند و اهداف جبران بار و جبران کننده های اکتیو و پاسیو و از انواع اصلی جبران کننده ها و جبران کننده های استاتیک بحث شده است و در فصل دوم در مورد وسایل تولید قدرت راکتیو بحث گردیده و درمورد خازنها و ساختمان آنها و آزمایش های انجام شده روی آنها بحث گردیده است و در فصل سوم در مورد خازنهای سری و کاربرد آنها در مدارهای فوق توزیع و ظرفیت نامی آنها اشاره شده است و در فصل چهارم در مورد جبران کننده های دوار شامل ژنراتورها و کندانسورها و موتورهای سنکرون صحبت شده است و در فصل پنجم ترجمه متن انگلیسی که از سایتهای اینترنتی در مورد خازنهای سری می باشد که در مورد UPFC می باشد. فصل اول: جبران بار مقدمه توان راکتیو یکی از مهمترین عواملی است که در طراحی و بهره برداری از سیستم های قدرت AC منظور می گردد علاوه بر بارها اغلب عناصر یک شبکه مصرف کننده توان راکتیو هستند بنابراین باید توان راکتیو در بعضی نقاط سیستم تولید و سپس به محل‌های موردنیاز منتقل شود. در فرمول شماره (1-1) ملاحظه می گردد قدرت راکتیو انتقالی یک خط انتقال به اختلاف ولتاژ ابتدا و انتها خط بستگی دارد همچنین با افزایش دامنه ولتاژ شین ابتدائی قدرت راکتیو جدا شده از شین افزایش می‌یابد و در فرمول شماره (2-1) مشاهده می گردد که قدرت راکتیو تولید شده توسط ژنراتور به تحریک آن بستگی داشته و با تغییر نیروی محرکه ژنراتور می توان میزان قدرت راکتیو تولیدی و یا مصرفی آن را تنظیم نمود در یک سیستم به هم پیوسته نیز با انجام پخش بار در وضعیت های مختلف می‌توان دید که تزریق قدرت راکتیو با یک شین ولتاژ همه شین ها را بالا می برد و بیش از همه روی ولتاژ همه شین تأثیر می گذارد.
لیکن تأثیر زیادی بر زاویه ولتاژ شین ها و فرکانس سیستم ندارد بنابراین قدرت راکتیو و ولتاژ در یک کانال کنترل می شود که آنرا کانال QV قدرت راکتیو- ولتاژ یا مگادار- ولتاژ می گویند در عمل تمام تجهیزات یک سیستم قدرت برای ولتاژ مشخص ولتاژ نامی طراحی می شوند اگر ولتاژ از مقدار نامی خود منحرف شود ممکن است باعث صدمه رساندن به تجهیزات سیستم یا کاهش عمر آنها گردد برای مثال گشتاور یک موتور القایئ یک موتور با توان دوم و ولتاژ ترمینالهای آن متناسب است و یا شارنوری که لامپ مستقیماً با ولتاژ آن تغییر می نماید بنابراین تثبیت ولتاژ نقاط سیستم از لحاظ اقتصادی عملی نمی باشد از طرف دیگر کنترل ولتاژ در حد کنترل فرکانس ضرورت نداشته و در بسیاری از سیستم ها خطای ولتاژ در محدوده 5% تنظیم می شود.
توان راکتیو مصرفی بارها در ساعات مختلف در حال تغییر است لذا ولتاژ و توان راکتیو باید دائماً کنترل شوند در ساعات پربار بارها قدرت راکتیو بیشتری مصرف می کنند و نیاز به تولید قدرت راکتیو زیادی در شبکه می باشد اگر قدرت راکتیو موردنیاز تأمین نشود اجباراً ولتاژ نقاط مختلف کاهش یافته و ممکن است از محدوده مجاز خارج شود.
نیروگاه های دارای سیستم کنترل ولتاژ هستند که کاهش ولتاژ را حس کرده فرمان کنترل لازم را برای بالا بردن تحریک ژنراتور و درنتیجه افزایش

متن بالا فقط تکه هایی از متن به صورت نمونه در این صفحه درج شده است.شما بعد از پرداخت آنلاین فایل را فورا دانلود نمایید

بعد از پرداخت ، لینک دانلود را دریافت می کنید و ۱ لینک هم برای ایمیل شما به صورت اتوماتیک ارسال خواهد شد.

