پاورپوینت Ram

اختصاصی از سورنا فایل پاورپوینت Ram دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

دسته بندی : پاورپوینت 

نوع فایل:  ppt _ pptx

( قابلیت ویرایش )

---

 قسمتی از اسلاید پاورپوینت : 

تعداد اسلاید : 23 صفحه

Page 1 to 23 بعد موضوع سمینار:Ram Page 2 to 23 بعد قبل فهرست DImm – SImm و تفاوت آنها RImm تشخیص حضور ارتقاء حافظه Flash memory Mgnetic ram نتیجه‌گیری منابع و ماخذ Ram کاشه سطح 1 و تفاوت SRam, DRam کاشه سطح 2 حافظه اصلی DRam و انواع آن SDRam و انواع آن DDR DRam Page 3 to 23 بعد قبل حافظه سیستم مکانی است که در آنجا کامپیوتر برنامه‌های جاری جاری و داده‌های مورد استفاده را نگهداری می‌کند. ذخیره و بازیابی داده‌ها از یک بلوک بزرگ حافظه زمان بیشتری را نسبت به یک بلوک کوچک می‌طلبد و این امر منجر به ایجاد لایه‌های اضافی کاشه در سلسله مراتب حافظه گردید.
فهرست Page 4 to 23 بعد قبل حافظه کاشه سطح 1 یا حافظه اصلی، روی CPU کامپیوتر قرار می‌گیرد و برای ذخیره موقتی دستورالعمل‌ها و داده‌های سازمان‌دهی شده در بلوک‌های 32 بیتی مورد استفاده قرار می‌گیرد.
این نوع با استفاده از Ram استاتیکی (SDRam) ساخته می‌شوند.
کاشه سطح 1 فهرست Page 5 to 23 بعد قبل حافظه SRam به ازای هر بیت داده از دو ترانزیستور استفاده نموده، ولی DRam یا Ram دینامیکی به ازای هر بیت از یک ترانزیستور به اضافه یک خازن استفاده می‌کند.
فهرست Page 6 to 23 بعد قبل این نوع حافظه در دو اندازه 512kb, 256kb در دسترس بوده و می‌تواند روی مادربورد نصب شود.
هدف حافظه کاشه 2، تامین اطلاعات مورد نیاز پردازنده بدون هرگونه تاخیر می‌باشد. بایوس پردازنده دارای یک پروتکل انتقال ویژه به نام burst mode می‌باشد.
این نوع حافظه نیز مانند کاشه 1 از نوع SRam می‌باشد.
کاشه سطح 2 فهرست Page 7 to 23 بعد قبل سطح سوم حافظه اصلی سیستم Ram است.
این حافظه منبع موقتی نگهداری داده‌ها بوده و محیط حافظه اصلی قابل دسترسی توسط دیسک سخت می‌باشد که به عنوان حافظه میانی بین دیسک سخت و پردازنده به کار می‌رود.
حافظه اصلی فهرست Page 8 to 23 بعد قبل تراشه‌های DRam، آرایه‌های مستطیل شکل بزرگی از سلول‌های حافظه با مدارهای منطقی پشتیبانی هستند که برای خواندن و نوشتن داده‌ها در داخل آرایه‌ها مورد استفاده قرار می‌گیرد.
DRam فهرست Page 9 to 23 بعد قبل زمان دسترسی به داده‌ها، 60 یا 70 نانوثانیه می‌باشد که خواندن داده‌ها توسط واحد مدیریت حافظه ابتدا با فعال کردن سطر متناظر از آرایه،‌ سپس فعال کردن ستون مناسب ارزشیابی و انتقال داده‌ها انجام می‌شود.
fpm DRam(fast page mode DDram) فهرست Page 10 to 23 بعد قبل در سرعت‌های 50.60.70 نانوثانیه عرضه می‌شود و نیازی به غیرفعال شدن ستون ندارد و 27% از fpm سریع‌تر می‌باشد.
EDo DRam(extended data out DDram) فهرست Page 11 to 23 بعد قبل این نوع تکامل EDo است.
داده‌ها برای اجرا باید آمده شوند، سپس زمانی مصرف می‌شود که زمان انتظار را BEDo برطرف نموده و عملکرد سیستم را تا 100% نسبت به fpm و 50% بیشتر از EDo بهبود می‌بخشد.
BEDo DRam(burst extended data out DDram) فهرست Page 12 to 23 بعد قبل اطلاعات را با سرعت 6/1 گیگابایت بر ثانیه انتقال می‌دهد و نیاز چندانی به ایجاد تغییرات در مهندسی مادربورد ندارد.
pc133 SDRam فهرست Page 13 to 23 بعد قبل این حافظه نیز مانند SRam با FsB یا سرعت گذرگاه داده سیستم رابطه دارد.
به عبارت دیگر، حافظه و گذرگاه، د

