سورنا فایل

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

سورنا فایل

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

دانلود تحقیق کامل درمورد تعیین چگالی بارهای سطحی میان گاه

اختصاصی از سورنا فایل دانلود تحقیق کامل درمورد تعیین چگالی بارهای سطحی میان گاه دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

دانلود تحقیق کامل درمورد تعیین چگالی بارهای سطحی میان گاه


دانلود تحقیق کامل درمورد تعیین چگالی بارهای سطحی میان گاه

 

 

 

 

 

 

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

فرمت فایل: Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

تعداد صفحه :150

 

بخشی از متن مقاله

فهرست مطالب

فصل اول : ساختارهای دورآلاییده..................................................................... 1

مقدمه................................................................................................................. 2

1-1 نیمه رسانا..................................................................................................... 3

1-2 نیمه رسانا با گذار مستقیم و غیر مستقیم............................................................. 4

1-3 جرم موثر................................................................................................. 4

1-4 نیمه رسانای ذاتی....................................................................................... 6

1-5 نیمه رسانای غیر ذاتی و آلایش............................................................................ 7

1-6 نیمه رساناهای Si و Ge ..............................................................................

1-7 رشد بلور ............................................................................................ 15

1-7-2 رشد رونشستی مواد................................................................................... 15

1-7-3 رونشستی فاز مایع ........................................................................................... 18

1-7-5 رونشستی پرتو مولکولی .................................................................................... 19

1-8 ساختارهای ناهمگون.............................................................................................. 20

 1-9 توزیع حالت‌های انرژی الکترون‌ها در چاه کوانتومی...................................................... 21

1-10 انواع آلایش............................................................................................... 23

1-10-1 آلایش کپه­ای................................................................................................ 24

1-10-2 آلایش مدوله شده (دورآلاییدگی)................................................................. 24

1-10-3 گاز الکترونی دوبعدی ................................................................................ 25

1-10-4 گاز حفره­ای دوبعدی.......................................................................................... 26

1- 11 ویژگی و انواع ساختارهای دور آلاییده ......................................................................... 27

1-11-1 انواع ساختارهای دورآلاییده به­­لحاظ ترتیب رشد لایه­ها ..................................... 27

1-11-2 انواع ساختار دور آلاییده به لحاظ نوع آلاییدگی ( n یا p )................................. 28

1-11-3 انواع ساختار دور آلاییده دریچه­دار.............................................................................. 29

1-12 کاربرد ساختارهای دور آلاییده.......................................................................................... 33

1-12-1 JFET............................................................... 

1-12-2 MESFET ....................................

1-12-3 MESFET پیوندگاه ناهمگون ....................................................................... 35

فصل دوم : اتصال فلز نیمه رسانا (سد شاتکی)................................................................... 38


مقدمه ............................................................................................39

2-1 شرط ایده آل و حالتهای سطحی ................................................................................. 41

2-2 لایه تهی ......................................................................................................... 44

2-3 اثر شاتکی .......................................................................................................... 47

2-4 مشخصه ارتفاع سد............................................................................................. 51

2-4-1 تعریف عمومی و کلی از ارتفاع سد............................................................................... 51

2-4-2 اندازه گیری ارتفاع سد...................................................................................................... 57

2-4-3 اندازه گیری جریان – ولتاژ.............................................................................................. 57

2-4-4 اندازه گیری انرژی فعال سازی................................................................................ 60 

2-4-5 اندازه گیری ولتاژ- ظرفیت.............................................................................................. 60

2-4-6 تنظیم ارتفاع سد ......................................................................................................... 62

2-4-7 کاهش سد ............................................................................................................... 62

2-4-8 افزایش سد................................................................................................. 63

2-5 اتصالات یکسوساز . ................................................................................................. 64

2-6 سدهای شاتکی نمونه  ................................................................................................... 64

فصل سوم : انتقال بار در ساختارهای دورآلاییده............................................... 66

مقدمه.............................................................................................................................. 67

 3-1 ساختار دور آلاییده معکوس p-Si/Si1-XGeX/Si ............................................................