دانلود تحقیق انتقال دوجانبه

اختصاصی از سورنا فایل دانلود تحقیق انتقال دوجانبه دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

چکیده تحقیق:

آزمایش در مورد انتقال دوجانبه می باشد که می خواهیم بدانیم اطلاعاتی که از طریق یک نمیکره دریافت می گردد به نیمکره دیگر منتقل می شود یا خیر؟ آزمایش در 12 مرحله و با استفاده از یک آینه انتقال دو جانبه و یک کنتور برای ثبت زمان و خطاها صورت می پذیرد. آزمودنی برای آزمایش باید مراحل اول و آخر (1 و 12) را با  دست غیر ماهر و مراحل دیگر را با دست ماهر انجام دهد، بدین صورت که جلوی آینه یک صفحه ستاره ای 6 وجهی قرار داد و آزمودنی باید تصویر آنرا از روی صفحه پوشانندة ستاره، در آینه ببیند و قلم فلزی را که به کنتور متصل شده است را در داخل مسیر ستاره ای شکل طی کند. البته جهت حرکت مراحل 1 و 12 باید برخلاف 10 مرحله دیگر باشد.

پژوهش از نوع مطالعه موردی می باشد که نمونة ما یک آزمودنی پسر با سن 21 سال بوده است . پس از بررسی نتایج کار و با توجه به نمودارها می توان نتیجه گرفت  که آزمودنی هر چه به مراحل پایانی نزدیکتر شده. از تعداد خطاهایش کاسته شده است. به گونه‌ای که در مرحله 1 که 228 خطا مرتکب شد، در مرحله 12 این تعداد به 45 خطا رسیده است پس این فرضیه که بر اثر تکرار و تمرین اطلاعات از یک نیمکره به نیمکره دیگر منتقل می شود تأیید شد.

مقدمه:

مغز ما از دو نیمکره تشکیل شده است: نیمکره راست و نیمکره چپ. با آنکه دو نیمکره مغز ظاهراً قرینه یکدیگرند برخی تفاوت های ساختمانی و عملی بین آنها وجود دارد. جسم پینه ای ( رابط پینه ای) با صدها میلیون تار عصبی باعث مبادله دایمی اطلاعات بین دو نمیکره مغز و هماهنگی بین آنها می گردد. اولین اطلاعات مربوط به عدم تعادل کامل نیمکره مغز از مشاهدات بروکا در 1891 بدست آمد که نقش غالب نیمکره چپ را در تکلم نشان می داد. از آن پس نیمکره چپ را غالب و نیمکره راست را مغلوب در نظر می گرفتند تا آنکه بتدریج روشن شد که دو نیمکره مغز مکمل یکدیگرند و هر کدام در اعمال خاصی نسبت به دیگری برتری و استعداد بیشتری دارد.

مقایسه دقیق ساختمانها و اندازه‌ها در نیمکره های چپ و راست برخی تفاوت های تشریحی را بین آن دو نشان می دهد. در اغلب افراد برخی شیارها و شکنهای مغز از جمله ناحیه ورنیکه و شیار (قنات) سیلویوس در نیمکره چپ مغز بزرگتراز نمیکره راست است. یکی دیگر از تفاوتهای تشریحی بین دو نیمکره در جسم پینه ای است. به موجب برخی از پژوهش ها جسم پینه ای در افراد چپ دست بزرگتر از راست دست ها است و به همین دلیل ارتباط بین نیمکره های آنان بهتر از راست دست ها صورت می گیرد. بعضی تحقیقات دیگر نشان داده اند که اندازه رابط پینه ای در مغز زنان به طور متوسط بزرگتر از مردان است و بنابراین ارتباط بین نیمکره ها در آنان بیشتر است (پس در نتیجه باید در آزمایش ما نمره های بالاتری را به دست آورند).

می توان گفت تمام چیزی که ما در این آزمایش می خواهیم بدانیم همانا عملکرد این جسم پینه ای به ظاهر ساده (ولی بسیار مهم مغز) در افراد مختلف است.