  متن بالا فقط قسمتی از محتوی متن پاورپوینت میباشد،شما بعد از پرداخت آنلاین ، فایل را فورا دانلود نمایید 

---

  لطفا به نکات زیر در هنگام خرید دانلود پاورپوینت:  توجه فرمایید.

• در این مطلب، متن اسلاید های اولیه قرار داده شده است.
• به علت اینکه امکان درج تصاویر استفاده شده در پاورپوینت وجود ندارد،در صورتی که مایل به دریافت  تصاویری از ان قبل از خرید هستید، می توانید با پشتیبانی تماس حاصل فرمایید
• پس از پرداخت هزینه ،ارسال آنی پاورپوینت خرید شده ، به ادرس ایمیل شما و لینک دانلود فایل برای شما نمایش داده خواهد شد
• در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون بالا ،دلیل آن کپی کردن این مطالب از داخل اسلاید ها میباشد ودر فایل اصلی این پاورپوینت،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
• در صورتی که اسلاید ها داری جدول و یا عکس باشند در متون پاورپوینت قرار نخواهند گرفت.
  
• هدف فروشگاه پاورپوینت کمک به سیستم آموزشی و یادگیری و علم آموزی میباشد. 
  

---

دانلود فایل  پرداخت آنلاین 

تحقیق درباره حافظه RAM

اختصاصی از سورنا فایل تحقیق درباره حافظه RAM دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 48

آنچه در این فصل می آموزید:

( کنترل میزان مصرف حافظه در سیستم

( اجرای برنامه های ارزیابی و سنجش حافظه

(نمایش اطلاعات حافظة ویندوز به کمک برنامة Sandra

( آماده شدن برای ارتقا حافظة سیستم

( عیب یابی نصب حافظه در سیستم

( حذف کاربرد حافظة بسط یافته و حافظة توسعه یافته در محیط ویندوز

( کنترل مقدار فیزیکی مصرف RAM در محیط ویندوز

قبل از اینکه Cpu بتواند برنامه‌ها را اجرا کند، دستورات و اطلاعات آن برنامه باید داخل حافظة Ram کامپیوتر منتقل و مستقر شوند. در این فصل روش نگهداری اطلاعات در حافظة Ram را می آموزید و اینکه چرا اطلاعات داخل حافظة Ram فرار هستند ( یعنی با قطع برق یا خاموش شدن کامپیوتر همة اطلاعات موجود در این حافظه از بین می روند)، و اینکه چرا انواع حافظة Ram عرضه شده اند.

بر روی وب یا داخل مجلات و بروشورها و کتابهای کامپیوتر اغلب توصیه های مطالعه می کنید که مقدار لازم حافظة Ram برای سیستم شما را اعلام می کنند. اغلب اعلام می شود که حداقل 126 تا 512 مگابایت حافظة Ram برای عملکرد مناسب یک سیستم لازم است.