3-2 ساختار نوار ظرفیت ساختار دور آلاییده معکوسp-Si/SiGe/Si..........................

3-3 محاسبه انتقال بار در ساختارهای دور آلاییده............................................................ 71 

3-3-1 آلایش مدوله شده ایده­آل........................................................................................... 71

3-3-2 محاسبات خود سازگار چگالی سطحی حاملها ............................................................ 74

3-3-3 اثر بارهای سطحی بر چگالی گاز حفره­ای ................................................................... 74

3-4 روشهای کنترل چگالی سطحی حاملها .............................................................................. 76

3-4-1 تاثیر تابش نور بر چگالی سطحی حاملها ..................................................................... 77

3-4-2 تاثیر ضخامت لایه پوششی بر چگالی سطحی حاملها................................................ 78

3-4-3 دریچه دار کردن ساختار دور آلاییده ............................................................................ 79

3-5 ساختارهای دورآلاییده معکوس p-Si/SiGe/Si با دریچه بالا ...................................... 79

3-6 انتقال بار در ساختارهای دورآلاییده معکوس با دریچه بالا............................................ 82

3-7 تاثیر بایاسهای مختلف بر روی چگالی سطحی ­حفره­ها ................................................. 83

3-8 ملاحظات تابع موج....................................................................................................... 86

3-9 وابستگی Zav به چگالی سطحی حاملها در ساختارهای بی دریچه.............................. 87

3-10 وابستگی Zav به چگالی سطحی حاملها در ساختارهای دریچه­دار............................ 87

فصل چهارم : نتایج محاسبات  .......................................................................................... 89

مقدمه................................................................................................................ 90

4-1 محاسبات نظری ساختارهای دورآلاییده بی دریچه Si/SiGe/Si ............................

4-1-1 محاسبات نظری ns برحسب Ls ..................................................................

4-1-2 محاسبات نظری ns برحسب NA  ................................................................................

4-1-3 محاسبات نظری ns برحسب nc .................................................................................

4-1-4 محاسبات نظری کلیه انرژیهای دخیل برحسب Ls ..................................................

4-2 محاسبات نظری ساختارهای دورآلاییده دریچه­دار Si/SiGe/Si ................................. 

4-2-1 محاسبات نظری ns برحسب vg ...................................................................................

4-2-2 بررسی نمونه ها با nsur متغیر و تابعی خطی از vg با شیب مثبت ........................ 107

4-2-3 بررسی نمونه ها با nsur متغیر و  تابعی خطی از vg با شیب منفی......................... 114

فصل پنجم : نتایج.................................................................................................... 124

5-1مقایسه سد شاتکی با ساختار دورآلاییده دریچه دار p-Si/SiGe/Si ..........................

5-2 بررسی نمودارهای مربوط به چهار نمونه .................................................................... 125

پیوست ...................................................................................................................... 129

چکیده انگلیسی (Abstract) ................................................................................... 139

منابع.............................................................................................141

 

چکیده

در ساختارهای Si/SiGe/Si که بوسیله روش رونشانی پرتو مولکولی رشد می­یابند به دلیل ناپیوستگی نوار ظرفیت یک چاه کوانتومی در نوار ظرفیت و در لایه SiGe شکل می­گیرد اگر لایه­های مجاور با ناخالصی­های نوع p آلاییده شده باشند حفره­های لایه آلاییده به داخل چاه کوانتومی می­روند و تشکیل گاز حفره­ای دوبعدی در میانگاه نزدیک لایه آلاییده می­دهند اینگونه ساختارها را ساختار دورآلاییده می نامند .به دلیل جدایی فضایی بین حاملهای آزاد دوبعدی و ناخالصی­های یونیده در ساختارهای دورآلاییده برهمکنش کولنی کاهش یافته و درنتیجه پراکندگی ناشی از ناخالصی­های یونیده کاهش و به تبع آن تحرک­پذیری حاملهای آزاد دوبعدی افزایش می­یابد .چگالی سطحی گاز حفره­ای دوبعدی به پارامترهای ساختار مثلاً ضخامت لایه جداگر ، چگالی سطحی بارهای لایه پوششی ، ضخامت لایه پوششی ، و غیره وابسته است. علاوه بر این در ساختارهای دورآلاییده دریچه­دار با تغییر ولتاِژ دریچه چگالی سطحی گاز حفره­ای قابل کنترل می­باشد . این ساختارها در ساخت ترانزیستورهای اثر میدانی مورد استفاده قرار می­گیرند .

