پروژه عایق های حرارتی ، صوتی ، رطوبتی و برودتی (آببندی)

اختصاصی از سورنا فایل پروژه عایق های حرارتی ، صوتی ، رطوبتی و برودتی (آببندی) دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

فرمت فایل : WORD (قابل ویرایش)

تعداد صفحات:61

فهرست مطالب:
عنوان                                                                                                                صفحه
• مقدمه.......................................................3
• فصل اول : عایق های حرارتی  .........................4
• فصل دوم : عایق های صوتی  .......................36
• فصل سوم : عایق های رطوبتی،برودتی(آببندی).............................44
• فهرست منابع و مواخذ................................................61

«فصل اول»
«عایق های حرارتی»
عایق ها ی حرارتی بر اساس مواد تشکیل دهنده به چند دسته زیر تقسیم می شوند:
•    عایق های پایه معدنی
•    عایق های پایه شیمیایی
•    عایق های پایه گیاهی
•    عایق های مرکب
•    عایق های جدار و نور گذر
•    عایق های مصالح ساختمانی
•    عایق های مدرن


عایق های پایه معدنی :

تقسم بندی عایقهای حرارتی با این زیر گروه امکان بررسی ویژگیهای مشترک میان عناصر آن را فراهم میسازد .
بارز ترین نقطه مشترک این گروه یافت شدن مواد اولیه آنها چه به صورت خالص و یا ناخالص در معادن بوده و فراوری های انجام شده بر روی آن مواد ساختار مولکولی آنها را دگرگون ننموده است.
در اکثر انواع عایقهای این گروه عنصر سلیسیم (si )یکی از مواد اصلی بوده که ساختار عایق بر پایه آن شکل گرفته است.
برای مثال فراوردهای پشمهای معدنی که از قدیمی ترین و شناخته شده ترین انواع عایقهاست یکی از زیر گروهای آن می باشد
مهم ترین تشابهات در این گروه عبارتند از :

1- تحمل حرارتی بالایی دارند( حتی بعضی از آنها را میتوان جزو مواد دیر گداز نیز به حساب آ ورد.)
2- عموما" سلول باز بوده و جاذب رطوبت میباشند( در برابر نفوذ رطوبت ضعیف میباشند.)
از مذاب سنگهای طبیعی آذرین ساخته می شود. ( استاندارد ملی80 84 بند4-16-2)
از انواع این نوع عایق ها میتوان به پشم شیشه ، پشم سنگ و پشم سرباره اشاره کرد.
پشم سنگ:
پشم سنگ که در زبان انگلیسی Rock wool نامیده می‌شود، جزو خانواده عایق‌های حرارتی متشکل از الیاف معدنی است.
ماده اولیه اصلی برای تولید این عایق، سنگ بازالت، از گروه سنگ‌های آذرین است که بازمانده فعالیت‌های آتش‌فشانی است و در کشور ما به وفور وجود دارد. بدلیل رگه ای بودن مواد اولیه آن محصول تولیدی آن ممکن است دارای خلوص یکنواخت نباشد.
روش تولید پشم سنگ به این صورت است که ابتدا سنگ بازالت در دمای 1500 درجه سانتیگراد ذوب می شود و به صورت سیلیکات مذاب در می آید و سپس مذاب به دست آمده تحت روشهای خاصی به الیافی به قطر حدود 6 میکرون تبدیل میشود .که مجموعه این الیاف پشم سنگ را تشکیل می دهد.

آنالیز شیمیایی و مواد تشکیل دهنده آن عبارتند از :
اکسید سیلیس sio2 46%
اکسید آلومینوم Al2 o3 14%
اکسید تیتانیوم Tio2 1.5%
اکسیدهای آهنFe2 o3+Feo 7.5-8%
اکسید کلسیوم cao 18%
اکسید منیزیمMgo 10%

عایق رطوبتی و حرارتی

اختصاصی از سورنا فایل عایق رطوبتی و حرارتی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

عایق بندی جداره ها و پنجره ها به همراه تمامی جزییات در قالب فایل پی دی اف 45 صفحه ای

سمینار ارشد برق بررسی ساختارهای SiGe بر روی عایق SGOI برای کاربرد در فن آوری CMOS

اختصاصی از سورنا فایل سمینار ارشد برق بررسی ساختارهای SiGe بر روی عایق SGOI برای کاربرد در فن آوری CMOS دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

چکیده

در فصل اول کانال سیلسیمی تحت تنش و انواع روشهای ایجاد تنش در کانال بیان می شود.

در فصل دوم به بررسی فیزیک تنش در سیلسیم پرداخته می شود و تأثیر تنش روی نوارهای هدایت و ظرفیت و جزئیات مربوط به هر کدام از نوارهای ظرفیت و هدایت بیان می شود هم چنین به تأثیر تنش روی قابلیت حرکت نیز اشاره میشود.

در فصل سوم پیرامون ترانزیستورهای MOSFET سیلسیمی روی عایق توضیح داده می شود و سپس انواع این ماسفتها، ویژگیها، مزایا و معایب هر یک بررسی میگردد.

و در نهایت نیز به برخی از روش ها و رهیافتهای جدید که برای بهبود عملکرد ماسفت در آینده کاربرد دارد، اشاره می شود.

مقدمه:

در سال 1965، Gardon Moor پیش بینی کرد تعداد ترانزیستورها در مدار مجتمع، هر 18 تا 24 ماه، دو برابر میشود اما، به واسطه تکنولوژی قطعات پیشرفته این قانون در سالهای بعدی با چالشهای زیادی روبرو شد.

