طراحی تقویت کننده کم نویز در باند فراپهن با استفاده از تکنولوژی CMOS

اختصاصی از سورنا فایل طراحی تقویت کننده کم نویز در باند فراپهن با استفاده از تکنولوژی CMOS دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

چکیده:

تقویت کننده های کم نویز، یکی از اجزای اساسی گیرنده در مخابرات بیسیم محسوب می شوند. زیرا عملکرد آنها کارایی سیستم را، از نظر نویز مشخص میکند. هدف اصلی این پایان نامه، تحلیل و طراحی تقویت کننده کم نویز در باند فراپهن توسط تکنولوژی CMOS است. ابتدا عملکرد یک تقویت کننده کم نویز توزیع شده بررسی میشود. سپس مدار پیشنهادی تقویت کننده کم نویز توزیع شده، ارائه میگردد. این تقویت کننده دارای توان مصرفی 30 میلی وات، عدد نویز 3dB، گین 12dB پهنای باند 3/1 تا 10/6 گیگاهرتز میباشد.

در انتها، مدار طراحی شده دوم، که متشکل از دو طبقه گیت مشترک و کسکود میباشد، ارائه میشود. این تقویت کننده دارای توان مصرفی 16/5 میلی وات، گین 26dB، عدد نویز 3dB و پهنای باند 3/1 تا 10/6 گیگاهرتز میباشد.

تقویت کننده های کم نویز طراحی شده با استفاده از تکنولوژی 0/18CMOS میکرون با منبع تغذیه 1/8 ولت طراحی شده است.

فهرست مطالب:

چکیده............................................................................................................................................................................................. 1
مقدمه.............................................................................................................................................................................................. 2
فصل اول: سیستم های فرا پهن باند ...................................................................................................................................... 3
1-1 مقدمه .......................................................................................................................................................................... 4
2-1 تاریخچه ی سیستم های فراپهن باند ..................................................................................................................... 5
5 ................................................................................................................................................. . FCC 3-1 فرا پهن باند در
4-1 فرا پهن باند برای ارتباطات سیار ............................................................................................................................. 6
5-1 تفاوت سیستم های فرا پهن باند با سیستم های باند باریک ............................................................................... 7
6-1 چالشهای طراحی سیستم های فرا پهن باند . ...................................................................................................... 11
فصل دوم: تقویت کننده های کم نویز فراپهن باند و ساختارهای مختلف آن ............................................................... 12
1-2 مقدمه ....................................................................................................................................................................... 13
2-2 طراحی تقویت کننده کم نویز در باند فرا پهن .................................................................................................... 14
3-2 تطبیق امپدانس در تقویت کننده کم نویز فرا پهن باند ..................................................................................... 14
1-3-2 پایانه مقاومتی ............................................................................................................................................ 15
یا گیت مشترک . ......................................................................................................... 16

روشی جدید برای طراحی تقویت کننده های پهن باند با استفاده از الگوریتم های بهینه سازی

اختصاصی از سورنا فایل روشی جدید برای طراحی تقویت کننده های پهن باند با استفاده از الگوریتم های بهینه سازی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

چکیده

در سال های اخیر توجه به مدارهای مایکروویو افزایش یافته است. در بسیاری از کاربردهای مایکروویو غالباً تقویت کننده هایی با پهنای باند وسیع مورد نیاز می باشد. یکی از مدارهایی که برای طراحی تقویت کننده های پهن باند استفاده می شود، مدار تطبیق راکتیو است. در طراحی مدارهای تطبیق راکتیو در روشی موسوم به تطبیق جبران سازی شده، مقدار قابل قبول تغییرات بهره در طول باند را مشخص می کنند و آنگاه مدارهای تطبیق ورودی و خروجی را طوری طراحی می کنند که تغییرات بهره در طول باند از مقدار تعیین شده تجاوز نکند. اگر مدار ورودی و خروجی به طور کامل در طول باند تطبیق شوند، تغییرات بهره در طول باند صفر خواهد بود اما، برای تقویت کننده های پهن باند چنین تطبیقی تقریبا غیرممکن است. دستیابی به تقویت کننده ای با پهنای باند مناسب و تغییرات کم بهره در طول باند طراحی، با تعیین مقدار مناسب المان های مدار تطبیق امکان پذیر است اما، تعیین مقدار مناسب المان ها کاری دشوار و زمانبر می باشد. بنابراین، ارائه روشی به منظور تعیین مقدار مناسب المان ها برای کاهش تغییرات بهره در طول باند طراحی با سرعتی بالا امری ضروری به نظر می رسد. هدف پایان نامه حاضر ارائه روشی جدید برای طراحی تقویت کننده های پهن باند است که علاوه بر کاهش تغییرات بهره در طول باند طراحی، سرعت طراحی را نیز افزایش می دهد. در روش جدید ارائه شده، ابتدا پارامتری به نام خطای تطبیق برای کنترل تغییرات بهره در طول باند تعریف می شود. آنگاه، رابطه ای برای محاسبه خطای تطبیق براساس المان های مقدار تطبیق و پارامترهای S ترانزیستور در فرکانس های باند طراحی استخراج می گردد. سپس به منظور بهینه سازی خطای تطبیق از الگوریتم ژنتیک و الگوریتم بهینه سازی انبوه ذرات استفاده می شود. به منظور بررسی کارایی روش جدید پیشنهاد شده، مدار تطبیق خروجی چندین تقویت کننده با استفاده از روش های تطبیق جبران سازی شده و روش پیشنهاد شده طراحی گردید. نتایج نشان داد زمان طراحی و خطای تطبیق به طور چشمگیری کاهش یافته اند. همچنین سرعت همگرایی الگوریتم بهینه سازی انبوه ذرات بسیار بهتر از الگوریتم ژنتیک بود. در نهایت به عنوان یک نمونه موردی، برای بررسی تغییرات بهره در طول باند طراحی، تقویت کننده ای با روش جدید طراحی و توسط برنامه AWR شبیه سازی شد. این شبیه سازی کارایی روش جدید و تغییرات کم بهره در طول باند را ثابت کرد.