در این پایان نامه ابتدا به تشریح ساختار دورآلاییده  Si/SiGe/Siمی­پردازیم و سپس مدلی نظری که بتواند ویژگیهای الکتریکی گاز حفره­ای دوبعدی درون چاه کوانتومی ساختارp-Si/SiGe/Si  و همچنین میزان انتقال بار آزاد به درون چاه و بستگی آن به پارامترهای ساختار را توجیه کند ارائه می دهیم .در ساختار دورآلاییده معکوس p-Si/SiGe/Si دریچه­دار با دریچه Al/Ti/Si از این مدل نظری استفاده می­کنیم و با برازش نتایج تجربی تغییرات چگالی سطحی گاز حفره­ای بر حسب ولتاژ دریچه توانسته­ایم چگالی سطحی بارهای میانگاه Ti/Si در این ساختارها را در محدوده (m-2) 1015 × 78/1 تا (m-2) 1015 × 63/4  ارزیابی کنیم  .

متن کامل را می توانید بعد از پرداخت آنلاین ، آنی دانلود نمائید، چون فقط تکه هایی از متن به صورت نمونه در این صفحه درج شده است.

/images/spilit.png

دانلود فایل 


دانلود با لینک مستقیم


دانلود تحقیق کامل درمورد تعیین چگالی بارهای سطحی میان گاه

اثر جریان ناشی از تغییر چگالی در تشکیل کانال صوتی در منطقه خلیج فارس 13 ص - ورد

اختصاصی از سورنا فایل اثر جریان ناشی از تغییر چگالی در تشکیل کانال صوتی در منطقه خلیج فارس 13 ص - ورد دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

اثر جریان ناشی از تغییر چگالی در تشکیل کانال صوتی در منطقه خلیج فارس 13 ص - ورد


اثر جریان ناشی از تغییر چگالی در تشکیل کانال صوتی در منطقه خلیج فارس 13 ص - ورد

مقدمه:

در این پیش درآمد و مقدمه‌ی کوتاه، بیان تحلیل جریانات ناشی از تغییرات چگالی در تشکیل کانال صوتی کاری بس دشوار است، چرا که مطلبی دراین باب چنان گسترده و فراخ نیست نیز در قیاس با موارد مشابه چیزی جز همان پیشگفتار کوتاه نمی‌باشد.

این مقدمه آغازنامه و حاشیه‌ای است بر تحلیل علمی. گزارش از جستجو و کنکاش شخصی که امیدوارم انتهای آن به گوشه‌ای از افق شفاف علم فیزیک دریا متصل شود.

اما چرا موضوع جریانات ناشی از تغییرات چگالی؟چرا کانال صوتی؟ و چرا اثر این نوع جریان در تشکیل کانال صوتی؟ گذشته از علاقه‌مندی و دلبستگی من به این مبحث، مطالعه و پژوهش درباره‌ی بررسی جریانات دریایی و خواص فیزیکی دریاها و اقیانوس‌ها مانند سرعت انتشار صوت و چگالی و دما و شوری و عواملی مانند آن، همواره مهم‌ترین مسائل ذهنی نویسنده‌ی این سطور بوده است. علاوه بر آن، تحقیق و پژوهشی در این زمینه، بخصوص در منطقه‌ی خلیج فارس، انجام نگرفته است. البته تحقیقاتی در زمینه‌ی تشکیل کانال صوتی و اقیانوس در دریای سیاه صورت گرفته است. بعنوان مثال اشخاصی همچون، A.widtfeldt و M.J.Jacobson در زمینه‌ی مشخصات صوت در هنگام عبور جریان یکنواخت از یک اقیانوس عمیق و همچنین تشکیل کانال صوتی انجام داده‌اند.