درک مفهوم لایه‌های ذخیره‌سازی

داخل کامپیوترهای شخصی از دیسک‌ها برای نگهداری دایمی و بلند مدت اطلاعات استفاده می‌کنیم. اطلاعات داخل دیسک سخت از طریق مغناطیس نمودن سطح دیسک انجام می‌گیرد. به دلیل روش مغناطیسی ذخیرة اطلاعات در دیسک سخت (در مقابل روش الکترونیکی ) این وسیله قابلیت نگهداری دایمی و بلند مدت اطلاعات را دارد و با قطع برق یا خاموش شدن سیستم اطلاعات مستقردر دیسک از بین نرفته و ماندگار هستند چون دیسک سخت برای نگهداری اطلاعاات نیاز به جریان برق دایمی ندارد. اما حافظة Ram اطلاعات را بطور موقت نگهداری می کند بدیهی است که با قطع برق یا خاموش شدن سیستم این اطلاعات از بین خواهند رفت.

فن‌آوریهای گوناگون برای ذخیره‌سازی اطلعات ابداع شده‌اند که اغلب آنها را بر اساس سرعت، هزینه و ظرفیت ذخیره سازی طبقه‌بندی می‌کنند. معمولاً دیسک‌ها وسایل مکانیکی هستند و به همین دلیل سرعت عملیات آنها نسبت به انواع حافظه‌های الکترونیکی بسیار کندتر است. در شکل زیر نمایی از اواع وسایل ذخیره‌سازی و در سمت راست کندترین وسیلة ذخیره‌سازی را نشان داده‌ایم.

جریان اطلاعات از حافظة RAM به پردازنده (‌CPU)

هرگاه Cpu برای اجرای عملیات به اطلاعات یا دستوری نیاز داشته باشد ابتدا آنها را داخل حافظه میانجی L1 جستجو می‌کند. اگر اطلاعات مورد نیاز را آنجا پیدا نکند به سراغ حافظه میانجی L2 خواهد رفت. اگر اطلاعات مورد نیاز را آنجا هم پیدا نکند پس Cpu باید نشانی آدرس آن اطلاعات را از طریق گذرگاه سیستم به حافظه Ram ارسال نماید. درخواست اطلاعات از Cpu باندا به تراشة کنترل کنندة حافظه می‌رسد.

کنترل کنندة حافظه از آدرس رسیده استفاده می‌کند و اطلاعات یا دستور مورد نیاز Cpu را پیدا می‌کند. پس از اینکه کنترل کنندة حافظه این اطلاعات را پیدا می کند آن را از طریق گذرگاه سیستم به Cpu ارسال می‌کند.

انجام مراحل فوق نیاز به زمان دارند. در سیستم های جدید به منظور افزایش کارایی سیستم از روشهایی استفاده می کنند تا تاخیر

پاورپوینت سمینار درباره Ram

اختصاصی از سورنا فایل پاورپوینت سمینار درباره Ram دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

 فرمت فایل:powerpoint (قابل ویرایش و آماده پرینت)

  تعداد اسلاید:23

فهرست

nRam

nکاشه سطح 1 و تفاوت SRam, DRam

nکاشه سطح 2

nحافظه اصلی

nDRam و انواع آن

nSDRam و انواع آن

nDDR DRam

nDImm – SImm و تفاوت آنها

nRImm

nتشخیص حضور

nارتقاء حافظه

nFlash memory

nMgnetic ram

nنتیجه‌گیری

nمنابع و ماخذ

حافظه سیستم مکانی است که در آنجا کامپیوتر برنامه‌های جاری جاری و  داده‌های مورد استفاده را نگهداری می‌کند.

ذخیره و بازیابی داده‌ها از یک بلوک بزرگ حافظه زمان بیشتری را نسبت به یک بلوک کوچک می‌طلبد و این امر منجر به ایجاد لایه‌های اضافی کاشه در سلسله مراتب حافظه گردید.