18 صفحه فایل Word

تحقیق درباره انتقال داده در مخابرات سیار

اختصاصی از سورنا فایل تحقیق درباره انتقال داده در مخابرات سیار دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 31

انتقال سیار داده‌ها با فن‌آوری ایرانی

محققان گروه پژوهشی مخابرات پژوهشگاه نیرو موفق به طراحی و ساخت مودم رادیویی باند فرکانس UHF شدند که امکان انتقال داده در حالت سیار و نیز بین نقاط زیادی را که در ماطق شهری پراکنده‌اند از جمله سیستم دیسپاچینگ شبکه های برق (توزیع و فوق توزیع)، قرائت خودکار کنتورهای برق ، آب و گاز از راه دور و میان شعبه های بانکی و دفاتر مسافرتی را فراهم می‌کند.

مهندس دولت جمشیدی، مدیر گروه مخابرات پژوهشگاه نیرو و مجری این طرح در گفت‌وگو با خبرنگار پژوهشی خبرگزاری دانشجویان ایران(ایسنا) در مورد این طرح گفت: نیاز روز افزون به انتقال داده‌ها، اهمیت بسیار زیاد تجهیزاتی که این عملیات را انجام می‌دهند آشکار می‌کند که عمده‌ این وسایل مودم‌ها هستند که در این میان مودم‌های رادیویی برای انتقال داده از کانال‌های رادیویی استفاده می‌کنند.

وی در ادامه گفت: با توجه به مزایای فراوان سیستم‌های رادیویی برای انتقال دادن مثل هزینه کمتر، سهولت نصب و بهره‌برداری و همچنین کاربردهای فراوان آنها، پژوهشگاه نیرو از سال 1379 طراحی و ساخت مودم رادیویی در باند فرکانسی UHF را آغاز کرد و پس از تحقیقات و کوششهای فراوان مدل NRM400 را به عنوان مودم رادیویی باند فرکانس UHF با عملکرد نیمه دو طرفه و با نرخ داده ارسالی 9600 بیت بر ثانیه، به عنوان یک جایگزین مناسب برای محیط‌های مخابراتی کابلی که دارای قیمت بالایی هستند ارائه کرد.

وی در مورد ویژگی‌های این مودم گفت: این سیستم به صورت ویژه برای شبکه‌های تله متری و اسکادا و برای کاربردهای نقطه به نقطه و نقطه به چند نقطه طراحی شده است و بیشتر پارامترهای سیستم شامل محدوده فرکانس،‌ توان خروجی فرستنده و نرخ بیت ارسالی به صورت نرم افزاری قابل تنظیم می‌باشند و از این طریق می‌توان پارامترهای مودم رادیویی را متناسب با هر کاربردی، با توجه به مجوز فرکانس اخذ شده، فاصله بین فرستنده و گیرنده و شرایط جغرافیایی آنها و نرخ داده ارسالی مورد نظر به راحتی با نرم‌افزار و بدون نیاز به تغییر سخت افزاری تنظیم کرد.

مهندس جمشیدی در ادامه تصریح کرد: به دنبال انجام موفقیت آمیز تست های عملکردی، محیطی و تست راه دور بر روی محصول این پروژه، در سال 82 دانش فنی مودم رادیویی طراحی و ساخته شده در پژوهشگاه نیرو به شرکت سازگان ارتباط واگذار گردید. صنعتی کردن این سیستم با همکاری بین پژوهشگاه نیرو و شرکت سازگان ارتباط صورت پذیرفت و تمام آزمونهای نوعی بر روی سیستم نهایی به مدل SEM400 مطابق با استاندارد ETS 300-113 در آزمایشگاه مرجع توانیر با موفقیت انجام و گواهی کیفیت کالا توسط شورای ارزیابی توانیر برای این محصول صادر شد.

وی گفت: از جمله ویژگی‌های این مودم، انعطاف‌پذیری بالا به دلیل مجهز بودن به میکرو پروسسور، قابلیت تنظیم فرکانس کار، توان خروجی فرستنده و نرخ بیت ارسالی سیستم به صورت نرم‌افزاری، بازخوانی وتنظیم پارامترهای سیستم، تست لینک رادیویی و ارسال و دریافت داده با استفاده از هر نرم‌افزار استاندارد پورت سریال، مجهز بودن به کدینگ تشخیص خطا (CRC-16 ) و تصحیح خطا (FEC)، فعال شدن خودکار فرستنده با ورود داده (DOX) و دارا بودن قابلیت‌های Bit Scrambling و Packet Interleaving است.