منطقه‌ی خلیج فارس از نظر نظامی و سوق‌الجیشی و همچنین ارتباط با دریای آزاد، بسیار حائز اهمیت می‌باشد، همچنین از لحاظ کشتیرانی و شیلات بسیار مورد توجه است. بنابراین بررسی اثر جریانات ناشی از تغییرات چگالی،‌ که جریانی غالب در منطقه به شمار می‌آید در تشکیل کانال صوتی اهمیت بسزایی دارد.


دانلود با لینک مستقیم


اثر جریان ناشی از تغییر چگالی در تشکیل کانال صوتی در منطقه خلیج فارس 13 ص - ورد

یکنواخت بودن چگالی بار ابر

اختصاصی از سورنا فایل یکنواخت بودن چگالی بار ابر دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

یکنواخت بودن چگالی بار ابر


یکنواخت بودن چگالی بار ابر

 

فرمت فایل : word(قابل ویرایش)تعداد صفحات26

 

فرض ما برای محاسبة یکنواخت بودن چگالی بار ابر بود که با تصویر کوانتمی اتم توافق ندارد . در نظریة کوانتمی بیشینه چگالی احتمال مربوط به شعاع معینی مطابق با اولین مدار بور بوده که برای شعاعهای بزرگتر افت می کند . محاسبة کامل قطبش پذیری مولکولی برای اتم هیدروژن 68/1 است . در صورتیکه معادلة ( 4 ـ 7 ) مقدار cm3 378/0 را ارائه می دهد . علت بزرگتر بودن مقدار قطبش پذیری توسط نظریة
کو انتمی امکان پذیر است ، زیرا در این مدل خارجی ترین مناطق چگالی احتمال ابر مربوط است به الکترونی که به طور ضعیف به هستة ما در مقید است . بنابراین تعداد کم الکترون د راین ناخیه نسبت به آنهایی که نزدیک به هستة هستند ، مشارکت بیشتری را درقطبش پذیری دارند .
قطبش پذیری مولکولی
با اعمال یک میدان ، قطبش ماده قطبی به دو صورت می تواند تغییر کند :
الف ) اگر میدان باعث جابجایی اتمها X تغییر فاصله بین آنها شود و گشتاور دو قطبی مولکول را تغییر می دهد این عمل را قطبش پذیری اتمی می خوانیم و با نمایش می دهیم .
ب ) اگر کل مولکول حول محور تقارن خود چرخش کند ، بطوریکه دو قطبی آن با میدان هم امتداد شود این را قطبش جهتی می نامند ، و با نمایش می دهند .