مقدمه

در سال های اخیر توجه به مدارهای مایکروویو برای سیستم های مخابراتی افزایش یافته است و مدارهای فعال و غیرفعال مایکروویوی برای سیستم های مخابرات بیسیم به شدت پیشرفت نموده است. تقویت کننده های مایکروویو یکی از حساس ترین مدارهای فعالی است که در کاربرد سیستم ها استفاده می شود.

طراحی تقویت کننده های مایکروویو با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدان در مدارهای مجتمع مایکروویوی یا مدارهای مجتمع مایکروویوی یکپارچه، در تمام زیر سیستم های ساخته شده برای کاربردهای بیسیم مایکروویو به طور وسیع استفاده می شود. مشخصات تقویت کننده ها به کاربرد آنها وابسته است و طراحی تقویت کننده ها با توجه به کاربرد آنها متفاوت می باشد. مثلاً یک فرستنده مخابراتی بیسیم به یک تقویت کننده رادیویی با توان خروجی زیاد نیاز دارد اما، یک گیرنده مایکروویو به تقویت کننده ای با بهره بالا نیازمند است که سیگنال دریافتی را بدون افزودن هیچ گونه نویزی تقویت نماید. مشخصات گیرنده های مایکروویو بسیار به کاربرد آنها وابسته است. مثلا ممکن است گیرنده های مخابراتی فقط به یک باند باریک اما، قابل تنظیم نیاز داشته باشند در حالی که، گیرنده های رادارهای تجاری به یک فرکانس ثابت با پهنای متوسط (متناسب با معکوس پهنای پالس) نیازمندند. به هرحال سیستم های جنگ الکترونیک و مخابرات نوری به پهنای باند زیادی نیاز دارند. پهنای باند زیاد در سیستم های جنگ الکترونیک برای اصلاح فرکانس های غیر قطعی منتشر شده و در سیستم های مخابرات فیبر نوری برای افزایش نرخ انتقال دیتا استفاده می شود.

فلسفه طراحی تقویت کننده های پهن باند، به دست آوردن بهره ای هموار در سرتاسر باند فرکانسی تعیین شده می باشد.

مشکلاتی که ممکن است در طراحی این نوع تقویت کننده ها با آنها مواجه شویم، عبارتند از:

– تغییرات IS21I و IS12I با فرکانس. به عنوان مثال، IS21I با فرکانس به نرخ 6 دسیبل بر اکتاو کاهش می یابد و IS12I با فرکانسی با همین نرخ، افزایش می یابد.

– پارامترهای پراکندگی S11 و S22 نیز، به فرکانس وابسته می باشند و تغییرات ایجاد شده در آنها در طیف گسترده ای از فرکانس ها حائز اهمیت می باشد.

– در برخی از دامنه های فرکانسی تقویت کننده پهن باند، می توان شاهد افت عدد نویز و VSWR بود.

اساساً تقویت کننده های توان پهن باند در مقایسه با تقویت کننده های توان باند باریک دارای توان راندمان افزوده کمتری تقریباً بین 8 تا 19 درصد هستند زیرا، طراحی تقویت کننده با هدف ماکزیمم کردن توان خروجی بر روی یک باند چند اکتاوی بازده را تحت تاثیر قرار می دهد.

رایج ترین و بهترین روش های مداری که برای طراحی تقویت کننده های پهن باند در تکنولوژی هایبرید و یکپارچه استفاده می شود عبارتند از:

– مدار تطبیق راکتیو

– مدار توزیعی موج متحرک

– مدار فیدبک

– مدار تطبیق تلفاتی.