دکتر جمشیدی در ادامه با اشاره به تائیدیه‌های مختلف صادر شده برای محصول در تبیین کاربردهای آن به ایسنا گفت: از کاربردهای این مودم انتقال داده میان تعداد زیادی از نقاط است که در مناطق شهری پراکنده‌اند از جمله سیستم دیپاچینگ شبکه‌های برق (توزیع و فوق توزیع)، قرائت خودکار کنتورها از راه دور، انتقال داده میان شعبه‌های بانکی و دفاتر مسافرتی. از دیگر کاربردهای این تجهیزات انتقال داده میان نقاطی که دسترسی به خطوط رایج مخابراتی ندارند یا استفاده از خطوط کابلی پر هزینه می‌باشد، انتقال داده در حالت سیار، مانیتورینگ شبکه‌های هشدار دهنده برای مواردی مثل سیل، آتش‌سوزی و دخول بدون اجازه و نیز سیستم‌های تله‌متری برای شبکه‌های برق،‌ منابع و لوله‌های گاز و نفت، تجهیزات مربوط به مدیریت منابع آب و فاضلاب، راه‌آهن، معدن، صنعت و کشاورزی و هر محلی که نیاز به اطلاع داشتن این وضعیت شبکه، کنترل سیستم، جمع‌آوری اطلاعات، تشخیص شرایط خطا و محل آن وجود دارد و عملیات کنترل یا تصحیح از راه دور انجام خواهد شد.

وی خاطرنشان کرد: خط تولید مودم رادیویی در شرکت سازگان ارتباط راه اندازی شده و پژوهشگاه نیرو از طریق تست نمونه بر کیفیت محصولات تولیدی نظارت دارد. در حال حاضر شرکت سازگان ارتباط به منظور پیاده سازی اتوماسیون پستهای توزیع شرکت برق منطقه ای تهران، طی قراردادی فروش، نصب و راه اندازی لینک های رادیویی بین 75 پست 20 کیلو ولت با مراکز دیسپاچینگ مربوطه را بر عهده دارد و در مجموع 83 دستگاه مودم رادیویی به برق تهران تحویل خواهد داد.

آشنای با شبکه GSM, (ساختار و طراح)

شبکه GSMمطابق با اصول و تعاریف , بر قراری یک ارتباط تلفنی بین ایستگاههای رادیویی متحرک, مانند تلفنهایی که در اتومبیل نصب می شوند ویا توسط اشخاص حمل و نقل می شوند به نام شبکه رادیویی سیار معروف است.

دانلود پاورپوینت انتقال حرارت

اختصاصی از سورنا فایل دانلود پاورپوینت انتقال حرارت دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

دسته بندی : پاورپوینت 

نوع فایل:  ppt _ pptx

( قابلیت ویرایش )

---

 قسمتی از محتوی متن پاورپوینت : 