قطبش بین لایه ای :
در یک بلور واقعی همیشه در عمل نقصهای زیادی از قبیلی جاهای شبکه ای تهی ، مراکز ناخالصی ، جابجاییها و … وجود دارد . حاملهای بار آزاد ، که تحت تأثیر میدان اعمال شده در بلور جابجا می شوند ، ممکن است توسط یک نقص به دام بیفتند و یا روی هم انباشته شوند . و این اثر منجر به ایجاد انباشتگی موضعی بار می شود که تصویر خودش را بر روی یک الکترود القاء می کند و گشتاور دو قطبی بدست
می دهد . و این قطبش دو بلور بنا می کند که قطبش بین لایه ای نامیده می شد و آن را با نشان می دهیم .
دسته بندی دی الکتریکها :
سه نوع قطبش پذیری اتمی و یامولکولی منجر به یک طبقه بندی کلی در مواد دی الکتریکی می شوند . تمام دی الکتریکها در یکی از سه گروه زیر قرار دارند :
الف ) مواد غیر قطبی که تغییرات گذردهی را در محدودة فرکانسهای نوری نشان
می دهند . در این مواد اعمال میدان الکریک یفقط باعث جابجایی الاستیکی الکترونها می شود . تمام دی الکتریکهایی که دارای این نوع اتم آنه چه بصورت جامد ، مایع و یا گاز باشند ، در این دسته یافت می شوند .
ب ) مواد قطبی که در محدودة فرکانهاس فروسرخ و همچنین نوری تغییراتی در گذردهی دارند . موادی که بتوان در ردة بندی این دسته قرار داد ، احساسی هستند که گشتاورده قطبی خالص مولکولهای آنها صفر است . حتی اگر دارای دسته های دو قطبی از اتمها باشند ، ، پارافین ، بنزین تتراکلرید کربن و تعداد زیادی از روغنها از این دسته اند . در بیشتر اینها قطبش پذیری فروسرخ تنها کسری از قطبش پذیری نوری است و از نظر تجربی رفتار آنها بسیار شبیه به مواد غیر قطبی
می باشد .
مهمترین اعضای این دسته ، جامدات یونی هستند ، نظیر سنگ بنک ، بلورهای قلیایی بطور عام ، و … … … ؛ همة اینها قطبش پذیری فروسرخ بزرگی را نشان
می دهند .
ج ) مواد دو قطبی که علاوه بر اینها ، قطبش جهتی را هم نشان می دهند . تمامی موادی که شامل مولکولهای دو قطبی انه در این گروه قرار دارند ، در دماهای پایین ممکن است این مواد قطبی شوند و این بخاطر بی حرکت شدن مولکولهاست بطوریکه دیگر قادر به چرخیدن و همسو شدن با میدان نمی باشد . در بعضی حالات مانند یخ ، چرخش دو قطبی ممکن است از طریق انتقال یک یون از محل تعادل به محل دیگری حاصل شود .
مشکلات نظریة دی الکتریک :
هدف نظریه دی الکتریک باید این باشد که بتوان گشتاور دو قطبی الکتریک داده شده را که در اثر اعمال یک میدان در مادة القاء می شود ، از ساختار اتمی و مولکولی آن محاسبه کرد . این هدف از طریق محاسبة قطبش پذیری که رفتار میکروسکویی و ماکروس کوپی دی الکتریک را به یکدیگر را به یکدیگر مربوط می کند ، انجام
می شود ، به طوری که انجام می گیرد که عامل اخیر توسط گذردهی اش توصیف
می گردد و محاسبة صریح مقادیر گذردهی و وابستگی آن به فرکانس و دما از یک مدل اتمی و یا مولکولی همواره با مشکلاتی همراه بوده است و عموماً تقریبهایی بکار گرفته می شود . برای مثال ، در مورد قطبش پذیری اتمی هیچگونه محاسبه ای را
نمی توان انجام داد مگر اینکه پیکربندیهای دقیق از هسته های یونی مثبت و ابرهای الکترونی آنها معلوم باشد ، و این فقط در تعداد معدودی از حالتهای نسبتاً ساده امکان پذیر می باشد . بنابراین عموماً مدل ساده ای برای نمایش یک ماده با پیچیدگی خیلی زیاد انتخاب می شود ، معمولاً این امر اجازه می دهد که فرمولهایی تقریبی برای توصیف رفتار دی الکتریک بدست آیند و مقایسة اینها با نتایج تجربی ، صحت مدل به کار برده شده را نشان می دهد .


دانلود با لینک مستقیم


یکنواخت بودن چگالی بار ابر

پایان نامه:مقایسه چگالی حالت¬ها در نیم¬رساناهای سه، دو، یک و صفر بعدی

اختصاصی از سورنا فایل پایان نامه:مقایسه چگالی حالت¬ها در نیم¬رساناهای سه، دو، یک و صفر بعدی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

در این پست می توانید متن کامل این پایان نامه را  با فرمت ورد word دانلود نمائید:مقایسه چگالی حالت¬ها در  نیم¬رساناهای سه، دو، یک و صفر بعدی

 

مقدمه:

محققان زیادی در سراسر جهان، به مطالعه­ی نظری و آزمایشگاهی خواص ریزساختارهای اشتغال دارند. اگرچه حجم گزارش­ها از دستاوردهای آزمایشگاهی در مقایسه با تحقیقات بنیادی بسیار بیشتر است امّا با در اختیار گرفتن کامپیوترهای با قدرت پردازش بالا، مطالعات نظری در مورد نانوساختارها نیز در حال افزایش می­باشد. با وجود اینکه در این پایان­نامه، بیشتر بر کارهای آزمایشگاهی تمرکز شده، لیکن در ابتدای این فصل، یکی از مطالعات ساده نظری در مورد نانوساختارها یعنی “مقایسه چگالی حالت­ها در نیم­رساناهای سه، دو، یک و صفر بعدی” ارائه
می شود. سپس در ادامه، مبانی آنالیزهائی که در فصل­های آینده از آن­ها برای مطالعه خواص نانوذرّات بهره گرفته می­شود به طورخلاصه معرفی خواهند شد.

 

2-1 مقایسه چگالی حالت­های نیم­رساناهای سه، دو، یک و صفر بعدی

           

2-1-1  محاسبه چگالی حالت­ها در نیم­رساناهای حجیم

هر الکترون با بردار موج و اسپین S می­تواند حالت­های ممکن انرژی که با  نشان داده می­شوند را با احتمال بین صفر و یک اشغال کند. چون مطابق اصل طرد پائولی، هر حالت کوانتومی حدّاکثر توسط یک فرمیون اشغال می­گردد. تابع توزیع احتمال متناظر با این، توزیع مشهور فرمی دیراک است:

چون تابع توزیع به اسپین بستگی ندارد، می­توان نوشت. پارامتر  پتانسیل شیمیائی است که در دمای صفر درجه با انرژی فرمی برابر است. در این دما تابع فرمی به صورت زیر تبدیل می­شود.

در صورتی که احتمال اشغال تمامی حالت­های ممکن با هم جمع شوند، به دلیل اینکه در هر حالت حدّاکثر یک الکترون می­تواند وجود داشته باشد، تعداد کلّ ذرّات N در سیستم برابر است با:

مقدار پتانسیل شیمیائی به گونه­ای است که در هر دما و انرژی، معادله­ی بالا صادق ­باشد. چگالی حالت­ها را می­توان با کاربرد معادله­ی شرودینگر برای الکترون­های غیر اندرکنشی به دست آورد.

 

جواب این معادله برای الکترون­های آزاد در یک شبکه تناوبی به حجم  به صورت زیر است:

 

با اعمال شرایط تناوبی “بورن ون کارمن[1] “[81]

مقادیر بردارهای موج و ویژه مقادیر انرژی به صورت زیر به دست می­آید:

 

 

 

 

(ممکن است هنگام انتقال از فایل ورد به داخل سایت بعضی متون به هم بریزد یا بعضی نمادها و اشکال درج نشود ولی در فایل دانلودی همه چیز مرتب و کامل است)

متن کامل را می توانید دانلود نمائید

چون فقط تکه هایی از متن پایان نامه در این صفحه درج شده (به طور نمونه)

ولی در فایل دانلودی متن کامل پایان نامه

همراه با تمام ضمائم (پیوست ها) با فرمت ورد word که قابل ویرایش و کپی کردن می باشند

موجود است


دانلود با لینک مستقیم


پایان نامه:مقایسه چگالی حالت¬ها در نیم¬رساناهای سه، دو، یک و صفر بعدی

جزوات فیزیک

اختصاصی از سورنا فایل جزوات فیزیک دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

جزوات فیزیک


جزوات فیزیک

50 فایل  pdf  جزوه فیزیک ,درسنامه های که برای کنکوری ها و دانش آموزان گردآوری شده است و شامل موضوعات زیر هستند :
چگالی - دما و گرما - الکتریسته - انبساط و انقباض - اصطحکاک - فشار جامدات - فشار مایع - گاز- حرکت - جریان الکتریسته - کار و انرژی  - خازن- مغناطیس - میدان الکتریکی- نور- رسانش- گرما


دانلود با لینک مستقیم


جزوات فیزیک