این روش ها در فصل اول بررسی خواهند شد.

در طراحی مدارهای تطبیق راکتیو در روشی موسوم به تطبیق جبران سازی شده، مقدار قابل قبول تغییرات بهره در طول باند را مشخص می کنند و آنگاه مدارهای تطبیق ورودی و خروجی را طوری طراحی می کنند که تغییرات بهره در طول باند از مقدار تعیین شده تجاوز نکند. اگر مدار ورودی و خروجی به طور کامل در طول باند تطبیق شوند، تغییرات بهره در طول باند صفر خواهد بود اما، برای تقویت کننده های پهن باند چنین تطبیقی تقریباً غیرممکن است. دستیابی به تقویت کننده ای با پهنای باند مناسب و تغییرات کم بهره در طول باند طراحی، با تعیین مقدار مناسب المان های مدار تطبیق امکان پذیر است اما، تعیین مقدار مناسب المان ها کاری دشوار و زمانبر می باشد. بنابراین، ارائه روشی به منظور تعیین مقدار مناسب المان ها برای کاهش تغییرات بهره در طول باند طراحی با سرعتی بالا امری ضروری به نظر می رسد. هدف پایان نامه حاضر ارائه روشی جدید برای طراحی تقویت کننده های پهن باند است که علاوه بر کاهش تغییرات بهره در طول باند طراحی، سرعت طراحی را نیز افزایش می دهد.

تعداد صفحه : 152

طراحی و شبیه سازی یک آپ امپ تلسکوپی کسکود OTA با استفاده از نرم افزار Hspice

اختصاصی از سورنا فایل طراحی و شبیه سازی یک آپ امپ تلسکوپی کسکود OTA با استفاده از نرم افزار Hspice دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

طراحی و شبیه سازی یک آپ امپ تلسکوپی کسکود OTA با استفاده از نرم افزار Hspice در تکنولوژی 0.18 میکرومتر

به همراه گزارش کار پروژه در قالب word

بخشی از داکیومنت پروژه:

هدف از انجام این پروژه شبیه سازی مدار آپ امپ تلسکوپی کسکود ارائه شده از سوی استاد محترم می باشد. در این شبیه سازی هدف طراحی مدار با استفاده از تکنولوژی 0.18 میکرومتر می باشد به شرطی که کل توان مصرفی مدار از 7 میلی وات تجاوز نکند. 

برای شروع طراحی بایستی جریان عبوری از هر یک از شاخه ها را محاسبه نماییم. با توجه به اینکه کل توان نباید بیش از 7 میلی وات باشد و با توجه به استفاده از منبع تغذیه 1.8 ولتی، حداکثر جریان مجاز کشیده شده از منبع برابر با 3.88 میلی آمپر خواهد بود. ما در طراحی کل جریان را برابر 3.8 میلی آمپر در نظر گرفته و لذا جریان هر یک از شاخه های مدار برابر 1.9 میلی آمپر خواهد بود.

پس از نامگذاری تمامی گره ها، نت لیست مدار را در فایل نت پد نوشته و با مقادیر دلخواه ابتدایی مدار را شبیه سازی می کنیم تا پارامترهایی نظیر ولتاژ ترشهلد ترانزیستورها را بدست آوریم. پس از آن با استفاده از تکنیک منابع ولتاژ کمکی و تنظیم ولتاژ Vds تزانزیستورها بر روی مقادیر معقول، به تنظیم جریان ترانزیستورها با تنظیم Vgs و w آنها خواهیم پرداخت. برای مثال یک منبع ولتاژ 0.9 ولتی در گره خروجی قرار می دهیم تا ولتاژ آن بر روی 0.9 (VDD/2) تنظیم شود. ولتاژ Vds تزانزیستورهای بخش پایینی را روی 0.3 و بخش بالایی را روی 0.45 تنظیم کرده و شبیه سازی را انجام می دهیم. برای اکتیو بودن ترانزیستورها بایستی مقدار Vds آنها از Vgs-Vthبیشتر باشد. برای این منظور و با معلوم بودن مقادیر Vds و Vth پارامتر Vgs را بدست آورده و با معلوم بودن ولتاژ سورس ترانزیستورها (استفاده از منابع ولتاژ کمکی) مقدار ولتاژ گیت ترانزیستور ها بدست خواهد آمد. به بیان ساده تر مقادیر DC منابع ولتاژ Vb1 تا Vb3 و نیز مقدار dc ولتاژ ورودی.

برای دانلود رایگان نتایج پروژه کلیک کنید.