تعداد اسلاید : 48 صفحه

انتقال حرارت ( HEAT TRANSFER ) فصل ششم ( HEAT TRANSFER ) ( HEAT TRANSFER ) ( HEAT TRANSFER ) گرمایک نوع سیال است واین نوع سیال فلوجیستون می نامیدند.
تصورفلاسفه قرن 17: انتقال گرما: 1.شدت انتقال گرما (Btu/Hr) 2.مقدارگرما (Btu) شدت انتقال گرما دریک نسبت مستقیم بااختلاف دمای سطح داخل وخارج آن دارد● دیوار: مقدارگرمای انتقال یافته در یک دیوار : بستگی به مقاومت حرارتی مصالح استفاده شده دردیواردارد ● انتقال گرما به سه صورت منتقل می شود : 1.هدایت یا همرفتی ( CONDUCTION ) 2.جابجای )CONVECTION ) 3.تشعشع ( RADIATION ) انتقال گرما بصورت هدایت ( CONDUCTION ) انتقال گرمای که درون اجسام منتقل می شود را گویند اجسام ازنظرانتقال گرما بصورت هدایت دوگونه اند: 1.هادی حرارتند 2.عایق حرارتند 1.وزن مخصوص جسم انتقال گرما بصورت هدایت دریک جسم بستگی مستقیم به: 2.اختلاف دمای دوسطح جسم 3.
ضخامت جسم 4.سطح جسم 5.مدت زمان توان انتقال گرما: مقدارگرمای که ازیک فوت مربع یک جسم به ضخامت یک اینچ دریک ساعت وقتی اختلاف دمای دوسطح آن یک درجه فارنهایت است منتقل می شود.
واحد بی تی یو*اینچ فوت مربع* ساعت * درجه فارنهایت k توان گرمای: مقدارانرژی گرمای که از یک فوت مربع دریک ساعت وقتی اختلاف دما در دوسطح آن یک درجه فارنهایت باشد منتقل می شود.
فوت مربع* ساعت * درجه فارنهایت بی تی یو واحد C مقاومت گرمای: (THERMAL RESISTANCE ) (R) مقاومت جسم درمقابل انتقال حرارت رامقاومت گرمای می گویند.
R=1/c +1/k مقاومت گرمای یک جسم برابربا : ● نسبت مستقیم ● نسبت عکس دارد باتوان انتقال گرمای k باضخامت جسم t انتقال گرما بصورت هدایت از یک دیواردر پوسته خارجی یک بنا که بفرض از بتون 1.بااختلاف دمای داخل وخارج نسبت مستقیم دارد 2.باتوان گرمای بتون که ساختمان دیوار را تشکیل میدهد نسبت مستقیم دارد 3.باضخامت دیوار( )نسبت معکوس دارد t 4.باسطح دیوار ( )نسبت مستقیم دارد A g= A k/t ( t – t ) i o شدت انتقال گرما g یک دیوارگلی به ضخامت 4اینچ رادرنظربگیریدباسطح(50) فوت مربع اگردمای دریک طرف دیوار75 ودرطرف دیگر آن 35 درنظرگرفته شود شدت انتقال گرماازاین دیواررامحاسبه کنید : مثال : q=50 ft ( 4.0 Btu * in / ft .Hr .F 4.0 in ) ( 75 – 35 ) F = 2000 Btu /Hr 2 0 0 2 انتقال گرما بصورت جابجای (CONVECTION) در مایعات وگازها (سیالات ) انجام می شود.
• انتقال گرما بصورت جابجای به دو صورت انجام می شود: 1.بصورت آزاد 2.بصورت اجباری ( FREE CONVECTION ) ( FORCED CONVECTION ) شدت انتقال گرما بصورت جابجای : 1.بااختلاف دمای منبع گرما وسیال مجاورش ( ) t با سطح انتقال گرما ( )2.
A 3.با ضریب جابجای ( ) f g = A f (t – t ) s f مثال : شدت انتقال گرماازیک دیوارکه دمای آن برابربا50 درجه فارنهایت است درمقابل جریان هوابادمای 10 که ضریب جابجای آن برابر 5 Btu / ft .Hr.
F 2 0 است را محاسبه کنید : g= 5 Btu / ft .Hr.
F 2 0 ( 50 – 10 ) F 0 کل مقاومت حرارتی )THERMAL RESISTANCE ) g = k/t ( t ) g = f ) t ( 1 2 ( 1 ) ( 2 ) R = کلی t/k + I/f ضریب کل انتقال حرارتی برابراست باعکس مقاومت کلی : U = I/ R کلی دیوارهای زیرزمین کف زیرزمین دمای آبهای زیرزمین U U 6.

  متن بالا فقط قسمتی از محتوی متن پاورپوینت میباشد،شما بعد از پرداخت آنلاین ، فایل را فورا دانلود نمایید 

---

  لطفا به نکات زیر در هنگام خرید دانلود پاورپوینت:  توجه فرمایید.

• در این مطلب، متن اسلاید های اولیه قرار داده شده است.
• به علت اینکه امکان درج تصاویر استفاده شده در پاورپوینت وجود ندارد،در صورتی که مایل به دریافت  تصاویری از ان قبل از خرید هستید، می توانید با پشتیبانی تماس حاصل فرمایید
• پس از پرداخت هزینه ،ارسال آنی پاورپوینت خرید شده ، به ادرس ایمیل شما و لینک دانلود فایل برای شما نمایش داده خواهد شد
• در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون بالا ،دلیل آن کپی کردن این مطالب از داخل اسلاید ها میباشد ودر فایل اصلی این پاورپوینت،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
• در صورتی که اسلاید ها داری جدول و یا عکس باشند در متون پاورپوینت قرار نخواهند گرفت.
  
• هدف فروشگاه ایران پاورپوینت کمک به سیستم آموزشی و رفاه دانشجویان و علم آموزان میهن عزیزمان میباشد. 
  

---

دانلود فایل  پرداخت آنلاین