دانلود تحقیق حافظه RAM

اختصاصی از سورنا فایل دانلود تحقیق حافظه RAM دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 11

حافظه RAM

 حافظه (RAM(Random Access Memory شناخته ترین نوع حافظه در دنیای  کامپیوتر است . روش دستیابی به این نوع از حافظه ها  تصادفی است . چون می توان به هر سلول حافظه مستقیما" دستیابی پیدا کرد . در مقابل حافظه های RAM ، حافظه های(SAM(Serial Access Memory وجود دارند. حافظه های SAM  اطلاعات را در مجموعه ای از سلول های حافظه ذخیره و صرفا" امکان دستیابی به آنها بصورت ترتیبی وجود خواهد داشت. ( نظیر نوار کاست ) در صورتیکه داده مورد نظر در محل جاری نباشد هر یک از سلول های حافظه به ترتیب بررسی شده تا داده مورد نظر پیدا گردد. حافظه های  SAM در مواردیکه پردازش داده ها الزاما" بصورت ترتیبی خواهد بود مفید می باشند ( نظیر حافظه موجود بر روی کارت های گرافیک ). داده های ذخیره شده در حافظه RAM با هر اولویت دلخواه قابل دستیابی خواهند بود.

مبانی حافظه های RAM

حافظه  RAM ، یک تراشه مدار مجتمع (IC)  بوده که از میلیون ها ترانزیستور و خازن تشکیل شده است .در اغلب حافظه ها  با استفاده و بکارگیری یک خازن و یک ترانزیستور می توان یک سلول  را ایجاد کرد. سلول فوق قادر به نگهداری یک بیت داده خواهد بود. خازن اطلاعات مربوط به بیت را که یک و یا صفر است ، در خود نگهداری خواهد کرد.عملکرد ترانزیستور مشابه یک سوییچ بوده که امکان کنترل مدارات موجود  بر روی تراشه حافظه را بمنظور خواندن مقدار ذخیره شده در خازن و یا تغییر وضعیت مربوط به آن ، فراهم می نماید.خازن مشابه یک ظرف ( سطل)  بوده که قادر به نگهداری الکترون ها است . بمنظور ذخیره سازی مقدار" یک"  در حافظه، ظرف فوق می بایست از الکترونها پر گردد. برای ذخیره سازی مقدار صفر، می بایست ظرف فوق خالی گردد.مسئله مهم در رابطه با خازن، نشت اطلاعات است ( وجود سوراخ در ظرف ) بدین ترتیب پس از گذشت چندین میلی ثانیه یک ظرف مملو از الکترون تخلیه می گردد. بنابراین بمنظور اینکه حافظه بصورت پویا اطلاعات  خود را نگهداری نماید ، می بایست پردازنده و یا " کنترل کننده حافظه " قبل از تخلیه شدن خازن، مکلف به شارژ مجدد آن بمنظور نگهداری مقدار "یک" باشند.بدین منظور کنترل کننده حافظه اطلاعات حافظه را خوانده و مجددا" اطلاعات را بازنویسی می نماید.عملیات فوق (Refresh)، هزاران مرتبه در یک ثانیه تکرار خواهد شد.علت نامگذاری DRAM بدین دلیل است که این نوع حافظه ها مجبور به بازخوانی اطلاعات بصورت پویا خواهند بود. فرآیند تکراری " بازخوانی / بازنویسی اطلاعات" در این نوع حافظه ها باعث می شود که زمان تلف و سرعت حافظه کند گردد.

سلول های حافظه  بر روی یک تراشه  سیلیکون و بصورت آرائه ای مشتمل از ستون ها ( خطوط بیت ) و سطرها ( خطوط کلمات) تشکیل می گردند. نقطه تلاقی یک سطر و ستون بیانگر آدرس سلول حافظه است .

حافظه های DRAM با ارسال یک شارژ به ستون مورد نظر باعث فعال شدن ترانزیستور در هر بیت ستون، خواهند شد.در زمان نوشتن خطوط سطر شامل وضعیتی خواهند شد که خازن می بایست به آن وضغیت تبدیل گردد. در زمان خواندن Sense-amplifier ، سطح شارژ موجود در خازن را اندازه گیری می نماید. در صورتیکه سطح فوق بیش از پنجاه درصد باشد مقدار "یک" خوانده شده و در غیراینصورت مقدار "صفر" خوانده خواهد شد. مدت زمان انجام عملیات فوق بسیار کوتاه بوده و بر حسب نانوثانیه ( یک میلیاردم ثانیه ) اندازه گیری می گردد.  تراشه حافظه ای که دارای سرعت 70 نانوثانیه است ، 70 نانو ثانیه طول خواهد کشید تا عملیات خواندن و بازنویسی هر سلول را انجام دهد.