راهنمای استفاده از کاتالوگ SKF (سازنده برتر انواع بلبرینگ ها) به صورت فارسی

اختصاصی از سورنا فایل راهنمای استفاده از کاتالوگ SKF (سازنده برتر انواع بلبرینگ ها) به صورت فارسی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

راهنمای استفاده از کاتالوگ SKF (سازنده برتر انواع بلبرینگ ها) به صورت فارسی که ترجمه کاتالوگ انگلیسی شرکت سازنده بلبرینگ  Bearing می باشد که تمامی گراش ها در صنعت می توانند به این مجموعه مراجعه و طبق استاندارد های داخل کتاب استفاده کنند.

دانلود پروژه کنترل اتوماتیک دما با استفاده از میکروکنترلر AT89C51

اختصاصی از سورنا فایل دانلود پروژه کنترل اتوماتیک دما با استفاده از میکروکنترلر AT89C51 دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

پروژه مورد نظر کنترل اتوماتیک دما با استفاده از میکروکنترلر AT89C51 می باشد که بطور مختصر بدین ترتیب است که دما توسط یک سنسور حرارتی لمس شده و سپس این دما توسط یک مبدل آنالوگ به دیجیتال (ADC) به میکرو داده شده و میکرو با استفاده از برنامه ریزی که از قبل شده است که سه دما برای سنجش دارد اگر دمای مورد نظر را T بنامیم در این صورت عملکرد میکروکنترلر در خروجی بصورت زیر است:

اگر T<T1 باشد رله شماره I فعال می گردد.

اگر T1<T<T2 باشد رله شماره II فعال می گردد.

و اگر T2<T<T3 باشد رله شماره III فعال می گردد.

و اگر T>T3 باشد رله شماره IV فعال می گردد.

 

و یکی از خروجی های میکروکنترلر به یک Display وصل است که از نوع LCD بوده و می توان دمای T1 و T2 و T3 مورد نظر را وارد کرد و همچنین پیغام اینکه کدام رله فعال است را در آن مشاهده کرد Relay # › is active  که هر قسمت مدار مفصل توضیح داده می شود.

میکروکنترلر در برابر میکروپرسسورهای همه منظوره:

منظور از یک میکروپرسسور (ریزپردازنده ) میکروپرسسورهایی از خانواده Intel همانند X86 مثل  و …. این میکروپرسسورها فاقد  و پورت های I/O در درون خود تراشه هستند به این دلیل به آنها میکروپرسسورهای همه منظوره گویند.

طراحی سیستمی که از میکروپرسسورهای همه منظوره استفاده می نماید باید در خارج آن RAM و ROM ، پورت های I/O و تایمرها را اضافه نمود تا سیستمی قابل کار ساخته شود این افزایش به قابلیت انعطاف آنها می افزاید این توانمندی در میکروکنترلرها امکان پذیر نیست یک میکروکنترلر دارای یک cpu به همراه مقدار ثابتی از RAM ، ROM ، پورت های I/O و تایمر درون خود می باشد بنابراین طراح نمی تواند یک حافظه، I/O یا تایمری را بدون گسترش لازم آن از بیرون اضافه نماید مقدار ثابت

RAM  و  ROM و مقدار پورت های تثبیت شده در میکروکنترلرها آنها را برای کاربردهائی که قیمت و محفظه در آنها بحرانی است ایده آل کرده است.

پروژه    1
میکروکنترلر در برابر میکروپروسسورهای همه منظوره    2
میکروکنترلر AT89C51    3
توصیف پایه های 89C51    4
     1- XTAL2 , XTAL1    5
     2- RST    5
     3-     5
     4-      6
     5- ALE    6
پایه های پورت I/O    6
پورت (P0)0 به عنوان ورودی    7
سنسور دما LM35    7
شکل دهی سیگنال و اتصال LM35 به AT89C51    8
تراشه ADCO804 و اتصال آن AT89C51    9
پایه های ADCO804    9
     1- CS    9
     2- RD (خواندن)    10
     3- WR (نوشتن؛ نام بهتر آن “آغاز تبدیل” است)    10
CLIR , CLKIN    10
فهرست مطالب

عنوان    صفحه
INTR (وقفه ، نام بهتر آن “پایان تبدیل” است)    11
VIN (-), VIN (+)    11
VREF/2    11
DO-D7    12
A-GND (زمین آنالوگ) D-GND (زمین دیجیتال)    12
نتیجه گیری از معرفی پایه های ADCO804    12
اتصال صفحه کلید به CPU (میکروکنترلر AT89C51 )     13
پویش و شناسایی کلید فشرده شده     14
اتصال LCD به AT89C51    14
VEE, VSS, VCC    15
RS (انتخابگر ثبات)    15
R/W (خواندن و نوشتن)    15
E (فعال)    15
DO-D7    16
ارسال فرمان به LCD    18
ارسال داده ها به LCD    18
خروجی های مدار     18

شامل 18 صفحه فایل word