مزایای کوچک شدن ترانزیستورها عبارت است از: کاهش منبع تغذیه، افزایش سرعت و جریان ترانزیستورها و نرخ بالای جریان روشن به جریان خاموشی در ولتاژ منبع پایین تر.

با پیشرفت تکنولوژی به ناحیه ی زیر میکرون، حفظ بهبود عملکرد در هر تولیدی، فقط به وسیله انجام مقیاس، به مسئله مشکل و پیچیده ای تبدیل شده است. مقیاس کردن عمق و عرض نواحی سورس و درین، مقدار بار آزاد را کاهش می دهد و منجر به افزایش غیر قابل پذیرشی در مقاومت قطعه می شود. اثرات طفیلی بسیاری از جمله roll off ولتاژ آستانه، کاهش سد پتانسیل درین، سوراخ شدن ولتاژ آستانه، کاهش سد پتانسیل درین، سوراخ شدن کوتاه خوانده می شوند، در نهایت مقیاس کردن را محدود خواهند کرد. به علت این موانع تحقیقات 10 الی 15 سال اخیر، بر روی روشهای مؤثر برای حفظ عملکرد بالای قطعه و مصرف توان پایین، متمرکز شده است.

همان طور که گفته شد مزایای عملی مقیاس کردن به علت محدودیت های اقتصادی و فیزیکی در حال کاهش است و راه حل های جدیدی پیشنهاد شده است. یکی از این روش ها تغییر در کانال سیلسیمی ماسفت ها می باشد که امکان افزایش قابلیت حرکت حامل و به نوبه ی خود افزایش جریان را به وجود می آورد. در مجموع ساختارهای چند کاناله با لایه های SiGe تحت تنش فشرده و سیلسیم تحت تنش کششی به طور متقارن قابلیت حرکت را برای هردوی الکترون و حفره افزایش خواهند داد و نیز تلفیق SOI به CMOS و استفاده از اکسید مدفون در زیر توده سیلسیم مزایایی شامل کاهش ظرفیت خازنی پیوند، افزایش چگالی مدار (به علت عایق بندی محکم) و کاهش قفل شدگی را ایجاد می کند. با پذیرش Si تحت تنش و SOI، نتیجه مطلوبی از ترکیب این تکنولوژی حاصل میشود.

فصل اول

سیلسیم تحت تنش

1-1) کانال سیلسیم تحت تنش

ایده استفاده از سیلسیم تحت تنش درکانال ماسفت تقریباًً به بیش از 2 دهه بر می گردد. جریان اشباع ماسفت به وسیله معادله زیر بیان میشود.

از این معادله می توان گفت: با کاهش طول کانال ترانزیستور، جریان افزایش می یابد. امروزه، مشکلات اثر طفیلی، ساخت قطعات با مقیاس بندی بیشتر را با مشکل مواجه کرده است. با توجه به معادله فوق دریافت میشود که از طریق قابلیت حرکت نیز می توان جریان ماسفت را افزایش داد. برای انجام این کار، می توان قطعه را روی یک لایه از سیلسیم تحت تنش ساخت. با داشتن یک کانال با سیلسیم تحت تنش قابلیت حرکت حامل در کانال افزایش می یابد. مزیت دیگر تکنولوژی سیلسیم تحت تنش این است که می توان یک شیب زیر آستانه ثابت را حفظ کرد. با استفاده از شیب زیر آستانه ثابت، یک قطعه می تواند برای داشتن ولتاژ آستانه بالاتری نسبت به حالت بدون تنش طراحی شود. با افزایش ولتاژ آستانه، جریان کم می شود اما، به طور هم زمان جریان حالت خاموشی نیز، به مقدار قابل ملاحظه ای کاهش می یابد.

فهرست مطالب:

چکیده 1
مقدمه 2
فصل اول: سیلسیم تحت تنش
1) کانال سیلسیم تحت تنش 4 -1 °
2) روشهای افزایش قابلیت حرکت 4 -1 °
3) سیلسیم تحت تنش: تکنیکهای تنش موضعی و کلی 6 -1 °
4-1 ) تنش تک محوری و دو محوری 8
1-4-1 ) تنش دو محوری 8
2-4-1 ) تنش تک محوری 10
فصل دوم: فیزیک تنش در سیلسیم
1) تنش به علت عدم تطابق ثابت شبکه 14 -2 °
2) ساختار نوار هدایت سیلسیم در تنش کششی دو محوری 16 -2 °
17 Δ 4 valley و Δ2 valley 3) خصوصیات الکترونهای دو بعدی در -2 °
4-2 ) ساختار نوار ظرفیت در سیلسیم تحت تنش 22
5-2 ) اثرات تغییر سطح انرژی نوارهای هدایت و ظرفیت 23
23 VTH 1-5-2 ) کنترل
2-5-2 ) جریان تونلینگ 24
6) افزایش قابلیت حرکت حفره 25 -2
فصل سوم: ماسفتهای روی عایق
1) ماسفتهای سیلسیم روی عایق تحت تنش 28 -3 °
29 (SGOI) روی عایق SiGe (2 -3 °
1-2 ) معرفی 29 -3 °
31 SSOI 3) ساختار - 3
4) ماسفتهای با ساختار ناهمگون کانال دوتایی 32 -3
با کانال SGOI با کانال سطحی و SSOI 5) مقایسه بین ساختارهای -3
CMOS دوتایی در
36
37 SSDOI 6) ساختار -3
39 SiGe 7-3 ) کاربردهای اپیتکسی
فصل پنجم: نتیجه گیری و پیشنهادات
نتیجه گیری 41
پیشنهادات 43
منابع و ماخذ
فهرست منابع لاتین 44