سلول های حافظه در صورتیکه از روش هائی بمنظور اخذ اطلاعات موجود در  سلول ها استفاده ننمایند، بتنهائی فاقد ارزش خواهند بود. بنابراین لازم است  سلول های حافظه دارای یک زیرساخت کامل حمایتی از مدارات خاص دیگر  باشند.مدارات فوق عملیات زیر را انجام خواهند داد :

مشخص نمودن هر سطر و ستون (انتخاب آدرس سطر و انتخاب آدرس ستون )

نگهداری وضعیت بازخوانی و باز نویسی داده ها ( شمارنده )

خواندن و برگرداندن سیگنال از یک سلول ( Sense amplifier)

اعلام خبر به یک سلول که می بایست شارژ گردد و یا ضرورتی به شارژ وجود ندارد ( Write enable)

سایر عملیات مربوط به "کنترل کننده حافظه" شامل مواردی نظیر : مشخص نمودن نوع سرعت ، میزان حافظه و بررسی خطاء است .

حافظه های SRAM دارای یک تکنولوژی کاملا" متفاوت می باشند. در این نوع از حافظه ها از فلیپ فلاپ برای ذخیره سازی هر بیت حافظه استفاده می گردد. یک فلیپ فلاپ برای یک سلول حافظه، از چهار تا شش ترانزیستور استفاده می کند . حافظه های SRAM نیازمند بازخوانی / بازنویسی اطلاعات نخواهند بود، بنابراین سرعت این نوع از حافظه ها بمراتب از حافظه های DRAM بیشتر است .با توجه به اینکه حافظه های SRAM از بخش های متعددی  تشکیل می گردد، فضای استفاده شده آنها بر روی یک تراشه بمراتب بیشتر از یک سلول حافظه از نوع DRAM خواهد بود. در چنین مواردی  میزان حافظه بر روی یک تراشه کاهش پیدا کرده و همین امر می تواند باعث افزایش قیمت این نوع از حافظه ها گردد. بنابراین حافظه های SRAM سریع و گران و حافظه های DRAM ارزان و کند می باشند . با توجه به موضوع فوق ، از حافظه های SRAM  بمنظور افزایش سرعت پردازنده ( استفاده از Cache) و  از حافظه های DRAM برای فضای حافظه RAM در کامپیوتر استفاده می گردد.

ما ژول های حافظه

تراشه های حافظه در کامییوترهای شخصی در آغاز از یک پیکربندی مبتنی بر Pin با نام (DIP(Dual line Package استفاده می کردند. این پیکربندی مبتنی بر پین،  می توانست لحیم کاری  درون حفره هائی برروی برداصلی کامپیوتر و یا اتصال به یک سوکت بوده  که خود  به  برد اصلی لحیم  شده است .همزمان با افزایش حافظه ، تعداد تراشه های  مورد نیاز، فضای زیادی از برد اصلی

تحقیق درمورد آشنایی با حافظه RAM

اختصاصی از سورنا فایل تحقیق درمورد آشنایی با حافظه RAM دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 21

آشنایی با حافظه RAM

 حافظه (RAM(Random Access Memory شناخته ترین نوع حافظه در دنیای  کامپیوتر است . روش دستیابی به این نوع از حافظه ها  تصادفی است . چون می توان به هر سلول حافظه مستقیما" دستیابی پیدا کرد . در مقابل حافظه های RAM ، حافظه های(SAM(Serial Access Memory وجود دارند. حافظه های SAM  اطلاعات را در مجموعه ای از سلول های حافظه ذخیره و صرفا" امکان دستیابی به آنها بصورت ترتیبی وجود خواهد داشت. ( نظیر نوار کاست ) در صورتیکه داده مورد نظر در محل جاری نباشد هر یک از سلول های حافظه به ترتیب بررسی شده تا داده مورد نظر پیدا گردد. حافظه های  SAM در مواردیکه پردازش داده ها الزاما" بصورت ترتیبی خواهد بود مفید می باشند ( نظیر حافظه موجود بر روی کارت های گرافیک ). اما داده های ذخیره شده در حافظه RAM با هر اولویت دلخواه قابل دستیابی خواهند بود.

مبانی حافظه های RAM

حافظه  RAM ، یک تراشه مدار مجتمع (IC)  بوده که از میلیون ها ترانزیستور و خازن تشکیل شده است .در اغلب حافظه ها  با استفاده و بکارگیری یک خازن و یک ترانزیستور می توان یک سلول  را ایجاد کرد. سلول فوق قادر به نگهداری یک بیت داده خواهد بود. خازن اطلاعات مربوط به بیت را که یک  یا صفر است ، در خود نگهداری خواهد کرد.عملکرد ترانزیستور مشابه یک سوییچ بوده که امکان کنترل مدارات موجود  بر روی تراشه حافظه را به منظور خواندن مقدار ذخیره شده در خازن  یا تغییر وضعیت مربوط به آن ، فراهم می نماید. خازن مشابه یک ظرف ( سطل)  بوده که قادر به نگهداری الکترون ها است . به منظور ذخیره سازی مقدار" یک"  در حافظه، ظرف فوق می بایست از الکترونها پر گردد. برای ذخیره سازی مقدار صفر، می بایست ظرف فوق خالی گردد.مسئله مهم در رابطه با خازن، نشت اطلاعات است ( وجود سوراخ در ظرف ) بدین ترتیب پس از گذشت چندین میلی ثانیه یک ظرف مملو از الکترون تخلیه می گردد. بنابراین به منظور اینکه حافظه بصورت پویا اطلاعات  خود را نگهداری نماید ، می بایست پردازنده  یا " کنترل کننده حافظه " قبل از تخلیه شدن خازن، مکلف به شارژ مجدد آن به منظور نگهداری مقدار "یک" باشند. بدین منظور کنترل کننده حافظه اطلاعات حافظه را خوانده و مجددا" اطلاعات را بازنویسی می نماید.عملیات فوق (Refresh)، هزاران مرتبه در یک ثانیه تکرار خواهد شد.علت نامگذاری DRAM بدین دلیل است که این نوع حافظه ها مجبور به بازخوانی اطلاعات بصورت پویا خواهند بود. فرآیند تکراری " بازخوانی / بازنویسی اطلاعات" در این نوع حافظه ها باعث می شود که زمان تلف و سرعت حافظه کند گردد.

سلول های حافظه  بر روی یک تراشه  سیلیکون و بصورت آرائه ای مشتمل از ستون ها ( خطوط بیت ) و سطرها ( خطوط کلمات) تشکیل می گردند. نقطه تلاقی یک سطر و ستون بیانگر آدرس سلول حافظه است .

حافظه های DRAM با ارسال یک شارژ به ستون مورد نظر باعث فعال شدن ترانزیستور در هر بیت ستون، خواهند شد.در زمان نوشتن خطوط سطر شامل وضعیتی خواهند شد که خازن می بایست به آن وضعیت تبدیل گردد. در زمان خواندن Sense-amplifier ، سطح شارژ موجود در خازن را اندازه گیری می نماید. در صورتیکه سطح فوق بیش از پنجاه درصد باشد مقدار "یک" خوانده شده و در غیراینصورت مقدار "صفر" خوانده خواهد شد. مدت زمان انجام عملیات فوق بسیار کوتاه بوده و بر حسب نانوثانیه ( یک میلیاردم ثانیه ) اندازه گیری می گردد.  تراشه حافظه ای که دارای سرعت 70 نانوثانیه است ، 70 نانو ثانیه طول خواهد کشید تا عملیات خواندن و بازنویسی هر سلول را انجام دهد.